+ DS3070W, Энергонезависимая SRAM объемом 16Мб и напряжением 3.3В и встроенным RTC
 

Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

DS3070W Энергонезависимая SRAM объемом 16Мб и напряжением 3.3В и встроенным RTC

 

Блок-схема

DS3070W, Энергонезависимая SRAM объемом 16Мб и напряжением 3.3В и встроенным RTC
Увеличить

Группа компонентов

NVSRAM

Основные параметры

Организация: Слов,K 2048
Организация: Разрядов,бит 8
ICC,мА 50
ICC(STB),мкА 5000
Время
выборки,нс		 100
VCC,В от 3 до 3.6
TA,°C от -40 до 85
Корпус PBGA-256

Общее описание
Datasheet
 
DS3070W (276.1 Кб), 04.05.2008

Производитель
 

Где купить
 


Дистрибуторы

Дилеры

Где купить ещё

Datasheet

DS3070W Энергонезависимая SRAM объемом 16Мб и напряжением 3.3В со встроенным RTC (276.1 Кб), 04.05.2008



Автор документа: Жанна Свирина, http://www.gaw.ru
 Кол-во просмотров: 1351 		Дата публикации: 04.05.2008 13:51
Дата редактирования: 10.07.2008 08:57

подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники