Компоненты группы NVSRAM
Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Организация | ICC(STB) мкА |
ICC мА |
Время выборки нс |
VCC В |
TA °C |
Корпус | ||
Слов K |
Разрядов бит |
|||||||||||
DS2070W | Энергонезависимая SRAM объемом 16Мб и напряжением 3.3В | Maxim Integrated |
NVSRAM |
2048 | 8 | 5000 | 50 | 100 | 3 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
|
M48Z58Y | Энергонезависимая SRAM объемом 64Кб с функцией долговременного хранения данных | STMicroelectronics |
NVSRAM |
8 | 8 | 3000 | 50 | 70 | 4.5 ... 5.5 | 0 ... 70 |
PCDIP-28 SOH-28 |
|
M48T128V | Энергонезависимая SRAM объемом 1Мб с функцией хранения реального времени | STMicroelectronics |
NVSRAM |
128 | 8 | 3000 | 50 | 85 | 3 ... 3.6 | 0 ... 70 |
|
|
M48Z58 | Энергонезависимая SRAM объемом 64Кб с функцией долговременного хранения данных | STMicroelectronics |
NVSRAM |
8 | 8 | 3000 | 50 | 70 | 4.75 ... 5.5 | 0 ... 70 |
PCDIP-28 |
|
M48T128Y | Энергонезависимая SRAM объемом 1Мб с функцией хранения реального времени | STMicroelectronics |
NVSRAM |
128 | 8 | 4000 | 95 | 70 | 4.5 ... 5.5 | 0 ... 70 |
|
|
M48Z35AV | Энергонезависимая SRAM объемом 256Кб с функцией долговременного хранения данных | STMicroelectronics |
NVSRAM |
32 | 8 | 3000 | 50 | 100 | 3 ... 3.6 | 0 ... 70 |
PCDIP-28 SOH-28 |
|
DS1250Y | Энергонезависимая SRAM емкостью 4096Кб | Maxim Integrated |
NVSRAM |
512 | 8 | 150 | 85 | 70 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
MOD-32 PCM-34 |
|
M48T18 | Энергонезависимая SRAM объемом 64Кб с функцией хранения реального времени | STMicroelectronics |
NVSRAM |
8 | 8 | 3000 | 80 | 100 | 4.5 ... 5.5 | 0 ... 70 |
PCDIP-28 |
|
DS1250AB | Энергонезависимая SRAM емкостью 4096Кб | Maxim Integrated |
NVSRAM |
512 | 8 | 150 | 85 | 70 | 4.75 ... 5.25 | -40 ... 85 |
MOD-32 PCM-34 |
|
M48T08Y | Энергонезависимая SRAM объемом 64Кб с функцией хранения реального времени | STMicroelectronics |
NVSRAM |
8 | 8 | 3000 | 80 | 100 | 4.5 ... 5.5 | 0 ... 70 |
SOH-28 |
|
M48Z512AV | Энергонезависимая SRAM объемом 4Мб с функцией долговременного хранения данных | STMicroelectronics |
NVSRAM |
512 | 8 | 3000 | 50 | 85 | 3 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
|
DS1249Y | Энергонезависимая SRAM емкостью 2048Кб | Maxim Integrated |
NVSRAM |
256 | 8 | 150 | 85 | 70 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
MOD-32 |
|
M48T08 | Энергонезависимая SRAM объемом 64Кб с функцией хранения реального времени | STMicroelectronics |
NVSRAM |
8 | 8 | 3000 | 80 | 100 | 4.75 ... 5.5 | 0 ... 70 |
PCDIP-28 |
|
M48Z512AY | Энергонезависимая SRAM объемом 4Мб с функцией долговременного хранения данных | STMicroelectronics |
NVSRAM |
512 | 8 | 5000 | 115 | 70 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
|
DS1249AB | Энергонезависимая SRAM емкостью 2048Кб | Maxim Integrated |
NVSRAM |
256 | 8 | 150 | 85 | 70 | 4.75 ... 5.25 | -40 ... 85 |
MOD-32 |
|
CY14V101PS | Быстродействующее энергонезависимое статическое ОЗУ (nvSRAM) ёмкостью 1 Мбит с 4-проводным SPI-интерфейсом и встроенными часами реального времени (RTC) | Cypress |
NVSRAM |
128 | 8 | 150 | 1 | 5 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
SOIC-16 |
|
M48T12 | Энергонезависимая SRAM объемом 16Кб с функцией хранения реального времени | STMicroelectronics |
NVSRAM |
2 | 8 | 3000 | 80 | 70 | 4.5 ... 5.5 | 0 ... 70 |
|
|
M48Z512A | Энергонезависимая SRAM объемом 4Мб с функцией долговременного хранения данных | STMicroelectronics |
NVSRAM |
512 | 8 | 5000 | 115 | 70 | 4.75 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
|
DS1245Y | Энергонезависимая SRAM емкостью 1024Кб | Maxim Integrated |
NVSRAM |
128 | 8 | 150 | 85 | 70 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
MOD-32 PCM-34 |
|
CY14V101QS | Быстродействующее энергонезависимое статическое ОЗУ (nvSRAM) ёмкостью 1 Мбит с 4-проводным SPI-интерфейсом | Cypress |
NVSRAM |
128 | 8 | 150 | 1 | 5 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
SOIC-16 |