Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

IXFN180N20 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET)

 

Блок-схема

IXFN180N20, N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET)

Группа компонентов

MOSFET

Основные параметры

Полярность N
Каналов,шт 1
VDS,В 200
RDS(ON) 1.8 В,мОм 10
RDS(ON) 2,7 В,мОм 10
RDS(ON) 2,5 В,мОм 10
RDS(ON) 4.5 В,мОм 10
RDS(ON) 10 В,мОм 10
ID,А 100
PD,Вт 700
Корпус SOT-227 B

Общее описание

Не рекомендуется использовать для новых разработок.

Особенности:

  • Лавинная устойчивость
  • Высокая надёжность
  • Устойчивость к высокому dv/dt
  • Технология HiPerFET™ - встроенный быстрый диод
  • Низкое значение RDS(on)
  • Q2-класс: очень низкий заряд затвора, очень быстрое переключение
  • Q-класс: низкий заряд затвора, быстрое переключение
Datasheet
 
IXFN180N20 (71.4 Кб), 11.01.2012

Производитель
 

Где купить
 

Поставки и консультации:

    Тел: (812) 325 3685
    Тел: (812) 786 8579 (факс)


Дистрибуторы

Дилеры

Где купить ещё

Datasheet

IXFN180N20 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) (71.4 Кб), 11.01.2012



Автор документа: Жанна Свирина, http://www.gaw.ru
 Кол-во просмотров: 578 		Дата публикации: 11.01.2012 07:36
Дата редактирования: 11.01.2012 07:37

подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники