Компоненты группы NVSRAM

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Организация: Слов (K)
Организация: Разрядов (бит)
ICC(STB) (мкА)
ICC (мА)
Время
выборки (нс)
VCC (В) От до
TA (°C) От до
Корпус
Страницы: 1 2 3 4 5 ... 7 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Организация ICC(STB)
мкА
ICC
мА
Время
выборки
нс
VCC
В
TA
°C
Корпус
Слов
K
Разрядов
бит
                         
DS2070W Энергонезависимая SRAM объемом 16Мб и напряжением 3.3В Maxim Integrated NVSRAM
2048 8 5000 50 100 3 ... 3.6 -40 ... 85 PBGA-256
DS1254W Энергонезависимая SRAM 2Мх8 со скрытыми часами реального времени Maxim Integrated NVSRAM
2048 8 3000 50 150 3 ... 3.7 0 ... 70 BGA-168
DS1254Y Энергонезависимая SRAM 2Мх8 со скрытыми часами реального времени Maxim Integrated NVSRAM
2048 8 5000 85 100 4.5 ... 5.5 0 ... 70 BGA-168
M48Z2M1Y Энергонезависимая SRAM объемом 16Мб с функцией долговременного хранения данных STMicroelectronics NVSRAM
2048 8 8000 140 70 4.5 ... 5.5 0 ... 70 PLDIP-36
M48Z2M1V Энергонезависимая SRAM объемом 16Мб с функцией долговременного хранения данных STMicroelectronics NVSRAM
2048 8 1000 70 85 3 ... 3.6 0 ... 70 PLDIP-36
DS1270W Энергонезависимая SRAM емкостью 16 Мбит с напряжением питания 3,3В Maxim Integrated NVSRAM
2048 8 200 50 100 3 ... 3.6 -40 ... 85 MOD-36
DS1270Y Энергонезависимая SRAM емкостью 16Мб Maxim Integrated NVSRAM
2048 8 250 85 70 4.5 ... 5.5 -40 ... 85 MOD-36
DS1270AB Энергонезависимая SRAM емкостью 16Мб Maxim Integrated NVSRAM
2048 8 250 85 70 4.75 ... 5.25 -40 ... 85 MOD-36
DS3070W Энергонезависимая SRAM объемом 16Мб и напряжением 3.3В и встроенным RTC Maxim Integrated NVSRAM
2048 8 5000 50 100 3 ... 3.6 -40 ... 85 PBGA-256
DS1265W Энергонезависимая SRAM емкостью 8 Мб с напряжением питания 3,3 В Maxim Integrated NVSRAM
1024 8 150 50 100 3 ... 3.6 -40 ... 85 MOD-36
M440T1MV Энергонезависимая SRAM объемом 32Мб с функцией хранения реального времени STMicroelectronics NVSRAM
1024 32 3000 210 85 3 ... 3.6 -15 ... 75 PBGA-168
DS2065W Однокристальная энергонезависимая SRAM объемом 8Мб и напряжением 3.3В Maxim Integrated NVSRAM
1024 8 5000 50 100 3 ... 3.6 -40 ... 85 PBGA-256
DS3065W Энергонезависимая SRAM объемом 8Мб, напряжением 3.3В и встроенным RTC Maxim Integrated NVSRAM
1024 8 5000 50 100 3 ... 3.6 -40 ... 85 PBGA-256
DS1265Y Энергонезависимая SRAM емкостью 8Мб Maxim Integrated NVSRAM
1024 8 200 85 70 4.5 ... 5.5 -40 ... 85 MOD-36
DS1265AB Энергонезависимая SRAM емкостью 8Мб Maxim Integrated NVSRAM
1024 8 200 85 70 4.75 ... 5.25 -40 ... 85 MOD-36
DS1250Y Энергонезависимая SRAM емкостью 4096Кб Maxim Integrated NVSRAM
512 8 150 85 70 4.5 ... 5.5 -40 ... 85 MOD-32
PCM-34
DS1250AB Энергонезависимая SRAM емкостью 4096Кб Maxim Integrated NVSRAM
512 8 150 85 70 4.75 ... 5.25 -40 ... 85 MOD-32
PCM-34
M48Z512AV Энергонезависимая SRAM объемом 4Мб с функцией долговременного хранения данных STMicroelectronics NVSRAM
512 8 3000 50 85 3 ... 3.6 -40 ... 85 PMDIP-32
M48Z512AY Энергонезависимая SRAM объемом 4Мб с функцией долговременного хранения данных STMicroelectronics NVSRAM
512 8 5000 115 70 4.5 ... 5.5 -40 ... 85 PMDIP-32
M48Z512A Энергонезависимая SRAM объемом 4Мб с функцией долговременного хранения данных STMicroelectronics NVSRAM
512 8 5000 115 70 4.75 ... 5.5 -40 ... 85 PMDIP-32
Страницы: 1 2 3 4 5 ... 7 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019