Компоненты группы IGBT-транзисторы
Название | Описание | Производитель | Группа компонент | VCES В |
Рабочий ток | VCE(sat) В |
td(on) (тип.) нс |
tr (тип.) нс |
td(off) (тип.) нс |
tf (тип.) нс |
EON (тип.) мДж |
EOFF (тип.) мДж |
PD Вт |
FWD | TA °C |
Корпус | ||
IC А |
При TC °C |
|||||||||||||||||
![]() ![]() |
![]() ![]() |
![]() ![]() |
![]() ![]() |
![]() ![]() |
![]() ![]() |
![]() ![]() |
![]() ![]() |
![]() ![]() |
![]() ![]() |
![]() ![]() |
![]() ![]() |
![]() ![]() |
![]() ![]() |
![]() ![]() |
![]() ![]() |
![]() ![]() |
||
IXXK100N60B3H1 | IGBT-транзистор, 600 В, 100 А, технология XPT (Extreme Light Punch Through), частота коммутации 10...30 кГц |
![]() |
IXYS |
IGBT |
600 | 100 | 90 | 1.5 | 32 | 60 | 150 | 200 | 2.3 | 2.8 | 695 | Да | -55 ... 150 |
|
IXXH80N65B4H1 | IGBT-транзистор семейства GenX4™, 650 В, 80 А, технология XPT™ (Extreme Light Punch Through) |
![]() |
IXYS |
IGBT |
650 | 80 | 110 | 2 | 38 | 90 | 120 | 63 | 3.77 | 1.2 | 625 | Да | -55 ... 175 |
|
IXXH80N65B4 | IGBT-транзистор семейства GenX4™, 650 В, 80 А, технология XPT™ (Extreme Light Punch Through) |
![]() |
IXYS |
IGBT |
650 | 80 | 110 | 2 | 38 | 90 | 120 | 63 | 3.77 | 1.2 | 625 | Нет | -55 ... 175 |
|
IXXH75N60C3D1 | IGBT-транзистор, 600 В, 75 А, технология XPT (Extreme Light Punch Through), частота коммутации 20...60 кГц |
![]() |
IXYS |
IGBT |
600 | 75 | 110 | 1.85 | 33 | 72 | 105 | 80 | 2.5 | 1.07 | 750 | Да | -55 ... 175 |
|
IXXH75N60C3 | IGBT-транзистор, 600 В, 75 А, технология XPT (Extreme Light Punch Through), частота коммутации 20...60 кГц |
![]() |
IXYS |
IGBT |
600 | 50 | 110 | 1.85 | 33 | 72 | 105 | 80 | 2.5 | 1.08 | 750 | Нет | -55 ... 175 |
|
IXXH75N60B3D1 | IGBT-транзистор, 600 В, 75 А, технология XPT (Extreme Light Punch Through), частота коммутации 5...30 кГц |
![]() |
IXYS |
IGBT |
600 | 75 | 110 | 1.6 | 36 | 72 | 145 | 170 | 2.6 | 2.2 | 750 | Да | -55 ... 175 |
|
IXXH75N60B3 | IGBT-транзистор, 600 В, 75 А, технология XPT (Extreme Light Punch Through), частота коммутации 5...30 кГц |
![]() |
IXYS |
IGBT |
600 | 75 | 110 | 1.6 | 36 | 72 | 145 | 170 | 2.6 | 2.2 | 750 | Нет | -55 ... 175 |
|
IXXH60N65C4 | IGBT-транзистор семейства GenX4™, 650 В, 60 А, технология XPT™ (Extreme Light Punch Through) |
![]() |
IXYS |
IGBT |
650 | 60 | 110 | 2.2 | 37 | 78 | 133 | 30 | 3.2 | 0.83 | 455 | Нет | -55 ... 175 |
|
IXXH60N65B4H1 | IGBT-транзистор семейства GenX4™, 650 В, 60 А, технология XPT™ (Extreme Light Punch Through) |
![]() |
IXYS |
IGBT |
650 | 60 | 110 | 2 | 37 | 80 | 145 | 72 | 3.13 | 1.15 | 380 | Да | -55 ... 175 |
|
IXXH60N65B4 | IGBT-транзистор семейства GenX4™, 650 В, 60 А, технология XPT™ (Extreme Light Punch Through) |
![]() |
IXYS |
IGBT |
650 | 60 | 110 | 2 | 37 | 80 | 145 | 72 | 3.13 | 1.15 | 455 | Нет | -55 ... 175 |
|
IXXH50N60C3D1 | IGBT-транзистор, 600 В, 50 А, технология XPT (Extreme Light Punch Through), частота коммутации 20...60 кГц |
![]() |
IXYS |
IGBT |
600 | 50 | 110 | 1.95 | 25 | 44 | 80 | 90 | 1.46 | 0.48 | 600 | Да | -55 ... 175 |
|
IXXH50N60C3 | IGBT-транзистор, 600 В, 50 А, технология XPT (Extreme Light Punch Through), частота коммутации 20...60 кГц |
![]() |
IXYS |
IGBT |
600 | 50 | 110 | 1.95 | 25 | 44 | 80 | 90 | 1.46 | 0.48 | 600 | Нет | -55 ... 175 |
|
IXXH50N60B3D1 | IGBT-транзистор, 600 В, 50 А, технология XPT (Extreme Light Punch Through), частота коммутации 5...30 кГц |
![]() |
IXYS |
IGBT |
600 | 50 | 110 | 1.55 | 30 | 45 | 130 | 190 | 1.4 | 1.2 | 600 | Да | -55 ... 175 |
|
IXXH50N60B3 | IGBT-транзистор, 600 В, 50 А, технология XPT (Extreme Light Punch Through), частота коммутации 5...30 кГц |
![]() |
IXYS |
IGBT |
600 | 50 | 110 | 1.55 | 30 | 45 | 130 | 190 | 1.4 | 1.2 | 600 | Нет | -55 ... 175 |
|
IXXH40N65B4 | IGBT-транзистор семейства GenX4™, 650 В, 40 А, технология XPT™ (Extreme Light Punch Through) |
![]() |
IXYS |
IGBT |
650 | 40 | 110 | 1.8 | 28 | 53 | 144 | 54 | 1.4 | 0.56 | 455 | Нет | -55 ... 175 |
|
IXXH30N65B4 | IGBT-транзистор семейства GenX4™, 650 В, 30 А, технология XPT™ (Extreme Light Punch Through) |
![]() |
IXYS |
IGBT |
650 | 30 | 110 | 2 | 32 | 62 | 170 | 57 | 1.55 | 0.48 | 230 | Нет | -55 ... 175 |
|
IXXH30N60C3D1 | IGBT-транзистор, 600 В, 30 А, технология XPT (Extreme Light Punch Through), частота коммутации 20...60 кГц |
![]() |
IXYS |
IGBT |
600 | 30 | 110 | 1.85 | 22 | 35 | 88 | 78 | 1.13 | 0.4 | 270 | Да | -55 ... 175 |
|
IXXH30N60B3D1 | IGBT-транзистор, 600 В, 30 А, технология XPT (Extreme Light Punch Through), частота коммутации 5...30 кГц |
![]() |
IXYS |
IGBT |
600 | 30 | 110 | 1.66 | 23 | 34 | 112 | 180 | 1.1 | 0.7 | 270 | Да | -55 ... 175 |
|
IXXH110N65C4 | IGBT-транзистор семейства GenX4™, 650 В, 110 А, технология XPT™ (Extreme Light Punch Through) |
![]() |
IXYS |
IGBT |
650 | 110 | 110 | 2.35 | 35 | 46 | 143 | 30 | 2.3 | 0.6 | 880 | Нет | -55 ... 175 |
|
IXXH100N60C3 | IGBT-транзистор, 600 В, 100 А, технология XPT (Extreme Light Punch Through), частота коммутации 20...60 кГц |
![]() |
IXYS |
IGBT |
600 | 100 | 110 | 1.68 | 30 | 65 | 105 | 115 | 3 | 1.4 | 830 | Нет | -55 ... 175 |
|