Главная > Документация > Дискретные компоненты > Транзисторы

Компоненты группы IGBT-транзисторы

Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
V_CES (В)
Рабочий ток: I_C (А)
Рабочий ток: При T_C (°C)
V_CE(sat) (В)
t_d(on) (тип.) (нс)
t_r (тип.) (нс)
t_d(off) (тип.) (нс)
t_f (тип.) (нс)
E_ON (тип.) (мДж)
E_OFF (тип.) (мДж)
P_D (Вт)
FWD
T_A (°C)	От до
Корпус

Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 ... 38 следующая

Название	Описание	PDF	Производитель	Группа компонент	V_CES В	Рабочий ток		V_CE(sat) В	t_d(on) (тип.) нс	t_r (тип.) нс	t_d(off) (тип.) нс	t_f (тип.) нс	E_ON (тип.) мДж	E_OFF (тип.) мДж	P_D Вт	FWD	T_A °C	Корпус
Название	Описание	PDF	Производитель	Группа компонент	V_CES В	I_C А	При T_C °C	V_CE(sat) В	t_d(on) (тип.) нс	t_r (тип.) нс	t_d(off) (тип.) нс	t_f (тип.) нс	E_ON (тип.) мДж	E_OFF (тип.) мДж	P_D Вт	FWD	T_A °C	Корпус

MMIX1G75N250	IGBT-транзистор высокого напряжения, 2500 В, 65А		IXYS	IGBT	2500	65	90	2.5	55	225	270	455	-	-	430	Нет	-55 ... 150	SMD
MMIX1G320N60B3	IGBT-транзистор, 600 В, 400А, частота коммутации 5...40 кГц		IXYS	IGBT	600	180	110	1.2	40	68	330	265	3.5	5.4	1000	Нет	-55 ... 150	SMD
IXYY8N90C3	IGBT-транзистор, 900 В, 8 А, технология XPT (Extreme Light Punch Through), частота коммутации 20...50 кГц		IXYS	IGBT	900	8	110	2.15	17	22	75	163	1	0.22	120	Нет	-55 ... 175	TO-252
IXYX120N120C3	IGBT-транзистор, 1200 В, 120 А, технология XPT (Extreme Light Punch Through), частота коммутации 20...50 кГц		IXYS	IGBT	1200	120	110	3.5	37	70	167	90	6.2	4.2	1500	Нет	-55 ... 175	PLUS247
IXYP8N90C3D1	IGBT-транзистор, 900 В, 8 А, технология XPT (Extreme Light Punch Through), частота коммутации 20...50 кГц		IXYS	IGBT	900	8	110	2.15	17	22	75	163	1	0.22	125	Да	-55 ... 175	TO-220
IXYP8N90C3	IGBT-транзистор, 900 В, 8 А, технология XPT (Extreme Light Punch Through), частота коммутации 20...50 кГц		IXYS	IGBT	900	8	110	2.15	17	22	75	163	1	0.22	120	Нет	-55 ... 175	TO-220
IXYP30N120C3	IGBT-транзистор, 1200 В, 30 А, технология XPT (Extreme Light Punch Through), частота коммутации 20...50 кГц		IXYS	IGBT	1200	30	110	2.9	23	62	137	88	4.6	0.9	416	Нет	-55 ... 150	TO-220
IXYN82N120C3H1	IGBT-транзистор, 1200 В, 46 А, технология XPT (Extreme Light Punch Through), частота коммутации 20...50 Г		IXYS	IGBT	1200	46	110	2.75	29	90	95	95	7.45	3.7	500	Да	-55 ... 150	SOT-227 B
IXYN82N120C3	IGBT-транзистор, 1200 В, 46 А, технология XPT (Extreme Light Punch Through), частота коммутации 20...50 кГц		IXYS	IGBT	1200	46	110	2.75	29	90	95	95	7.45	3.7	500	Нет	-55 ... 150	SOT-227 B
IXYN100N120C3H1	IGBT-транзистор, 1200 В, 62 А, технология XPT (Extreme Light Punch Through), частота коммутации 20...50 кГц		IXYS	IGBT	1200	62	110	3.5	32	90	123	110	6.5	2.9	690	Да	-55 ... 150	SOT-227 B
IXYK120N120C3	IGBT-транзистор, 1200 В, 120 А, технология XPT (Extreme Light Punch Through), частота коммутации 20...50 кГц		IXYS	IGBT	1200	120	110	3.5	37	70	167	90	6.2	4.2	1500	Нет	-55 ... 175	TO-264
IXYH82N120C3	IGBT-транзистор, 1200 В, 82 А, технология XPT (Extreme Light Punch Through), частота коммутации 20...50 Г		IXYS	IGBT	1200	82	110	2.75	29	90	200	95	7.45	3.7	1040	Нет	-55 ... 150	TO-247AD
IXYH50N120C3D1	IGBT-транзистор, 1200 В, 50 А, технология XPT (Extreme Light Punch Through), частота коммутации 20...50 Г		IXYS	IGBT	1200	50	110	2.5	25	57	274	98	5.14	1.47	625	Да	-55 ... 150	TO-247AD
IXYH50N120C3	IGBT-транзистор, 1200 В, 50 А, технология XPT (Extreme Light Punch Through), частота коммутации 20...50 Г		IXYS	IGBT	1200	50	110	2.5	25	57	274	98	5.14	1.47	625	Нет	-55 ... 150	TO-247AD
IXYH40N120C3D1	IGBT-транзистор, 1200 В, 40 А, технология XPT (Extreme Light Punch Through), частота коммутации 20...50 кГц		IXYS	IGBT	1200	40	90	4	24	60	125	38	3.9	0.66	480	Да	-55 ... 150	TO-247AD
IXYH40N120B3	IGBT-транзистор, 1200 В, 40 А, технология XPT (Extreme Light Punch Through), частота коммутации 5...30 кГц		IXYS	IGBT	1200	40	110	2.9	22	50	177	183	2.7	1.6	577	Нет	-55 ... 175	TO-247AD
IXYH30N120C3D1	IGBT-транзистор, 1200 В, 30 А, технология XPT (Extreme Light Punch Through), частота коммутации 20...50 кГц		IXYS	IGBT	1200	30	110	2.9	23	62	137	88	4.6	0.9	416	Да	-55 ... 150	TO-247AD
IXYH30N120C3	IGBT-транзистор, 1200 В, 30 А, технология XPT (Extreme Light Punch Through), частота коммутации 20...50 кГц		IXYS	IGBT	1200	30	110	2.9	23	62	137	88	4.6	0.9	416	Нет	-55 ... 150	TO-247
IXYH24N90C3D1	IGBT-транзистор, 900 В, 24 А, технология XPT (Extreme Light Punch Through), частота коммутации 20...50 кГц		IXYS	IGBT	900	24	90	2.3	22	38	85	130	2.6	0.55	200	Да	-55 ... 150	TO-247
IXYH24N90C3	IGBT-транзистор, 900 В, 24 А, технология XPT (Extreme Light Punch Through), частота коммутации 20...50 кГц		IXYS	IGBT	900	24	110	2.3	22	38	85	130	2.6	0.55	240	Нет	-55 ... 175	TO-247

Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 ... 38 следующая

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве

Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019

Поиск				В компонентах В документах По PDF базе По фирмам
		по всем полям Расширенный поиск