Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

IXTQ50N28T N-канальный силовой Trench Gate MOSFET транзистор

 

Блок-схема

IXTQ50N28T, N-канальный силовой Trench Gate MOSFET транзистор

Группа компонентов

MOSFET

Основные параметры

Полярность N
Каналов,шт 1
VDS,В 280
RDS(ON) 1.8 В,мОм 66
RDS(ON) 2,7 В,мОм 66
RDS(ON) 2,5 В,мОм 66
RDS(ON) 4.5 В,мОм 66
RDS(ON) 10 В,мОм 66
ID,А 50
PD,Вт 340
Корпус TO-3P
Datasheet
 
IXTx50N28T (146 Кб), 20.01.2012

Производитель
 

Где купить
 

Поставки и консультации:

    Тел: (812) 325 3685
    Тел: (812) 786 8579 (факс)


Дистрибуторы

Дилеры

Где купить ещё

Datasheet

IXTx50N28T N-канальный силовой Trench Gate MOSFET транзистор (146 Кб), 20.01.2012



Автор документа: Жанна Свирина, http://www.gaw.ru
 Кол-во просмотров: 419 		Дата публикации: 20.01.2012 13:38
Дата редактирования: 20.01.2012 13:39

подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники