Компоненты группы MOSFET транзисторы
| Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Полярность | Каналов шт |
VDS В |
RDS(ON) 1.8 В мОм |
RDS(ON) 2,5 В мОм |
RDS(ON) 2,7 В мОм |
RDS(ON) 4.5 В мОм |
RDS(ON) 10 В мОм |
ID А |
PD Вт |
Корпус | |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
| PH4840S | N-channel TrenchMOS intermediate level FET |
|
NXP |
MOSFET |
N | 1 | 40 | - | - | - | - | 3.5 | 94.5 | 62.5 |
|
| FDS6961A | Dual N-Channel Logic Level PowerTrenchTM MOSFET |
|
Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
N | 2 | 30 | - | - | - | 107 | 76 | 3.5 | 2 |
SOIC-8 |
| STW14NM65N | N-channel 650 V, 0.33 ?, 12 A MDmesh™ II Power MOSFET TO-247 |
|
STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 650 | - | - | - | - | 330 | 12 | 125 |
|
| TSM8N80CZ | Силовой N-канальный MOSFET транзистор, 800 В, 8 А |
|
Taiwan Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 800 | - | - | - | - | 1400 | 8 | 250 |
TO-220 |
| IRLR3714Z | HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel |
|
International Rectifier (IRF) |
MOSFET |
N | 1 | 20 | - | - | - | 25 | 15 | 37 | 35 |
D-PAK |
| IPB038N12N3 | Силовой MOSFET-транзситор серии OptiMOS®3, 120 В, 120 А, 3.8 мОм |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 120 | - | - | - | - | 3.8 | 120 | 300 |
D2-PAK |
| STD90N4F3 | N-channel 40 V, 5.4 m?, 80 A, DPAK STripFET™ Power MOSFET |
|
STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 40 | - | - | - | - | 5.4 | 80 | 110 |
D-PAK |
| FQA13N50C | 500V N-Channel MOSFET |
|
Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 500 | - | - | - | - | 390 | 13.5 | 218 |
TO-3PN |
| IXFX44N80P | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) |
|
IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 800 | 190 | 190 | 190 | 190 | 190 | 44 | 1200 |
|
| STB30NM60ND | N-channel 600 V, 0.11 ?, 25 A FDmesh™ II Power MOSFET(with fast diode) D2PAK |
|
STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 600 | - | - | - | - | 110 | 25 | 190 |
D2-PAK |
| IRFP350LCPBF | HEXFET® Power MOSFET |
|
Vishay |
MOSFET |
N | 1 | 400 | - | - | - | - | 300 | 16 | 190 |
TO-247AC |
| SUM47N10-24L | N-Channel 100-V (D-S) 175°C MOSFET |
|
Vishay |
MOSFET |
N | 1 | 100 | - | - | - | 21 | 19 | 47 | 136 |
D2-PAK |
| PSMN012-25YLC | N-канальный MOSFET-транзистор, изготовленный по технологии NextPower |
|
NXP |
MOSFET |
N | 1 | 25 | 12.6 | 12.6 | 12.6 | 12.6 | 12.6 | 33 | 26 |
|
| IRFSL4227PBF | HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel |
|
International Rectifier (IRF) |
MOSFET |
N | 1 | 200 | - | - | - | - | 26 | 62 | 330 |
TO-262 |
| IPB120N06S4-02 | N-Channel 60V MOSFET OptiMOS®-T2 Power-Transistor |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 60 | - | - | - | - | 2 | 120 | 188 |
TO-263-3 |
| IXFK170N10P | PolarHT HiPerFET Power MOSFET |
|
ISSI |
MOSFET |
N | 1 | 100 | - | - | - | - | 9 | 170 | 714 |
|
| FQU20N06L | 60V LOGIC N-Channel MOSFET |
|
Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 60 | - | - | - | - | 46 | 17.2 | 38 |
|
| STF25NM50N | N-channel 500V - 0.11? - 22A - TO-220FP Second generation MDmesh™ Power MOSFET |
|
STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 500 | - | - | - | - | 110 | 22 | 40 |
|
| IRF840AL | HEXFET® Power MOSFET |
|
Vishay |
MOSFET |
N | 1 | 500 | - | - | - | - | 850 | 8 | 125 |
TO-262 |
| TK25Z60X | N-канальныq MOSFET транзистор семейства DTMOS IV-H с рабочим напряжением 600 В |
|
Toshiba |
MOSFET |
N | 1 | 600 | - | - | - | - | 12.5 | 25 | 180 |
|
