Компоненты группы IGBT-транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
VCES (В)
Рабочий ток: IC (А)
Рабочий ток: При TC (°C)
VCE(sat) (В)
td(on) (тип.) (нс)
tr (тип.) (нс)
td(off) (тип.) (нс)
tf (тип.) (нс)
EON (тип.) (мДж)
EOFF (тип.) (мДж)
PD (Вт)
FWD
TA (°C) От до
Корпус
Страницы: предыдущая 1 ... 34 35 36 37 38  

Название Описание PDF Производитель Группа компонент VCES
В
Рабочий ток VCE(sat)
В
td(on) (тип.)
нс
tr (тип.)
нс
td(off) (тип.)
нс
tf (тип.)
нс
EON (тип.)
мДж
EOFF (тип.)
мДж
PD
Вт
FWD TA
°C
Корпус
IC
А
При TC
°C
                                     
IXA20IF1200HB IGBT-транзистор, 1200 В, 38 А, технология XPT (Extreme Light Punch Through) IXYS IGBT
1200 22 100 1.8 70 40 250 100 1.55 1.7 165 Да -55 ... 150 TO-247
IXA20I1200PB IGBT-транзистор, 1200 В, 33 А, технология XPT (Extreme Light Punch Through) IXYS IGBT
1200 22 90 1.8 70 40 250 100 1.55 1.7 130 Нет -55 ... 150 TO-220
IXA17IF1200HJ IGBT-транзистор, 1200 В, 28 А, технология XPT (Extreme Light Punch Through) IXYS IGBT
1200 18 90 1.8 70 40 250 100 1.55 1.7 100 Да -55 ... 150 ISOPLUS247
IXA12IF1200TC IGBT-транзистор, 1200 В, 20 А, технология XPT (Extreme Light Punch Through) IXYS IGBT
1200 13 100 1.8 70 40 250 100 1.1 1.1 85 Да -55 ... 150 TO-268
IXA12IF1200PC IGBT-транзистор, 1200 В, 20 А, технология XPT (Extreme Light Punch Through) IXYS IGBT
1200 13 100 1.8 70 40 250 100 1.1 1.1 85 Да -55 ... 150 TO-263
IXA12IF1200PB IGBT-транзистор, 1200 В, 20 А, технология XPT (Extreme Light Punch Through) IXYS IGBT
1200 13 100 1.8 70 40 250 100 1.1 1.1 85 Да -55 ... 150 TO-220
IXA12IF1200HB IGBT-транзистор, 1200 В, 20 А, технология XPT (Extreme Light Punch Through) IXYS IGBT
1200 13 100 1.8 70 40 250 100 1.1 1.1 85 Да -55 ... 150 TO-247
Страницы: предыдущая 1 ... 34 35 36 37 38  




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019