+ DS3050W, Энергонезависимая SRAM объемом 4Мб, напряжением 3.3В и встроенным RTC
 

DS3050W Энергонезависимая SRAM объемом 4Мб, напряжением 3.3В и встроенным RTC

 

Блок-схема

DS3050W, Энергонезависимая SRAM объемом 4Мб, напряжением 3.3В и встроенным RTC
Увеличить

Группа компонентов

NVSRAM

Основные параметры

Организация: Слов,K 512
Организация: Разрядов,бит 8
ICC,мА 50
ICC(STB),мкА 5000
Время
выборки
,нс
100
VCC от 3 до 3.6
TA,°C от -40 до 85
Корпус PBGA-256

Общее описание

DS3050W состоит из статического ОЗУ, контроллера энергонезависимости, Y2K- совместимых часов реального времени (RTC) и встроенного перезаряжающегося литий-марганцевого аккумулятора. Эти компоненты упакованы в 256 контактный BGA корпус для поверхностного монтажа. После подачи напряжения питания VCC, модуль осуществляет подзарядку аккумулятора, запитывает RTC и SRAM от внешнего источника питания и разрешает изменение содержимого регистров RTC и SRAM. При выходе VCC за допустимые пределы, контроллер энергонезависимости устанавливает защиту от записи для RTC и SRAM и запитывает их от встроенного аккумулятора. Также DS3050W имеет выход монитора напряжения питания (RST) и программируемый пользователем выход прерывания (IRQ/FT).

Datasheet
 
DS3050W (278.3 Кб), 04.05.2008

Производитель
 

Где купить
 


Дистрибуторы

Дилеры

Где купить ещё

Datasheet

DS3050W Однокристальная энергонезависимая SRAM объемом 4Мб, наппряжением 3.3В и встроенным RTC (278.3 Кб), 04.05.2008




Автор документа: Жанна Свирина, http://www.gaw.ru
Кол-во просмотров: 1252
Дата публикации: 04.05.2008 14:28
Дата редактирования: 10.07.2008 08:55


подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019