Компоненты группы NVSRAM
Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Организация | ICC(STB) мкА |
ICC мА |
Время выборки нс |
VCC В |
TA °C |
Корпус | ||
Слов K |
Разрядов бит |
|||||||||||
DS2070W | Энергонезависимая SRAM объемом 16Мб и напряжением 3.3В | Maxim Integrated |
NVSRAM |
2048 | 8 | 5000 | 50 | 100 | 3 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
|
DS1254W | Энергонезависимая SRAM 2Мх8 со скрытыми часами реального времени | Maxim Integrated |
NVSRAM |
2048 | 8 | 3000 | 50 | 150 | 3 ... 3.7 | 0 ... 70 |
|
|
DS1254Y | Энергонезависимая SRAM 2Мх8 со скрытыми часами реального времени | Maxim Integrated |
NVSRAM |
2048 | 8 | 5000 | 85 | 100 | 4.5 ... 5.5 | 0 ... 70 |
|
|
M48Z2M1Y | Энергонезависимая SRAM объемом 16Мб с функцией долговременного хранения данных | STMicroelectronics |
NVSRAM |
2048 | 8 | 8000 | 140 | 70 | 4.5 ... 5.5 | 0 ... 70 |
|
|
M48Z2M1V | Энергонезависимая SRAM объемом 16Мб с функцией долговременного хранения данных | STMicroelectronics |
NVSRAM |
2048 | 8 | 1000 | 70 | 85 | 3 ... 3.6 | 0 ... 70 |
|
|
DS1270W | Энергонезависимая SRAM емкостью 16 Мбит с напряжением питания 3,3В | Maxim Integrated |
NVSRAM |
2048 | 8 | 200 | 50 | 100 | 3 ... 3.6 | -40 ... 85 |
MOD-36 |
|
DS1270Y | Энергонезависимая SRAM емкостью 16Мб | Maxim Integrated |
NVSRAM |
2048 | 8 | 250 | 85 | 70 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
MOD-36 |
|
DS1270AB | Энергонезависимая SRAM емкостью 16Мб | Maxim Integrated |
NVSRAM |
2048 | 8 | 250 | 85 | 70 | 4.75 ... 5.25 | -40 ... 85 |
MOD-36 |
|
DS3070W | Энергонезависимая SRAM объемом 16Мб и напряжением 3.3В и встроенным RTC | Maxim Integrated |
NVSRAM |
2048 | 8 | 5000 | 50 | 100 | 3 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
|
DS1265W | Энергонезависимая SRAM емкостью 8 Мб с напряжением питания 3,3 В | Maxim Integrated |
NVSRAM |
1024 | 8 | 150 | 50 | 100 | 3 ... 3.6 | -40 ... 85 |
MOD-36 |
|
M440T1MV | Энергонезависимая SRAM объемом 32Мб с функцией хранения реального времени | STMicroelectronics |
NVSRAM |
1024 | 32 | 3000 | 210 | 85 | 3 ... 3.6 | -15 ... 75 |
|
|
DS2065W | Однокристальная энергонезависимая SRAM объемом 8Мб и напряжением 3.3В | Maxim Integrated |
NVSRAM |
1024 | 8 | 5000 | 50 | 100 | 3 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
|
DS3065W | Энергонезависимая SRAM объемом 8Мб, напряжением 3.3В и встроенным RTC | Maxim Integrated |
NVSRAM |
1024 | 8 | 5000 | 50 | 100 | 3 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
|
DS1265Y | Энергонезависимая SRAM емкостью 8Мб | Maxim Integrated |
NVSRAM |
1024 | 8 | 200 | 85 | 70 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
MOD-36 |
|
DS1265AB | Энергонезависимая SRAM емкостью 8Мб | Maxim Integrated |
NVSRAM |
1024 | 8 | 200 | 85 | 70 | 4.75 ... 5.25 | -40 ... 85 |
MOD-36 |
|
DS1250Y | Энергонезависимая SRAM емкостью 4096Кб | Maxim Integrated |
NVSRAM |
512 | 8 | 150 | 85 | 70 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
MOD-32 PCM-34 |
|
DS1250AB | Энергонезависимая SRAM емкостью 4096Кб | Maxim Integrated |
NVSRAM |
512 | 8 | 150 | 85 | 70 | 4.75 ... 5.25 | -40 ... 85 |
MOD-32 PCM-34 |
|
M48Z512AV | Энергонезависимая SRAM объемом 4Мб с функцией долговременного хранения данных | STMicroelectronics |
NVSRAM |
512 | 8 | 3000 | 50 | 85 | 3 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
|
M48Z512AY | Энергонезависимая SRAM объемом 4Мб с функцией долговременного хранения данных | STMicroelectronics |
NVSRAM |
512 | 8 | 5000 | 115 | 70 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
|
M48Z512A | Энергонезависимая SRAM объемом 4Мб с функцией долговременного хранения данных | STMicroelectronics |
NVSRAM |
512 | 8 | 5000 | 115 | 70 | 4.75 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|