FGY120T65S_F085 IGBT-транзистор на 650 В / 120 А, выполненный по технологии Field Stop Trench, с быстровосстанавливающимся встречно-параллельным диодом

 

Блок-схема

FGY120T65S_F085, IGBT-транзистор на 650 В / 120 А, выполненный по технологии Field Stop Trench, с быстровосстанавливающимся встречно-параллельным диодом
Увеличить

Группа компонентов

IGBT

Основные параметры

VCES 650
Рабочий ток: IC 220
Рабочий ток: При TC,°C 100
VCE(sat) 1.85
td(on) (тип.),нс 53
tr (тип.),нс 134
td(off) (тип.),нс 102
tf (тип.),нс 115
EON (тип.),мДж 6.8
EOFF (тип.),мДж 3.5
PD,Вт 862
FWD Да
TA,°C от -55 до 175
Корпус TO-247

Общее описание

Отличительные особенности:

  • Прибор сертифицирован для автомобильного применения
  • Максимальное рабочее напряжение коллектор-эмиттер VCES: 650 В
  • Номинальный рабочий ток коллектора IC: 120 А
  • Максимально допустимый ток коллектора IC при температуре 25°C: 240 А (ограничен внутренним проводным соединением)
  • Очень низкое напряжение насыщения: VCE(sat) = 1.5 В (тип.) при токе коллектора IC = 120 А
  • Максимальная температура перехода: TJ = 175°C
  • Положительный температурный коэффициент
  • Малый разброс параметров
  • Высокое входное сопротивление
  • Все компоненты прошли динамическое тестирование
  • Устойчивость к току короткого замыкания, действующего в течение 6 мкс при температуре 25°C
  • Встроенный сверхбыстрый встречно-параллельный диод с малым временем восстановления и плавной характеристикой переключения
  • Корпус TO-247

Область применения:

  • Инверторы для управления тяговыми двигателями в транспортных средствах с электрическим и гибридным приводом
  • Вспомогательные преобразователи постоянного напряжения в переменное для автомобилей
  • Схемы управления электродвигателями
  • Другие автомобильные устройства энергообеспечения, требующие мощных силовых ключей
Datasheet
 
FGY120T65S_F085 (460.7 Кб), 23.11.2016

Производитель
 

Где купить
 

Поставки и консультации:

Дистрибуторы

Дилеры

Где купить ещё

Datasheet

FGY120T65S_F085 IGBT-транзистор на 650 В / 120 А, выполненный по технологии Field Stop Trench, с быстровосстанавливающимся встречно-параллельным диодом (460.7 Кб), 23.11.2016

Связанные документы

Новые компоненты
Fairchild Semiconductor: FGY120T65S_F085 — IGBT-транзистор на 650 В / 120 А, выполненный по технологии Field Stop Trench, с быстровосстанавливающимся встречно-параллельным диодом Преимуществом данного транзистора являются низкие потери проводимости и переключения, гарантирующие высокий КПД целевых приложений (3.9 Кб), 23.11.2016




Автор документа: Жанна Свирина, http://www.gaw.ru
Кол-во просмотров: 1161
Дата публикации: 23.11.2016 11:00
Дата редактирования: 23.11.2016 11:06


подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019