Компоненты группы Память
Важно!Имейте в виду, что при выборе Группы компонентов вам будет доступно больше параметров для поиска |
| Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Организация | VCC В |
TA °C |
Корпус | ||
| Слов K |
Разрядов бит |
||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
||
| AT34C02C Automotive | 2-х проводная SEEPROM с постоянной и обратимой программной защитой записи и объемом памяти 2К |
|
Atmel Corporation |
SEEPROM |
2 | 8 | 2.5 ... 5.5 | -40 ... 125 |
SOIC-8 |
| EV2A16AM | 256K x 16 бит, 3.3 Вольт, асинхронная магниторезистивная RAM (MRAM) память |
|
e2v |
MRAM |
256 | 16 | 3 ... 3.6 | -55 ... 125 |
|
| CY62137FV30 | Статическая память объемом 2Mb |
|
Cypress |
Low Power SRAM |
128 | 16 | 2.2 ... 3.6 | -40 ... 125 |
|
| A63L06361 | Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ 1Мх36 |
|
AMIC Technology |
High Speed SRAM |
1024 | 36 | 3.135 ... 3.465 | -45 ... 125 |
LQFP-100 |
| AT24HC02B Automotive | 2-х проводная SEEPROM с расширенным температурным диапазоном и объемом памяти 2К |
|
Atmel Corporation |
SEEPROM |
2 | 8 | 2.5 ... 5.5 | -40 ... 125 |
SOIC-8 |
| IS65C256AL | Малопотребляющее асинхронное статическое ОЗУ 32Кх8 |
|
ISSI |
Low Power SRAM |
32 | 8 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 125 |
|
| IS64WV20488ALL | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 2Мх8 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
2048 | 8 | 2.4 ... 3.6 | -40 ... 125 |
|
| MR256A08BM | Быстродействующая энергонезависимая магниторезистивная память MRAM, объемом 32К х 8 бит |
|
Everspin Technologies |
MRAM |
32 | 8 | 3 ... 3.6 | -40 ... 125 |
|
| IS64LV25616AL | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 256Кх16 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
256 | 16 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 125 |
|
| 1645РУ5У | Микросхема асинхронного статического ОЗУ объемом 4Мбит (512К х 8 бит) с повышенной стойкостью к воздействию специальных факторов |
|
Миландр |
Асинхронная FIFO |
- | 8 | 3 ... 5.5 | -60 ... 125 |
5134.64-6 |
| IS64WV12816BLL | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 128Кx16 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
128 | 16 | 2.5 ... 3.6 | -40 ... 125 |
|
| IS61C25616AS | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 256х16 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
256 | 16 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 125 |
|
| 5576РС1У | ПЗУ с электрическим перепрограммированием Flash-типа 4 Мбит для конфигурирования ПЛИС |
|
Миландр |
NOR Flash |
512 | 8 | 3 ... 3.6 | -60 ... 125 |
Н09.28-1В |
| CY62137CV | Статическая память объемом 2Mb |
|
Cypress |
Low Power SRAM |
128 | 16 | 2.3 ... 3.6 | -40 ... 125 |
|
| CAT24C16 | Последовательная память объемом 16Кб |
|
ON Semiconductor |
SEEPROM |
2048 | 8 | 1.7 ... 5.5 | -40 ... 125 |
DIP-8 MSOP-8 SOIC-8 TSSOP-8 |
| IS65WV12816BLL | Малопотребляющее статическое ОЗУ 128Кх16 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
128 | 16 | 2.5 ... 3.6 | -40 ... 125 |
|
| IDT7200L30TDB | Асинхронная FIFO организацией 256 x 9, 30 нс, -55°C...+125°C MIL-STD-883, Class B |
|
IDT |
Асинхронная FIFO |
- | 9 | 4.5 ... 5.5 | -55 ... 125 |
CDIP-28 |
| IS61C25616AL | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 256х16 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
256 | 16 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 125 |
|
| CY62136FV30 | Статическая память объемом 2Mb |
|
Cypress |
Low Power SRAM |
128 | 16 | 2.2 ... 3.6 | -40 ... 125 |
|
| CAT24C08 | Последовательная память объемом 8Кб |
|
ON Semiconductor |
SEEPROM |
1024 | 8 | 1.7 ... 5.5 | -40 ... 125 |
DIP-8 MSOP-8 SOIC-8 TSSOP-8 |
