Главная > Документация > Дискретные компоненты > Транзисторы

Компоненты группы IGBT-транзисторы

Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
V_CES (В)
Рабочий ток: I_C (А)
Рабочий ток: При T_C (°C)
V_CE(sat) (В)
t_d(on) (тип.) (нс)
t_r (тип.) (нс)
t_d(off) (тип.) (нс)
t_f (тип.) (нс)
E_ON (тип.) (мДж)
E_OFF (тип.) (мДж)
P_D (Вт)
FWD
T_A (°C)	От до
Корпус

Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 ... 50 следующая

Название	Описание	PDF	Производитель	Группа компонент	V_CES В	Рабочий ток		V_CE(sat) В	t_d(on) (тип.) нс	t_r (тип.) нс	t_d(off) (тип.) нс	t_f (тип.) нс	E_ON (тип.) мДж	E_OFF (тип.) мДж	P_D Вт	FWD	T_A °C	Корпус
Название	Описание	PDF	Производитель	Группа компонент	V_CES В	I_C А	При T_C °C	V_CE(sat) В	t_d(on) (тип.) нс	t_r (тип.) нс	t_d(off) (тип.) нс	t_f (тип.) нс	E_ON (тип.) мДж	E_OFF (тип.) мДж	P_D Вт	FWD	T_A °C	Корпус

IXXK200N60B3	IGBT-транзистор, 600 В, 200 А, технология XPT (Extreme Light Punch Through), частота коммутации 10...30 кГц		IXYS	IGBT	600	200	110	1.4	46	94	180	215	4.4	3.45	1630	Нет	-55 ... 175	TO-264
IXXX200N60C3	IGBT-транзистор, 600 В, 200 А, технология XPT (Extreme Light Punch Through), частота коммутации 20...60 кГц		IXYS	IGBT	600	200	110	1.6	47	96	150	90	4	2.1	1630	Нет	-55 ... 175	PLUS247
IXXK200N60C3	IGBT-транзистор, 600 В, 200 А, технология XPT (Extreme Light Punch Through), частота коммутации 20...60 кГц		IXYS	IGBT	600	200	110	1.6	47	96	150	90	4	2.1	1630	Нет	-55 ... 175	TO-264
IXYX120N120C3	IGBT-транзистор, 1200 В, 120 А, технология XPT (Extreme Light Punch Through), частота коммутации 20...50 кГц		IXYS	IGBT	1200	120	110	3.5	37	70	167	90	6.2	4.2	1500	Нет	-55 ... 175	PLUS247
IXYK120N120C3	IGBT-транзистор, 1200 В, 120 А, технология XPT (Extreme Light Punch Through), частота коммутации 20...50 кГц		IXYS	IGBT	1200	120	110	3.5	37	70	167	90	6.2	4.2	1500	Нет	-55 ... 175	TO-264
IXGB200N60B3	IGBT-транзистор, 600 В, 200А, частота коммутации 5...40 кГц		IXYS	IGBT	600	200	110	1.35	42	80	430	300	2.4	4.2	1250	Нет	-55 ... 150	PLUS264
IXGX82N120A3	IGBT-транзистор, 1200 В, 82А		IXYS	IGBT	1200	82	110	1.83	32	77	340	1250	6.7	22.5	1250	Нет	-55 ... 150	PLUS247
IXGK82N120A3	IGBT-транзистор, 1200 В, 82А		IXYS	IGBT	1200	82	110	1.83	32	77	340	1250	6.7	22.5	1250	Нет	-55 ... 150	TO-264
IXGX82N120B3	IGBT-транзистор, 1200 В, 82А, частота коммутации 3...20 кГц		IXYS	IGBT	1200	82	110	2.7	32	80	240	520	6.8	7.1	1250	Нет	-55 ... 150	PLUS247
IXGK82N120B3	IGBT-транзистор, 1200 В, 82А, частота коммутации 3...20 кГц		IXYS	IGBT	1200	82	110	2.7	32	80	240	520	6.8	7.1	1250	Нет	-55 ... 150	TO-264
IXXK200N65B4	IGBT-транзистор семейства GenX4™, 650 В, 200 А, технология XPT™ (Extreme Light Punch Through)		IXYS	IGBT	650	200	110	1.7	62	76	245	80	4.4	2.2	1150	Нет	-55 ... 175	TO-264
IXXX200N65B4	IGBT-транзистор семейства GenX4™, 650 В, 200 А, технология XPT™ (Extreme Light Punch Through)		IXYS	IGBT	650	200	110	1.7	62	76	245	80	4.4	2.2	1150	Нет	-55 ... 175	PLUS247
IXYH82N120C3	IGBT-транзистор, 1200 В, 82 А, технология XPT (Extreme Light Punch Through), частота коммутации 20...50 Г		IXYS	IGBT	1200	82	110	2.75	29	90	200	95	7.45	3.7	1040	Нет	-55 ... 150	TO-247AD
IXYB82N120C3H1	IGBT-транзистор, 1200 В, 82 А, технология XPT (Extreme Light Punch Through), частота коммутации 20...50 Г		IXYS	IGBT	1200	82	110	2.75	29	90	200	95	7.45	3.7	1040	Да	-55 ... 150	PLUS264
IXBK75N170	Высоковольтный IGBT транзистор 1700В, 75А с биполярной МОП-структурой (BIMOSFET)		IXYS	IGBT	1700	75	110	2.6	47	230	260	580	-	-	1040	Да	-55 ... 150	TO-264
IXBX75N170	Высоковольтный IGBT транзистор 1700В, 75А с биполярной МОП-структурой (BIMOSFET)		IXYS	IGBT	1700	75	110	2.6	47	230	260	580	-	-	1040	Да	-55 ... 150	PLUS247
IXBK75N170A	Высоковольтный IGBT транзистор 1700В, 65А с биполярной МОП-структурой (BIMOSFET)		IXYS	IGBT	1700	65	90	4.95	27	38	420	175	-	6.35	1040	Да	-55 ... 150	TO-264
IXBX75N170A	Высоковольтный IGBT транзистор 1700В, 65А с биполярной МОП-структурой (BIMOSFET)		IXYS	IGBT	1700	65	90	4.95	27	38	420	175	-	6.35	1040	Да	-55 ... 150	PLUS247
IXGX320N60A3	IGBT-транзистор, 600 В, 320А		IXYS	IGBT	600	210	110	1.05	62	67	330	1540	-	-	1000	Нет	-55 ... 150	PLUS247
IXGK320N60A3	IGBT-транзистор, 600 В, 320А		IXYS	IGBT	600	210	110	1.05	62	67	330	1540	-	-	1000	Нет	-55 ... 150	TO-264

Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 ... 50 следующая

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве

Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019

Поиск				В компонентах В документах По PDF базе По фирмам
		по всем полям Расширенный поиск