Компоненты группы NVSRAM

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Организация: Слов (K)
Организация: Разрядов (бит)
ICC(STB) (мкА)
ICC (мА)
Время
выборки (нс)
VCC (В) От до
TA (°C) От до
Корпус

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Организация ICC(STB)
мкА
ICC
мА
Время
выборки
нс
VCC
В
TA
°C
Корпус
Слов
K
Разрядов
бит
                         
M48T58Y Энергонезависимая SRAM объемом 64Кб с функцией хранения реального времени STMicroelectronics NVSRAM
8 8 3000 50 70 4.5 ... 5.5 0 ... 70 PCDIP-28
SOH-28
DS1230W Энергонезависимая SRAM емкостью 256Кб и напряжением питания 3.3В Maxim Integrated NVSRAM
32 8 150 50 100 3 ... 3.6 -40 ... 85 MOD-28
PCM-34
M48T37Y Энергонезависимая SRAM объемом 256Кб с функцией хранения реального времени STMicroelectronics NVSRAM
32 8 3000 50 70 4.5 ... 5.5 -40 ... 85 SOH-44
DS2065W Однокристальная энергонезависимая SRAM объемом 8Мб и напряжением 3.3В Maxim Integrated NVSRAM
1024 8 5000 50 100 3 ... 3.6 -40 ... 85 PBGA-256
DS2050W Энергонезависимая SRAM объемом 4Мб и напряжением 3.3В Maxim Integrated NVSRAM
512 8 5000 50 100 3 ... 3.6 -40 ... 85 PBGA-256
DS1249W Энергонезависимая SRAM емкостью 2048 Кб с напряжением питания 3,3 В Maxim Integrated NVSRAM
256 8 150 50 100 3 ... 3.6 -40 ... 85 MOD-32
DS1642 Энергонезависимая SRAM с функцией хранения реального времени Maxim Integrated NVSRAM
2 8 3000 50 70 4.5 ... 5.5 0 ... 70 MOD-24
M48T58 Энергонезависимая SRAM объемом 64Кб с функцией хранения реального времени STMicroelectronics NVSRAM
8 8 3000 50 70 4.75 ... 5.5 0 ... 70 PCDIP-28
DS3065W Энергонезависимая SRAM объемом 8Мб, напряжением 3.3В и встроенным RTC Maxim Integrated NVSRAM
1024 8 5000 50 100 3 ... 3.6 -40 ... 85 PBGA-256
DS3050W Энергонезависимая SRAM объемом 4Мб, напряжением 3.3В и встроенным RTC Maxim Integrated NVSRAM
512 8 5000 50 100 3 ... 3.6 -40 ... 85 PBGA-256
DS2045L Однокристальная энергонезависимая SRAM объемом 1Мб и напряжением 3.3В Maxim Integrated NVSRAM
128 8 1000 50 100 3 ... 3.6 -40 ... 85 PBGA-256
DS2030L Энергонезависимая SRAM объемом 256Кб и напряжением 3.3В Maxim Integrated NVSRAM
32 8 1000 50 100 3 ... 3.6 -40 ... 85 PBGA-256
DS1643 Энергонезависимая SRAM с функцией хранения реального времени Maxim Integrated NVSRAM
8 8 3000 50 70 4.5 ... 5.5 0 ... 70 MOD-28
PCM-34
DS3045W Энергонезависимая SRAM объемом 1Мб, напряжением 3.3В и встроенным RTC Maxim Integrated NVSRAM
128 8 5000 50 100 3 ... 3.6 -40 ... 85 PBGA-256
M48T35 Энергонезависимая SRAM объемом 256Кб с функцией хранения реального времени STMicroelectronics NVSRAM
32 8 2000 50 70 4.75 ... 5.5 0 ... 70 PCDIP-28
DS3030W Энергонезависимая SRAM объемом 256Кб, напряжением 3.3В и встроенным RTC Maxim Integrated NVSRAM
32 8 5000 50 100 3 ... 3.6 -40 ... 85 PBGA-256
M48T129V Энергонезависимая SRAM объемом 1Мб с функцией хранения реального времени STMicroelectronics NVSRAM
128 8 3000 50 85 3 ... 3.6 0 ... 70 PMDIP-32
DS3070W Энергонезависимая SRAM объемом 16Мб и напряжением 3.3В и встроенным RTC Maxim Integrated NVSRAM
2048 8 5000 50 100 3 ... 3.6 -40 ... 85 PBGA-256
DS1553 Энергонезависимая SRAM объемом 64Кб с Y2K-совместимыми часами реального времени Maxim Integrated NVSRAM
8 8 3000 50 70 4.5 ... 5.5 0 ... 70 MOD-28
PCM-34
M48T512V Энергонезависимая SRAM объемом 4Мб с функцией хранения реального времени STMicroelectronics NVSRAM
512 8 3000 60 85 3 ... 3.6 0 ... 70 PMDIP-32




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019