Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

Компоненты группы IGBT-транзисторы
 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
VCES (В)
Рабочий ток: IC (А)
Рабочий ток: При TC (°C)
VCE(sat) (В)
td(on) (тип.) (нс)
tr (тип.) (нс)
td(off) (тип.) (нс)
tf (тип.) (нс)
EON (тип.) (мДж)
EOFF (тип.) (мДж)
PD (Вт)
FWD
TA (°C) От до
Корпус
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 ... 38 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент VCES
В		 Рабочий ток VCE(sat)
В		 td(on) (тип.)
нс		 tr (тип.)
нс		 td(off) (тип.)
нс		 tf (тип.)
нс		 EON (тип.)
мДж		 EOFF (тип.)
мДж		 PD
Вт		 FWD TA
°C		 Корпус
IC
А		 При TC
°C
                                     
IXYB82N120C3H1 IGBT-транзистор, 1200 В, 82 А, технология XPT (Extreme Light Punch Through), частота коммутации 20...50 Г IXYS IGBT
 1200 82 110 2.75 29 90 200 95 7.45 3.7 1040 Да -55 ... 150 PLUS264
IXXX200N65B4 IGBT-транзистор семейства GenX4™, 650 В, 200 А, технология XPT™ (Extreme Light Punch Through) IXYS IGBT
 650 200 110 1.7 62 76 245 80 4.4 2.2 1150 Нет -55 ... 175 PLUS247
IXXX200N60C3 IGBT-транзистор, 600 В, 200 А, технология XPT (Extreme Light Punch Through), частота коммутации 20...60 кГц IXYS IGBT
 600 200 110 1.6 47 96 150 90 4 2.1 1630 Нет -55 ... 175 PLUS247
IXXX200N60B3 IGBT-транзистор, 600 В, 200 А, технология XPT (Extreme Light Punch Through), частота коммутации 10...30 кГц IXYS IGBT
 600 200 110 1.4 46 94 180 215 4.4 3.45 1630 Нет -55 ... 175 PLUS247
IXXX160N65C4 IGBT-транзистор семейства GenX4™, 650 В, 160 А, технология XPT™ (Extreme Light Punch Through) IXYS IGBT
 650 160 110 2.1 52 67 197 30 3.5 1.3 940 Нет -55 ... 175 PLUS247
IXXX160N65B4 IGBT-транзистор семейства GenX4™, 650 В, 160 А, технология XPT™ (Extreme Light Punch Through) IXYS IGBT
 650 160 110 1.8 52 64 220 90 3.3 1.88 940 Нет -55 ... 175 PLUS247
IXXX110N65B4H1 IGBT-транзистор семейства GenX4™, 650 В, 110 А, технология XPT™ (Extreme Light Punch Through) IXYS IGBT
 650 110 110 2.1 38 46 156 85 2.2 1.05 880 Да -55 ... 175 PLUS247
IXXX100N60C3H1 IGBT-транзистор, 600 В, 100 А, технология XPT (Extreme Light Punch Through), частота коммутации 20...60 кГц IXYS IGBT
 600 100 90 1.68 30 65 105 115 3 1.4 695 Да -55 ... 150 PLUS247
IXXX100N60B3H1 IGBT-транзистор, 600 В, 100 А, технология XPT (Extreme Light Punch Through), частота коммутации 10...30 кГц IXYS IGBT
 600 100 90 1.5 32 60 150 200 2.3 2.8 695 Да -55 ... 150 PLUS247
IXXR110N65B4H1 IGBT-транзистор семейства GenX4™, 650 В, 70 А, технология XPT™ (Extreme Light Punch Through) IXYS IGBT
 650 70 110 2.2 38 46 156 85 2.2 1.05 455 Да -55 ... 175 ISOPLUS247
IXXP50N60B3 IGBT-транзистор, 600 В, 50 А, технология XPT (Extreme Light Punch Through), частота коммутации 5...30 кГц IXYS IGBT
 600 50 110 1.55 30 45 130 190 1.4 1.2 600 Нет -55 ... 175 TO-220AB
IXXN110N65C4H1 IGBT-транзистор семейства GenX4™, 650 В, 110 А, технология XPT™ (Extreme Light Punch Through) IXYS IGBT
 650 110 110 2.35 35 46 143 30 2.3 0.6 750 Да -55 ... 175 SOT-227 B
IXXN110N65B4H1 IGBT-транзистор семейства GenX4™, 650 В, 110 А, технология XPT™ (Extreme Light Punch Through) IXYS IGBT
 650 110 110 2.1 38 46 156 85 2.2 1.05 750 Да -55 ... 175 SOT-227 B
IXXK200N65B4 IGBT-транзистор семейства GenX4™, 650 В, 200 А, технология XPT™ (Extreme Light Punch Through) IXYS IGBT
 650 200 110 1.7 62 76 245 80 4.4 2.2 1150 Нет -55 ... 175 TO-264
IXXK200N60C3 IGBT-транзистор, 600 В, 200 А, технология XPT (Extreme Light Punch Through), частота коммутации 20...60 кГц IXYS IGBT
 600 200 110 1.6 47 96 150 90 4 2.1 1630 Нет -55 ... 175 TO-264
IXXK200N60B3 IGBT-транзистор, 600 В, 200 А, технология XPT (Extreme Light Punch Through), частота коммутации 10...30 кГц IXYS IGBT
 600 200 110 1.4 46 94 180 215 4.4 3.45 1630 Нет -55 ... 175 TO-264
IXXK160N65C4 IGBT-транзистор семейства GenX4™, 650 В, 160 А, технология XPT™ (Extreme Light Punch Through) IXYS IGBT
 650 160 110 2.1 52 67 197 30 3.5 1.3 940 Нет -55 ... 175 TO-264
IXXK160N65B4 IGBT-транзистор семейства GenX4™, 650 В, 160 А, технология XPT™ (Extreme Light Punch Through) IXYS IGBT
 650 160 110 1.8 52 64 220 90 3.3 1.88 940 Нет -55 ... 175 TO-264
IXXK110N65B4H1 IGBT-транзистор семейства GenX4™, 650 В, 110 А, технология XPT™ (Extreme Light Punch Through) IXYS IGBT
 650 110 110 2.1 38 46 156 85 2.2 1.05 880 Да -55 ... 175 TO-264
IXXK100N60C3H1 IGBT-транзистор, 600 В, 100 А, технология XPT (Extreme Light Punch Through), частота коммутации 20...60 кГц IXYS IGBT
 600 100 90 1.68 30 65 105 115 3 1.4 695 Да -55 ... 150 TO-264
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 ... 38 следующая



подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники