Компоненты группы RAM
Важно!Имейте в виду, что при выборе Группы компонентов вам будет доступно больше параметров для поиска |
| Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Организация | VCC В |
TA °C |
Корпус | ||
| Слов K |
Разрядов бит |
||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
||
| IDT71V424L | Асинхронная статическая память объемом 4Мб (512Кх8) и напряжением 3.3В |
|
IDT |
High Speed SRAM |
512 | 8 | -40 ... 85 | 3 ... 3.6 |
|
| IDT71V424S | Асинхронная статическая память объемом 4Мб (512Кх8) и напряжением 3.3В |
|
IDT |
High Speed SRAM |
512 | 8 | -40 ... 85 | 3 ... 3.6 |
|
| IDT71V416L | Асинхронная статическая память объемом 4Мб (256Кх16) и напряжением 3.3В |
|
IDT |
High Speed SRAM |
256 | 16 | -40 ... 85 | 3 ... 3.6 |
|
| IDT71V416S | Асинхронная статическая память объемом 4Мб (256Кх16) и напряжением 3.3В |
|
IDT |
High Speed SRAM |
256 | 16 | -40 ... 85 | 3 ... 3.6 |
|
| IDT71V124SA | Асинхронная статическая память объемом 1Мб (128Кх8) и напряжением 3.3В |
|
IDT |
High Speed SRAM |
128 | 8 | -40 ... 85 | 3 ... 3.6 |
|
| IDT71V016SA | Асинхронная статическая память объемом 1Мб (64Кх16) и напряжением 3.3В |
|
IDT |
High Speed SRAM |
64 | 16 | -40 ... 85 | 3 ... 3.6 |
|
| IDT71T016SA | Асинхронная статическая память объемом 1Мб (64Кх16) и напряжением 2.5В |
|
IDT |
High Speed SRAM |
64 | 16 | -40 ... 85 | 2.375 ... 2.625 |
|
| IDT71128 | Асинхронная статическая память объемом 1Мб (256Кх4) |
|
IDT |
High Speed SRAM |
256 | 4 | -40 ... 85 | 4.5 ... 5.5 |
|
| IDT71124 | Асинхронная статическая память объемом 1Мб (128Кх8) |
|
IDT |
High Speed SRAM |
128 | 8 | -40 ... 85 | 4.5 ... 5.5 |
|
| IDT71028 | Асинхронная статическая память объемом 1Мб (256Кх4) |
|
IDT |
High Speed SRAM |
256 | 4 | -40 ... 85 | 4.5 ... 5.5 |
|
| IDT71024S | Асинхронная статическая память объемом 1Мб (128Кх8) |
|
IDT |
High Speed SRAM |
128 | 8 | -40 ... 85 | 4.5 ... 5.5 |
|
| LP621024D-I | Низкопотребляющяя статическая память 128К х 8 |
|
AMIC Technology |
Low Power SRAM |
128 | 8 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
| 1645РУ2 | Микросхема оперативно запоминающего устройства статического типа емкостью 64 Кбит (8К x 8 бит) с повышенной стойкостью к воздействию специальных факторов |
|
Миландр |
High Speed SRAM |
8 | 8 | 4.5 ... 5.5 | -60 ... 125 |
4119.28-6 |
| AS7C4096A | Асинхронная статическая память 512Кх8 и напряжением питания 5В |
|
Alliance Memory |
High Speed SRAM |
512 | 8 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
| IDT7200L35TP | Асинхронная FIFO организацией 256 x 9, 35 нс, 0°C...+70°C |
|
IDT |
Асинхронная FIFO |
- | 9 | 4.5 ... 5.5 | 0 ... 70 |
|
| M48T08 | Энергонезависимая SRAM объемом 64Кб с функцией хранения реального времени |
|
STMicroelectronics |
NVSRAM |
8 | 8 | 4.75 ... 5.5 | 0 ... 70 |
PCDIP-28 |
| CY62146ESL | Статическая память объемом 4Mb (256Kx16) |
|
Cypress |
Low Power SRAM |
256 | 16 | 2.2 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
| M48Z512AY | Энергонезависимая SRAM объемом 4Мб с функцией долговременного хранения данных |
|
STMicroelectronics |
NVSRAM |
512 | 8 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
| DS1249Y | Энергонезависимая SRAM емкостью 2048Кб |
|
Maxim Integrated |
NVSRAM |
256 | 8 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
MOD-32 |
| 1645РУ1 | Микросхема оперативно запоминающего устройства статического типа емкостью 1 Мбит (128К x 8) бит |
|
Миландр |
High Speed SRAM |
128 | 8 | 3 ... 5.5 | -60 ... 125 |
Н18.64-3B |
