FGY120T65S_F085 IGBT-транзистор на 650 В / 120 А, выполненный по технологии Field Stop Trench, с быстровосстанавливающимся встречно-параллельным диодом
Блок-схема Увеличить Группа компонентов IGBTОсновные параметры
Общее описаниеОтличительные особенности:
Область применения:
|
Поставки и консультации: |
Datasheet
FGY120T65S_F085 IGBT-транзистор на 650 В / 120 А, выполненный по технологии Field Stop Trench, с быстровосстанавливающимся встречно-параллельным диодом (460.7 Кб), 23.11.2016Связанные документы
Новые компонентыFairchild Semiconductor: FGY120T65S_F085 — IGBT-транзистор на 650 В / 120 А, выполненный по технологии Field Stop Trench, с быстровосстанавливающимся встречно-параллельным диодом Преимуществом данного транзистора являются низкие потери проводимости и переключения, гарантирующие высокий КПД целевых приложений (3.9 Кб), 23.11.2016
Автор документа: Жанна Свирина,
|
Дата публикации: 23.11.2016 11:00 Дата редактирования: 23.11.2016 11:06 |