Компоненты группы MOSFET транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 ... 431 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт
VDS
В
RDS(ON) 1.8 В
мОм
RDS(ON) 2,5 В
мОм
RDS(ON) 2,7 В
мОм
RDS(ON) 4.5 В
мОм
RDS(ON) 10 В
мОм
ID
А
PD
Вт
Корпус
                               
STP21NM60ND N-channel 600 V, 0.17 ?, 17 A FDmesh™ II Power MOSFET TO-220 STMicroelectronics MOSFET
N 1 600 - - - - 170 17 140 TO-220
FCH043N60 N-канальный MOSFET-транзистор семейства SuperFET® II, 600 В, 75 А Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 600 - - - - 43 75 592 TO-247
PSMN015-110P N-канальный TrenchMOS™ транзистор со стандартным уровнем FET NXP MOSFET
N 1 110 - - - - 12 75 300 TO-220AB
FDB8444 N-Channel PowerTrench MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 40 - - - - 3.9 70 167 TO-263AB
Si7450DP N-Channel 200-V (D-S) MOSFET Vishay MOSFET
N 1 200 - - - - 65 3.2 1.9 PowerPAK_SO-8
Si1902DL Dual N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET Vishay MOSFET
N 2 20 - - 560 320 - 0.6 0.27 SC70-6
BSC039N06NS Транзистор серии OptiMOS™ на 60 В, 100 А Infineon Technologies MOSFET
N 1 60 - - - - 3.9 100 69 SuperSO8
RFD14N05SM N-Channel Power MOSFETs Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 50 - - - - 100 14 48 TO-252 AA
STP8NM60 N-channel 650 V@Tjmax, 0.9 ?, 8 A MDmesh™ Power MOSFET TO-220 STMicroelectronics MOSFET
N 1 30 - - - - 900 8 100 TO-220
IPD90N06S4-07 N-Channel 60V MOSFET OptiMOS®-T2 Power-Transistor Infineon Technologies MOSFET
N 1 60 - - - - 5.7 90 79 TO-252
IRLI540G HEXFET® Power MOSFET Vishay MOSFET
N 1 100 - - - - 77 17 48 TO-220F
IRLR8103V HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 30 - - - 10.5 9 91 89 D-PAK
NTP75N03R Power MOSFET 75 Amps, 25 Volts N?Channel TO-220 ON Semiconductor MOSFET
N 1 25 - - - 8.1 5.6 75 2.08 TO-220
FDMA1028NZ Dual N-Channel PowerTrench MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
N 2 20 - - - 37 - 3.7 1.4 MicroFET
STB75NF20 N-channel 200V - 0.028? - 75A - D2PAK Low gate charge STripFET™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 200 - - - - 28 75 190 D2-PAK
IRLU8743PbF 30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 30 - - - 3 2.4 160 135 I-PAK
IRFI720GPBF HEXFET® Power MOSFET Vishay MOSFET
N 1 400 - - - - 1800 2.6 30 TO-220F
IRFSL3306PBF HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 60 - - - - 4.2 75 230 TO-262
STFW3N150 N-channel 1500 V - 6 ? - 2.5 A - PowerMESH™ Power MOSFET TO-3PF STMicroelectronics MOSFET
N 1 1500 - - - - 1100 2.5 0 TO-3PF
STD6NF10 N-channel 100 V, 0.22 ?, 6 A, DPAK low gate charge STripFET™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 100 - - - - 220 6 30 D-PAK
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 ... 431 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019