Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

Компоненты группы MOSFET транзисторы
 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 ... 431 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт		 VDS
В		 RDS(ON) 1.8 В
мОм		 RDS(ON) 2,5 В
мОм		 RDS(ON) 2,7 В
мОм		 RDS(ON) 4.5 В
мОм		 RDS(ON) 10 В
мОм		 ID
А		 PD
Вт		 Корпус
                               
IXTP2N80 Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 800 6200 6200 6200 6200 6200 2 54 TO-220
IXTA2N80 Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 800 6200 6200 6200 6200 6200 2 54 TO-263
IXTP3N100D2 N-канальный силовой MOSFET транзистор с режимом истощения IXYS MOSFET
 N 1 1000 6000 6000 6000 6000 6000 3 125 TO-220AB
IXTA3N100D2 N-канальный силовой MOSFET транзистор с режимом истощения IXYS MOSFET
 N 1 1000 6000 6000 6000 6000 6000 3 125 TO-263
IXTY2N80P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 800 6000 6000 6000 6000 6000 2 70 TO-252
IXTU2N80P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 800 6000 6000 6000 6000 6000 2 70 TO-251
IXTA2N80P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 800 6000 6000 6000 6000 6000 2 70 TO-263
IXTP2N80P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 800 6000 6000 6000 6000 6000 2 70 TO-220
IXTH4N150 Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 1500 6000 6000 6000 6000 6000 4 250 TO-247
2N7000 Small Signal MOSFET 200 mAmps, 60 Volts N-Channel TO-92 ON Semiconductor MOSFET
 N 1 60 - - - 6000 5000 0.2 0.35 TO-92
ZVN4525Z 250V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Zetex MOSFET
 N 1 250 - - - 5900 5600 0.25 1.2 SOT-89
ZVN4525G 250V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Zetex MOSFET
 N 1 250 - - - 5900 5600 0.31 2 SOT-223-4
ZVN4525E6 250V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Zetex MOSFET
 N 1 250 - - - 5900 5600 0.23 1.1 SOT-23-6
BS250KL P-Channel 60-V (D-S) MOSFET Vishay MOSFET
 P 1 60 - - - 5500 3100 0.27 0.8 TO-92
TSM2N7000KCT N-канальный MOSFET транзистор, 60 В, 0.1 А Taiwan Semiconductor MOSFET
 N 1 60 - - - 5500 5000 0.1 0.4 TO-92
MMBF170 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
 N 1 60 - - - 5300 5000 0.5 0.3 SOT-23-3
IXTY2N60P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 600 5100 5100 5100 5100 5100 2 55 TO-252
IXTP2N60P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 600 5100 5100 5100 5100 5100 2 55 TO-220
BSP110 N-channel enhancement mode field-effect transistor NXP MOSFET
 N 1 100 - - - 5000 - 520 6.25 SOT-223-4
Si1034X N-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET Vishay MOSFET
 N 2 20 9000 - 7000 5000 - 0.18 0.25 SC89-6
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 ... 431 следующая



подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники