+ DS3065W, Энергонезависимая SRAM объемом 8Мб, напряжением 3.3В и встроенным RTC
 

DS3065W Энергонезависимая SRAM объемом 8Мб, напряжением 3.3В и встроенным RTC

 

Блок-схема

DS3065W, Энергонезависимая SRAM объемом 8Мб, напряжением 3.3В и встроенным RTC
Увеличить

Группа компонентов

NVSRAM

Основные параметры

Организация: Слов,K 1024
Организация: Разрядов,бит 8
ICC,мА 50
ICC(STB),мкА 5000
Время
выборки
,нс
100
VCC от 3 до 3.6
TA,°C от -40 до 85
Корпус PBGA-256

Общее описание

DS3065W состоит из статического ОЗУ, контроллера энергонезависимости, Y2K- совместимых часов реального времени (RTC) и встроенного перезаряжающегося литий-марганцевого аккумулятора. Эти компоненты упакованы в 256 контактный BGA корпус для поверхностного монтажа. После подачи напряжения питания VCC, модуль осуществляет подзарядку аккумулятора, запитывает RTC и SRAM от внешнего источника питания и разрешает изменение содержимого регистров RTC и SRAM. При выходе VCC за допустимые пределы, контроллер энергонезависимости устанавливает защиту от записи для RTC и SRAM и запитывает их от встроенного аккумулятора. Также DS3065W имеет выход монитора напряжения питания (RST) и программируемый пользователем выход прерывания (IRQ/FT).

Datasheet
 
DS3065W (279.1 Кб), 04.05.2008

Производитель
 

Где купить
 


Дистрибуторы

Дилеры

Где купить ещё

Datasheet

DS3065W Однокристальная 3.3В 8МБ энергонезависимая SRAM со встроенным RTC (279.1 Кб), 04.05.2008




Автор документа: Жанна Свирина, http://www.gaw.ru
Кол-во просмотров: 1684
Дата публикации: 04.05.2008 14:38
Дата редактирования: 10.07.2008 08:56


подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019