Компоненты группы MOSFET транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 ... 431 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт
VDS
В
RDS(ON) 1.8 В
мОм
RDS(ON) 2,5 В
мОм
RDS(ON) 2,7 В
мОм
RDS(ON) 4.5 В
мОм
RDS(ON) 10 В
мОм
ID
А
PD
Вт
Корпус
                               
Si4650DY Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode Vishay MOSFET
N 2 30 - - - 17 14 8 3.1 SOIC-8
IRF7342 HEXFET Power MOSFETs Dual P-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
P 2 55 - - - 170 105 3.4 2 SOIC-8
FDS3992 Dual N-Channel PowerTrench MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
N 2 100 - - - - 54 4.5 2.5 SOIC-8
STC5DNF30V Dual N-channel 30V - 0.032? - 4.5A - TSSOP8 2.7V-Driver STripFET™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 2 30 - - 36 32 - 4.5 1.3 TSSOP-8
SiA810DJ P-Channel 20-V (D-S) MOSFET with Trench Schottky Diode Vishay MOSFET
N 2 20 62 - 52 43 - 4.5 6.5 PowerPAK SC70-6
FDQ7238AS Dual Notebook Power Supply N-Channel PowerTrench in SO-14 Package Fairchild Semiconductor MOSFET
N 2 30 - - - 13 11 11 1.8 SOIC-14
Si3983DV Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET Vishay MOSFET
P 2 20 170 - 116 86 - 2.1 0.83 TSOP-6
Si5904DC Dual N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET Vishay MOSFET
N 2 20 - - 115 65 - 3.1 1.1 ChipFET_1206-8
Si7222DN Dual N-Channel 40-V (D-S) MOSFET Vishay MOSFET
N 2 40 - - - 39 35 6 17.8 PowerPAK_1212-8
Si4948BEY Dual P-Channel 60-V (D-S) 175C MOSFET Vishay MOSFET
P 2 60 - - - 126 100 2.4 1.4 SOIC-8
DMP58D0SV DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
P 2 -50 - - - - - -0.16 0.4 SOT-563
NTHD4401P Power MOSFET ?20 V, ?3.0 A, Dual P?Channel, ChipFET ON Semiconductor MOSFET
P 2 -20 340 - - 130 - -2.1 1.1 ChipFET_1206-8
ZXMD63N02X DUAL 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Zetex MOSFET
N 2 20 - - 150 130 - 2.4 1.25 MSOP-8
EFC6602R Сдвоенный N-канальный силовой MOSFET-транзистор на 12 В / 18 А / 5.9 мОм, для схем коммутации нагрузки в устройствах заряда/разряда Li-ion аккумуляторных батарей ON Semiconductor MOSFET
N 2 12 - 11 - 5.9 - 18 2 WLCSP-6
Si3552DV N-/P-Channel 30-V (D-S) Rated MOSFET Vishay MOSFET
N+P 2 30 - - - 2.98 1.65 1.8 1.15 TSOP-6
IRF7503 HEXFET Power MOSFETs Dual N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
N 2 30 - - - 222 135 2.4 1.25 Micro 8
FDS6890A Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
N 2 20 - - - 13 - 7.5 1.6 SOIC-8
FDMA1024NZ Dual N-Channel PowerTrench MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
N 2 20 - - 52 37 - 5 1.4 MicroFET
FDS6986AS Dual Notebook Power Supply N-Channel PowerTrench SyncFET Fairchild Semiconductor MOSFET
N 2 30 - - - 32 21 6.5 2 SOIC-8
Si1033X P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET Vishay MOSFET
P 2 20 15000 - 12000 8000 - 0.15 0.25 SC89-6
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 ... 431 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019