Компоненты группы RAM
Важно!Имейте в виду, что при выборе Группы компонентов вам будет доступно больше параметров для поиска |
| Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Организация | VCC В |
TA °C |
Корпус | ||
| Слов K |
Разрядов бит |
||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
||
| A67P1618 | Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ Zero Bus Latency (ZeBL) 2Мх18 |
|
AMIC Technology |
High Speed SRAM |
2048 | 18 | 2.375 ... 2.625 | 0 ... 70 |
LQFP-100 |
| CY7C4042KV13 | Высокопроизводительная синхронная статическая память с произвольным доступом (XP SRAM) QDR®-IV 72 Мбит (2 M × 36), 1066 МГц |
|
Cypress |
High Speed SRAM |
2048 | 36 | 1.26 ... 1.34 | 0 ... 70 |
|
| A67L16181 | Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ Zero Bus Latency (ZeBL) 2Мх18 |
|
AMIC Technology |
High Speed SRAM |
2048 | 18 | 3.135 ... 3.465 | -25 ... 85 |
LQFP-100 |
| CY7C4041KV13 | Высокопроизводительная синхронная статическая память с произвольным доступом (SRAM) QDR®-IV 72 Мбит (2M x 36), 667 МГц |
|
Cypress |
High Speed SRAM |
2048 | 36 | 1.26 ... 1.34 | 0 ... 70 |
|
| A67X1618A | Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ Zero Bus Latency (ZeBL) 2Мх18 |
|
AMIC Technology |
High Speed SRAM |
2048 | 18 | 2.375 ... 3.465 | -25 ... 85 |
LQFP-100 |
| BH62UV1601 | Быстродействующая сверхмалопотребляющая асинхронная статическая память объемом 16Мб |
|
Brilliance Semiconductor, Inc. (BSI) |
Low Power SRAM |
2048 | 8 | 1.65 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| DS1270Y | Энергонезависимая SRAM емкостью 16Мб |
|
Maxim Integrated |
NVSRAM |
2048 | 8 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
MOD-36 |
| A67L1618 | Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ Zero Bus Latency (ZeBL) 2Мх18 |
|
AMIC Technology |
High Speed SRAM |
2048 | 18 | 2.7 ... 3.6 | 0 ... 70 |
LQFP-100 |
| DS1270AB | Энергонезависимая SRAM емкостью 16Мб |
|
Maxim Integrated |
NVSRAM |
2048 | 8 | 4.75 ... 5.25 | -40 ... 85 |
MOD-36 |
| IS61QDB22M36 | Счетверенное синхронное ОЗУ объемом 72Мб (2Mx36) |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
2048 | 36 | 1.71 ... 1.89 | 0 ... 70 |
|
| MR4A08B | Быстродействующая энергонезависимая магниторезистивная память MRAM, объемом 2M х 8 бит | - | Everspin Technologies |
MRAM |
2048 | 8 | 3 ... 3.6 | - |
|
| DS3070W | Энергонезависимая SRAM объемом 16Мб и напряжением 3.3В и встроенным RTC |
|
Maxim Integrated |
NVSRAM |
2048 | 8 | 3 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| DS2070W | Энергонезависимая SRAM объемом 16Мб и напряжением 3.3В |
|
Maxim Integrated |
NVSRAM |
2048 | 8 | 3 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| IS61QDB42M36 | Счетверенное синхронное ОЗУ объемом 72Мб (2Mx36) |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
2048 | 36 | 1.71 ... 1.89 | 0 ... 70 |
|
| IS61QDB22M18 | Счетверенное синхронное ОЗУ объемом 36Мб (2Mx18) |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
2048 | 18 | 1.71 ... 1.89 | 0 ... 70 |
|
| IS61QDB41M36 | Счетверенное синхронное ОЗУ объемом 36Мб (1Mx36) |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
1024 | 36 | 1.71 ... 1.89 | 0 ... 70 |
|
| A63L0618 | Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ 1Мх18 |
|
AMIC Technology |
High Speed SRAM |
1024 | 18 | 3.1 ... 3.5 | -25 ... 85 |
LQFP-100 |
| K6R4004C1D | Быстродействующая асинхронная SRAM 1Мх4 с напряжением питания 5.0В |
|
Samsung Electronics |
High Speed SRAM |
1024 | 4 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
| DS3644 | Память объемом 1КБ с программированием обработки попыток несанкционированного вмешательства | - | Maxim Integrated |
RAM |
1024 | 8 | - | -55 ... 95 |
|
| IS61NVP102436A | Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ объемом 36Мб 1Мх36 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
1024 | 36 | 2.375 ... 2.75 | -40 ... 85 |
TQFP-100 |
