Компоненты группы NVSRAM

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Организация: Слов (K)
Организация: Разрядов (бит)
ICC(STB) (мкА)
ICC (мА)
Время
выборки (нс)
VCC (В) От до
TA (°C) От до
Корпус
Страницы: 1 2 3 4 5 ... 7 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Организация ICC(STB)
мкА
ICC
мА
Время
выборки
нс
VCC
В
TA
°C
Корпус
Слов
K
Разрядов
бит
                         
DS2070W Энергонезависимая SRAM объемом 16Мб и напряжением 3.3В Maxim Integrated NVSRAM
2048 8 5000 50 100 3 ... 3.6 -40 ... 85 PBGA-256
DS1258Y Энергонезависимая SRAM емкостью 128Кx16 Maxim Integrated NVSRAM
128 16 300 170 70 4.5 ... 5.5 -40 ... 85 MOD-40
DS1258AB Энергонезависимая SRAM емкостью 128Кx16 Maxim Integrated NVSRAM
128 16 300 170 70 4.75 ... 5.25 -40 ... 85 MOD-40
DS1250Y Энергонезависимая SRAM емкостью 4096Кб Maxim Integrated NVSRAM
512 8 150 85 70 4.5 ... 5.5 -40 ... 85 MOD-32
PCM-34
DS1250AB Энергонезависимая SRAM емкостью 4096Кб Maxim Integrated NVSRAM
512 8 150 85 70 4.75 ... 5.25 -40 ... 85 MOD-32
PCM-34
M48Z512AV Энергонезависимая SRAM объемом 4Мб с функцией долговременного хранения данных STMicroelectronics NVSRAM
512 8 3000 50 85 3 ... 3.6 -40 ... 85 PMDIP-32
DS1249Y Энергонезависимая SRAM емкостью 2048Кб Maxim Integrated NVSRAM
256 8 150 85 70 4.5 ... 5.5 -40 ... 85 MOD-32
M48Z512AY Энергонезависимая SRAM объемом 4Мб с функцией долговременного хранения данных STMicroelectronics NVSRAM
512 8 5000 115 70 4.5 ... 5.5 -40 ... 85 PMDIP-32
DS1249AB Энергонезависимая SRAM емкостью 2048Кб Maxim Integrated NVSRAM
256 8 150 85 70 4.75 ... 5.25 -40 ... 85 MOD-32
CY14V101PS Быстродействующее энергонезависимое статическое ОЗУ (nvSRAM) ёмкостью 1 Мбит с 4-проводным SPI-интерфейсом и встроенными часами реального времени (RTC) Cypress NVSRAM
128 8 150 1 5 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 SOIC-16
M48Z512A Энергонезависимая SRAM объемом 4Мб с функцией долговременного хранения данных STMicroelectronics NVSRAM
512 8 5000 115 70 4.75 ... 5.5 -40 ... 85 PMDIP-32
DS1245Y Энергонезависимая SRAM емкостью 1024Кб Maxim Integrated NVSRAM
128 8 150 85 70 4.5 ... 5.5 -40 ... 85 MOD-32
PCM-34
CY14V101QS Быстродействующее энергонезависимое статическое ОЗУ (nvSRAM) ёмкостью 1 Мбит с 4-проводным SPI-интерфейсом Cypress NVSRAM
128 8 150 1 5 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 SOIC-16
DS1245AB Энергонезависимая SRAM емкостью 1024Кб Maxim Integrated NVSRAM
128 8 150 85 70 4.75 ... 5.25 -40 ... 85 MOD-32
PCM-34
DS1557W Энергонезависимая SRAM объемом 4Мб с Y2K-совместимыми часами реального времени Maxim Integrated NVSRAM
512 8 4000 30 120 3 ... 3.6 -40 ... 85 PCM-34
DS1230Y Энергонезависимая SRAM емкостью 256Кб Maxim Integrated NVSRAM
32 8 150 85 70 4.5 ... 5.5 -40 ... 85 MOD-28
PCM-34
DS1554W Энергонезависимая SRAM объемом 256Кб с Y2K-совместимыми часами реального времени Maxim Integrated NVSRAM
32 8 4000 30 120 3 ... 3.6 -40 ... 85 MOD-32
PCM-34
DS1251W Энергонезависимая SRAM емкостью 4096Кбит со скрытыми часами реального времени Maxim Integrated NVSRAM
512 8 3000 50 120 3 ... 3.6 -40 ... 85 MOD-32
PCM-34
DS1251Y Энергонезависимая SRAM емкостью 4096Кбит со скрытыми часами реального времени Maxim Integrated NVSRAM
512 8 5000 85 70 4.5 ... 5.5 -40 ... 85 MOD-32
PCM-34
DS1230AB Энергонезависимая SRAM емкостью 256Кб Maxim Integrated NVSRAM
32 8 150 85 70 4.75 ... 5.25 -40 ... 85 MOD-28
PCM-34
Страницы: 1 2 3 4 5 ... 7 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019