Компоненты группы NVSRAM
| Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Организация | ICC(STB) мкА |
ICC мА |
Время выборки нс |
VCC В |
TA °C |
Корпус | ||
| Слов K |
Разрядов бит |
|||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
| CY14V101QS | Быстродействующее энергонезависимое статическое ОЗУ (nvSRAM) ёмкостью 1 Мбит с 4-проводным SPI-интерфейсом |
|
Cypress |
NVSRAM |
128 | 8 | 150 | 1 | 5 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
SOIC-16 |
| CY14V101PS | Быстродействующее энергонезависимое статическое ОЗУ (nvSRAM) ёмкостью 1 Мбит с 4-проводным SPI-интерфейсом и встроенными часами реального времени (RTC) |
|
Cypress |
NVSRAM |
128 | 8 | 150 | 1 | 5 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
SOIC-16 |
| M48T37V | Энергонезависимая SRAM объемом 256Кб с функцией хранения реального времени |
|
STMicroelectronics |
NVSRAM |
32 | 8 | 2000 | 33 | 100 | 3 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| M48Z32V | Энергонезависимая SRAM объемом 256Кб с функцией долговременного хранения данных |
|
STMicroelectronics |
NVSRAM |
32 | 8 | 500 | 45 | 35 | 3 ... 3.6 | 0 ... 70 |
|
| M48T37Y | Энергонезависимая SRAM объемом 256Кб с функцией хранения реального времени |
|
STMicroelectronics |
NVSRAM |
32 | 8 | 3000 | 50 | 70 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
| M48Z35AV | Энергонезависимая SRAM объемом 256Кб с функцией долговременного хранения данных |
|
STMicroelectronics |
NVSRAM |
32 | 8 | 3000 | 50 | 100 | 3 ... 3.6 | 0 ... 70 |
PCDIP-28 SOH-28 |
| M48T08Y | Энергонезависимая SRAM объемом 64Кб с функцией хранения реального времени |
|
STMicroelectronics |
NVSRAM |
8 | 8 | 3000 | 80 | 100 | 4.5 ... 5.5 | 0 ... 70 |
SOH-28 |
| M48T35Y | Энергонезависимая SRAM объемом 256Кб с функцией хранения реального времени |
|
STMicroelectronics |
NVSRAM |
32 | 8 | 2000 | 30 | 70 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
PCDIP-28 SOH-28 |
| M48Z35Y | Энергонезависимая SRAM объемом 256Кб с функцией долговременного хранения данных |
|
STMicroelectronics |
NVSRAM |
32 | 8 | 3000 | 50 | 70 | 4.5 ... 5.5 | 0 ... 70 |
PCDIP-28 SOH-28 |
| M48T58Y | Энергонезависимая SRAM объемом 64Кб с функцией хранения реального времени |
|
STMicroelectronics |
NVSRAM |
8 | 8 | 3000 | 50 | 70 | 4.5 ... 5.5 | 0 ... 70 |
PCDIP-28 SOH-28 |
| M48Z58Y | Энергонезависимая SRAM объемом 64Кб с функцией долговременного хранения данных |
|
STMicroelectronics |
NVSRAM |
8 | 8 | 3000 | 50 | 70 | 4.5 ... 5.5 | 0 ... 70 |
PCDIP-28 SOH-28 |
| M48T35AV | Энергонезависимая SRAM объемом 256Кб с функцией хранения реального времени |
|
STMicroelectronics |
NVSRAM |
32 | 8 | 2000 | 30 | 100 | 3 ... 3.6 | 0 ... 70 |
PCDIP-28 SOH-28 |
| DS2227 | Энергонезависимая SRAM с гибкой архитектурой: 128k x 32; 256k x 16; 512k x 8 |
|
Maxim Integrated |
NVSRAM |
512 | 8 | - | 280 | 70 | 4.5 ... 5.5 | 0 ... 70 |
|
| M48Z128 | Энергонезависимая SRAM объемом 1Мб с функцией долговременного хранения данных |
|
STMicroelectronics |
NVSRAM |
128 | 8 | 4000 | 105 | 70 | 4.75 ... 5.5 | 0 ... 70 |
|
| M48Z128Y | Энергонезависимая SRAM объемом 1Мб с функцией долговременного хранения данных |
|
STMicroelectronics |
NVSRAM |
128 | 8 | 4000 | 105 | 70 | 4.5 ... 5.5 | 0 ... 70 |
|
| M48Z128V | Энергонезависимая SRAM объемом 1Мб с функцией долговременного хранения данных |
|
STMicroelectronics |
NVSRAM |
128 | 8 | 3000 | 50 | 85 | 3 ... 3.6 | 0 ... 70 |
|
| M48T512Y | Энергонезависимая SRAM объемом 4Мб с функцией хранения реального времени |
|
STMicroelectronics |
NVSRAM |
512 | 8 | 4000 | 115 | 70 | 4.5 ... 5.5 | 0 ... 70 |
|
| M48Z512A | Энергонезависимая SRAM объемом 4Мб с функцией долговременного хранения данных |
|
STMicroelectronics |
NVSRAM |
512 | 8 | 5000 | 115 | 70 | 4.75 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
| M48T128Y | Энергонезависимая SRAM объемом 1Мб с функцией хранения реального времени |
|
STMicroelectronics |
NVSRAM |
128 | 8 | 4000 | 95 | 70 | 4.5 ... 5.5 | 0 ... 70 |
|
| M48Z129V | Энергонезависимая SRAM объемом 1Мб с функцией долговременного хранения данных |
|
STMicroelectronics |
NVSRAM |
128 | 8 | 3000 | 50 | 85 | 3 ... 3.6 | 0 ... 70 |
|
