+ EV2A16AM, 256K x 16 бит, 3.3 Вольт, асинхронная магниторезистивная RAM (MRAM) память
 

Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

EV2A16AM 256K x 16 бит, 3.3 Вольт, асинхронная магниторезистивная RAM (MRAM) память

 

Блок-схема

EV2A16AM, 256K x 16 бит, 3.3 Вольт, асинхронная магниторезистивная RAM (MRAM) память
Увеличить

Группа компонентов

MRAM

Основные параметры

Организация: Слов,K 256
Организация: Разрядов,бит 16
Время
выборки,нс		 35
VCC,В от 3 до 3.6
ICC(READ),мА 55
ICC(WRITE),мА 105
ICC(STB),мкА 9
TA,°C от -55 до 125
Корпус TSOPII-44

Общее описание

Отличительные особенности

  • Единое напряжение питания 3.3 В
  • Диапазон рабочих температур -55...+125°C
  • Симметричный, высокоскоростной режим записи и чтения с временен доступа 35 нс
  • Ширина шины данных 8 или 16 бит
  • Одинаковое время адресации и разрешения доступа
  • Автоматическая защита данных благодаря низковольтной схеме запрета, предотвращающей запись при падении напряжения
  • Все входы и выходы TTL-совместимы
  • Полностью статический режим работы
  • Полностью энергонезависимая память с сохранением данных минимум 20 лет
Datasheet
 
EV2A16A (203.7 Кб), 20.01.2010

Производитель
 

Где купить
 


Дистрибуторы

Дилеры

Где купить ещё

Datasheet

EV2A16A 256K x 16 бит, 3.3 Вольт, асинхронная магниторезистивная RAM (MRAM) память (203.7 Кб), 20.01.2010



Автор документа: Дмитрий Гаврилюк, http://www.gaw.ru
 Кол-во просмотров: 1327 		Дата публикации: 20.01.2010 14:51
Дата редактирования: 20.01.2010 14:52

подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники