Компоненты группы MOSFET транзисторы
Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Полярность | Каналов шт |
VDS В |
RDS(ON) 1.8 В мОм |
RDS(ON) 2,5 В мОм |
RDS(ON) 2,7 В мОм |
RDS(ON) 4.5 В мОм |
RDS(ON) 10 В мОм |
ID А |
PD Вт |
Корпус | |
IXTP2N80P | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 800 | 6000 | 6000 | 6000 | 6000 | 6000 | 2 | 70 |
TO-220 |
|
IXTH4N150 | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1500 | 6000 | 6000 | 6000 | 6000 | 6000 | 4 | 250 |
|
|
NTK3043N | Power MOSFET 20 V, 285 mA, N?Channel with ESD Protection, SOT?723 | ON Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 20 | 5100 | - | - | 1500 | - | 0.255 | 0.44 |
|
|
IXTY2N60P | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 600 | 5100 | 5100 | 5100 | 5100 | 5100 | 2 | 55 |
TO-252 |
|
IXTP2N60P | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 600 | 5100 | 5100 | 5100 | 5100 | 5100 | 2 | 55 |
TO-220 |
|
IXTP3N100P | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 4800 | 4800 | 4800 | 4800 | 4800 | 3 | 125 |
TO-220 |
|
IXTH3N100P | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 4800 | 4800 | 4800 | 4800 | 4800 | 3 | 125 |
|
|
IXTA3N100P | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 4800 | 4800 | 4800 | 4800 | 4800 | 3 | 125 |
|
|
IXTY08N50D2 | N-канальный MOSFET транзистор с режимом истощения | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 500 | 4600 | 4600 | 4600 | 4600 | 4600 | 0.8 | 60 |
TO-252 |
|
IXTP08N50D2 | N-канальный MOSFET транзистор с режимом истощения | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 500 | 4600 | 4600 | 4600 | 4600 | 4600 | 0.8 | 60 |
TO-220AB |
|
IXTA08N50D2 | N-канальный MOSFET транзистор с режимом истощения | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 500 | 4600 | 4600 | 4600 | 4600 | 4600 | 0.8 | 60 |
|
|
IXFP3N120 | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1200 | 4500 | 4500 | 4500 | 4500 | 4500 | 3 | 200 |
TO-220 |
|
IXFA3N120 | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1200 | 4500 | 4500 | 4500 | 4500 | 4500 | 3 | 200 |
|
|
IXTH3N120 | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1200 | 4500 | 4500 | 4500 | 4500 | 4500 | 3 | 150 |
|
|
IXTP3N120 | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1200 | 4500 | 4500 | 4500 | 4500 | 4500 | 3 | 200 |
TO-220 |
|
IXTA3N120 | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1200 | 4500 | 4500 | 4500 | 4500 | 4500 | 3 | 200 |
|
|
TN0702 | N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET | Supertex, Inc. |
MOSFET |
N | 1 | 20 | 4000 | - | - | - | - | 1 | 1 |
TO-92 |
|
CPC3703C | N-канальный MOSFET транзистор с режимом истощения | Clare |
MOSFET |
N | 1 | 250 | 4000 | 4000 | 4000 | 4000 | 4000 | 0.36 | 1.6 |
SOT-89 |
|
IXTY2R4N50P | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 500 | 3750 | 3750 | 3750 | 3750 | 3750 | 2.4 | 55 |
TO-252 |
|
IXTP2R4N50P | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 500 | 3750 | 3750 | 3750 | 3750 | 3750 | 2.4 | 55 |
TO-220 |