Компоненты группы MOSFET транзисторы
| Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Полярность | Каналов шт |
VDS В |
RDS(ON) 1.8 В мОм |
RDS(ON) 2,5 В мОм |
RDS(ON) 2,7 В мОм |
RDS(ON) 4.5 В мОм |
RDS(ON) 10 В мОм |
ID А |
PD Вт |
Корпус | |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
| IXTV270N055T2S | N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор |
|
IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 55 | 3 | 3 | 3 | 3 | 3 | 270 | 625 |
|
| STV270N4F3 | N-channel 40 V, 1.25 m?, 270 A, PowerSO-10 STripFET™ Power MOSFET |
|
STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 40 | - | - | - | - | 1.25 | 270 | 300 |
|
| IRFSL3006PbF | 60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET |
|
International Rectifier (IRF) |
MOSFET |
N | 1 | 60 | - | - | - | - | 2 | 270 | 375 |
TO-262 |
| IRFS3006PbF | 60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET |
|
International Rectifier (IRF) |
MOSFET |
N | 1 | 60 | - | - | - | - | 2 | 270 | 375 |
D2-PAK |
| IRFB3006PbF | 60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET |
|
International Rectifier (IRF) |
MOSFET |
N | 1 | 60 | - | - | - | - | 2.1 | 270 | 375 |
TO-220AB |
| FDI025N06 | N-Channel PowerTrench MOSFET |
|
Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 60 | - | - | - | - | 1.9 | 265 | 395 |
TO-262 |
| IRL3713S | HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel |
|
International Rectifier (IRF) |
MOSFET |
N | 1 | 30 | - | - | - | 4 | 3 | 260 | 200 |
D2-PAK |
| IRL3713L | HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel |
|
International Rectifier (IRF) |
MOSFET |
N | 1 | 30 | - | - | - | 4 | 3 | 260 | 200 |
TO-262 |
| IRL3713 | HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel |
|
International Rectifier (IRF) |
MOSFET |
N | 1 | 30 | - | - | - | 4 | 3 | 260 | 200 |
TO-220AB |
| IXTA260N055T2-7 | N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор |
|
IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 55 | 3.3 | 3.3 | 3.3 | 3.3 | 3.3 | 260 | 480 |
TO-263-7 |
| IXFN320N17T2 | N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiperFET) |
|
IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 170 | 5.2 | 5.2 | 5.2 | 5.2 | 5.2 | 260 | 1070 |
SOT-227 |
| IXTH260N055T2 | N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор |
|
IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 55 | 3.3 | 3.3 | 3.3 | 3.3 | 3.3 | 260 | 480 |
|
| PMF3800SN | N-channel TrenchMOS standard level FET |
|
NXP |
MOSFET |
N | 1 | 60 | - | - | - | 3.8 | 2.8 | 260 | 0.56 |
SOT-323 |
| IRF2903ZS | HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel |
|
International Rectifier (IRF) |
MOSFET |
N | 1 | 30 | - | - | - | - | 2.4 | 260 | 290 |
D2-PAK |
| IRF2903ZL | HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel |
|
International Rectifier (IRF) |
MOSFET |
N | 1 | 30 | - | - | - | - | 2.4 | 260 | 290 |
TO-262 |
| IRFS3107-7PPbF | 75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET |
|
International Rectifier (IRF) |
MOSFET |
N | 1 | 75 | - | - | - | - | 2.1 | 260 | 370 |
D2-PAK-7 |
| IRF2903Z | HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel |
|
International Rectifier (IRF) |
MOSFET |
N | 1 | 30 | - | - | - | - | 2.4 | 260 | 290 |
TO-220AB |
| IXTP260N055T2 | N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор |
|
IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 55 | 3.3 | 3.3 | 3.3 | 3.3 | 3.3 | 260 | 480 |
TO-220 |
| IXTA260N055T2 | N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор |
|
IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 55 | 3.3 | 3.3 | 3.3 | 3.3 | 3.3 | 260 | 480 |
|
| FDMT80080DC | N-канальный MOSFET-транзистор с технологией Dual Cool 88, выполненный на основе техпроцесса PowerTrench®, 80 В, 254 А |
|
Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 80 | - | - | - | - | 1.35 | 254 | 156 |
|
