Компоненты группы MOSFET транзисторы
| Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Полярность | Каналов шт |
VDS В |
RDS(ON) 1.8 В мОм |
RDS(ON) 2,5 В мОм |
RDS(ON) 2,7 В мОм |
RDS(ON) 4.5 В мОм |
RDS(ON) 10 В мОм |
ID А |
PD Вт |
Корпус | |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
| SUD50P08-25L | P-Channel 80-V (D-S) 175°C MOSFET |
|
Vishay |
MOSFET |
P | 1 | 80 | - | - | - | 24 | 21 | 50 | 136 |
D-PAK |
| PMV32UP | P-канальный MOSFET-транзистор 20В, 4А |
|
NXP |
MOSFET |
P | 1 | -20 | 36 | 36 | 36 | 36 | 36 | -4 | 0.51 |
SOT-23-3 |
| MTD5P06V | Power MOSFET 5 Amps, 60 Volts P?Channel DPAK |
|
ON Semiconductor |
MOSFET |
P | 1 | 60 | - | - | - | - | 340 | 5 | 40 |
D-PAK |
| IRFU6215 | HEXFET Power MOSFETs Discrete P-Channel |
|
International Rectifier (IRF) |
MOSFET |
P | 1 | 150 | - | - | - | - | 295 | 13 | 110 |
|
| IRFD9024PBF | HEXFET® Power MOSFET |
|
Vishay |
MOSFET |
P | 1 | 60 | - | - | - | - | 280 | 1.6 | 1.3 |
HEXDIP |
| SiB419DK | P-Channel 12-V (D-S) MOSFET |
|
Vishay |
MOSFET |
P | 1 | 12 | 89 | - | 68 | 49 | - | 9 | 13.1 |
|
| SQJ463EP | Automotive 40 V (D-S) 175 °C MOSFET |
|
Vishay |
MOSFET |
P | 1 | -40 | - | - | - | 15 | 10 | -30 | 83 |
PowerPAK_SO-8 |
| BSP250 | P-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor |
|
NXP |
MOSFET |
P | 1 | 30 | - | - | - | - | 250 | 3 | 1.65 |
SOT-223-4 |
| ZXM66P02N8 | 20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
|
Zetex |
MOSFET |
P | 1 | -20 | - | - | - | 25 | - | -8 | 1.56 |
SOIC-8 |
| Si3433BDV | P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET |
|
Vishay |
MOSFET |
P | 1 | 20 | 60 | - | 45 | 34 | - | 4.3 | 1.1 |
|
| IXTP26P10T | Силовой P-канальный MOSFET-транзистор |
|
IXYS |
MOSFET |
P | 1 | -100 | 90 | 90 | 90 | 90 | 90 | -26 | 150 |
TO-220AB |
| IXTQ36P15P | Силовой P-канальный MOSFET-транзистор |
|
IXYS |
MOSFET |
P | 1 | -150 | 110 | 110 | 110 | 110 | 110 | -36 | 300 |
|
| SiA421DJ | P-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
|
Vishay |
MOSFET |
P | 1 | 30 | - | - | - | 46 | 29 | 12 | 19 |
PowerPAK SC70-6 |
| TSM4435CS | P-канальный MOSFET транзистор, -30 В, -9.1 А |
|
Taiwan Semiconductor |
MOSFET |
P | 1 | -30 | - | - | - | 35 | 21 | -9.1 | 2.5 |
|
| FQU17P06 | 60V P-Channel QFET® MOSFET |
|
Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
P | 1 | -60 | - | - | - | - | 135 | -12 | 44 |
|
| BSS192 | P-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor |
|
NXP |
MOSFET |
P | 1 | 240 | - | - | - | - | 12000 | 200 | 1 |
SOT-89 |
| ZXM62P03E6 | 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
|
Zetex |
MOSFET |
P | 1 | -20 | - | - | - | 230 | 150 | -1.5 | 0.625 |
SOT-23-6 |
| Si3469DV | P-Channel 20-V (D-S) MOSFET |
|
Vishay |
MOSFET |
P | 1 | 20 | - | - | - | 41 | 24 | 5 | 1.14 |
|
| IXTY26P10T | Силовой P-канальный MOSFET-транзистор |
|
IXYS |
MOSFET |
P | 1 | -100 | 90 | 90 | 90 | 90 | 90 | -26 | 150 |
TO-252 |
| IXTA44P15T | Силовой P-канальный MOSFET-транзистор |
|
IXYS |
MOSFET |
P | 1 | -150 | 65 | 65 | 65 | 65 | 65 | -44 | 298 |
|
