Компоненты группы NVSRAM

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Организация: Слов (K)
Организация: Разрядов (бит)
ICC(STB) (мкА)
ICC (мА)
Время
выборки (нс)
VCC (В) От до
TA (°C) От до
Корпус
Страницы: 1 2 3 4 5 ... 7 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Организация ICC(STB)
мкА
ICC
мА
Время
выборки
нс
VCC
В
TA
°C
Корпус
Слов
K
Разрядов
бит
                         
DS2227 Энергонезависимая SRAM с гибкой архитектурой: 128k x 32; 256k x 16; 512k x 8 Maxim Integrated NVSRAM
512 8 - 280 70 4.5 ... 5.5 0 ... 70 SIMM-72
M440T1MV Энергонезависимая SRAM объемом 32Мб с функцией хранения реального времени STMicroelectronics NVSRAM
1024 32 3000 210 85 3 ... 3.6 -15 ... 75 PBGA-168
DS1258Y Энергонезависимая SRAM емкостью 128Кx16 Maxim Integrated NVSRAM
128 16 300 170 70 4.5 ... 5.5 -40 ... 85 MOD-40
DS1258AB Энергонезависимая SRAM емкостью 128Кx16 Maxim Integrated NVSRAM
128 16 300 170 70 4.75 ... 5.25 -40 ... 85 MOD-40
M48Z2M1Y Энергонезависимая SRAM объемом 16Мб с функцией долговременного хранения данных STMicroelectronics NVSRAM
2048 8 8000 140 70 4.5 ... 5.5 0 ... 70 PLDIP-36
M48Z512AY Энергонезависимая SRAM объемом 4Мб с функцией долговременного хранения данных STMicroelectronics NVSRAM
512 8 5000 115 70 4.5 ... 5.5 -40 ... 85 PMDIP-32
M48Z512A Энергонезависимая SRAM объемом 4Мб с функцией долговременного хранения данных STMicroelectronics NVSRAM
512 8 5000 115 70 4.75 ... 5.5 -40 ... 85 PMDIP-32
M48T512Y Энергонезависимая SRAM объемом 4Мб с функцией хранения реального времени STMicroelectronics NVSRAM
512 8 4000 115 70 4.5 ... 5.5 0 ... 70 PMDIP-32
M48Z128Y Энергонезависимая SRAM объемом 1Мб с функцией долговременного хранения данных STMicroelectronics NVSRAM
128 8 4000 105 70 4.5 ... 5.5 0 ... 70 PMDIP-32
M48Z128 Энергонезависимая SRAM объемом 1Мб с функцией долговременного хранения данных STMicroelectronics NVSRAM
128 8 4000 105 70 4.75 ... 5.5 0 ... 70 PMDIP-32
DS1258W Энергонезависимая SRAM емкостью 128Кx16 и напряжением питания 3.3В Maxim Integrated NVSRAM
128 16 250 100 100 3 ... 3.6 -40 ... 85 MOD-40
M48T128Y Энергонезависимая SRAM объемом 1Мб с функцией хранения реального времени STMicroelectronics NVSRAM
128 8 4000 95 70 4.5 ... 5.5 0 ... 70 PMDIP-32
M48Z129Y Энергонезависимая SRAM объемом 1Мб с функцией долговременного хранения данных STMicroelectronics NVSRAM
128 8 4000 95 70 4.5 ... 5.5 0 ... 70 PMDIP-32
M48T129Y Энергонезависимая SRAM объемом 1Мб с функцией хранения реального времени STMicroelectronics NVSRAM
128 8 4000 95 70 4.5 ... 5.5 0 ... 70 PMDIP-32
DS1557 Энергонезависимая SRAM объемом 4Мб с Y2K-совместимыми часами реального времени Maxim Integrated NVSRAM
512 8 6000 90 70 4.5 ... 5.5 -40 ... 85 PCM-34
DS1250Y Энергонезависимая SRAM емкостью 4096Кб Maxim Integrated NVSRAM
512 8 150 85 70 4.5 ... 5.5 -40 ... 85 MOD-32
PCM-34
DS1250AB Энергонезависимая SRAM емкостью 4096Кб Maxim Integrated NVSRAM
512 8 150 85 70 4.75 ... 5.25 -40 ... 85 MOD-32
PCM-34
DS1249Y Энергонезависимая SRAM емкостью 2048Кб Maxim Integrated NVSRAM
256 8 150 85 70 4.5 ... 5.5 -40 ... 85 MOD-32
DS1249AB Энергонезависимая SRAM емкостью 2048Кб Maxim Integrated NVSRAM
256 8 150 85 70 4.75 ... 5.25 -40 ... 85 MOD-32
DS1245Y Энергонезависимая SRAM емкостью 1024Кб Maxim Integrated NVSRAM
128 8 150 85 70 4.5 ... 5.5 -40 ... 85 MOD-32
PCM-34
Страницы: 1 2 3 4 5 ... 7 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019