Главная » Документация » Микросхемы » Память » RAM » MRAM

MR4A08B Быстродействующая энергонезависимая магниторезистивная память MRAM, объемом 2M х 8 бит

Блок-схема

Группа компонентов

MRAM

Основные параметры

Организация: Слов,K	2048
Организация: Разрядов,бит	8
Время выборки,нс	35
V_CC,В	от 3 до 3.6
Корпус	BGA-48 TSOPII-44

Общее описание

MR4A08B - это следующее поколение устройств MRAM памяти. Инженерные образцы ожидаются в 2009 году. Эти 16Мбит устройства полностью совместимы по выводам с MR2A08A 4Мбит MRAM в корпусах TSOPII-44 и BGA-48. За дополнительной информацией обращайтесь к производителю.

Отличительные особенности:

Время цикла записи/чтения: 35 нс
Параметры синхронизации полностью совместимы со стандартной SRAM, позволяя использовать текущий контроллер памяти без изменения схемы устройства
Неограниченное кол-во циклов записи/чтения
Энергонезависимая память со сроком хранения не менее 20 лет
Позволяет заменить различные типы памяти - FLASH, SRAM, EEPROM и NVRAM
Напряжение питания: 3.3В
Автоматическая защита данных при падении напряжения
Доступны коммерческий, промышленный и автомобильный диапазоны рабочих температур

Производитель

Everspin Technologies

Где купить

Дистрибуторы

Где купить ещё

Связанные документы

Память

Магниторезистивная память MRAM — быстродействующие ОЗУ и ПЗУ в одной микросхеме (38.8 Кб), 31.07.2009

Автор документа: Дмитрий Гаврилюк, http://www.gaw.ru
Кол-во просмотров: 1940

Дата публикации: 31.07.2009 12:57
Дата редактирования: 31.07.2009 14:42

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве

Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019

Поиск				В компонентах В документах По PDF базе По фирмам
		по всем полям Расширенный поиск