Компоненты группы RAM
Важно!Имейте в виду, что при выборе Группы компонентов вам будет доступно больше параметров для поиска |
| Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Организация | VCC В |
TA °C |
Корпус | ||
| Слов K |
Разрядов бит |
||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
||
| MR4A16B | Быстродействующая энергонезависимая магниторезистивная память MRAM, объемом 1M х 16 бит | - | Everspin Technologies |
MRAM |
1024 | 16 | 3 ... 3.6 | - |
|
| MR4A08B | Быстродействующая энергонезависимая магниторезистивная память MRAM, объемом 2M х 8 бит | - | Everspin Technologies |
MRAM |
2048 | 8 | 3 ... 3.6 | - |
|
| 1645РУ2 | Микросхема оперативно запоминающего устройства статического типа емкостью 64 Кбит (8К x 8 бит) с повышенной стойкостью к воздействию специальных факторов |
|
Миландр |
High Speed SRAM |
8 | 8 | 4.5 ... 5.5 | -60 ... 125 |
4119.28-6 |
| 1645РУ1 | Микросхема оперативно запоминающего устройства статического типа емкостью 1 Мбит (128К x 8) бит |
|
Миландр |
High Speed SRAM |
128 | 8 | 3 ... 5.5 | -60 ... 125 |
Н18.64-3B |
| 1645РУ5У | Микросхема асинхронного статического ОЗУ объемом 4Мбит (512К х 8 бит) с повышенной стойкостью к воздействию специальных факторов |
|
Миландр |
Асинхронная FIFO |
- | 8 | 3 ... 5.5 | -60 ... 125 |
5134.64-6 |
| 5576РТ1У | Микросхема радиационностойкого однократно программируемого ПЗУ емкостью 1 Мб для конфигурирования ПЛИС |
|
Миландр |
SBRAM |
128 | 8 | 3 ... 3.6 | -60 ... 100 |
5134.64-6 |
| 1645РК2Т | Микросхема двухпортового статического ОЗУ емкостью 16К (2Кх8) бит |
|
Миландр |
Синхронная FIFO |
- | 8 | 4.5 ... 5.5 | -60 ... 125 |
|
| 1645РГ1Т | Двухпортовое СОЗУ типа FIFO 144 Кбит (16Кх9) |
|
Миландр |
Асинхронная FIFO |
- | 9 | 4.5 ... 5.5 | -60 ... 125 |
4119.28-6 |
| 1645РУ4 | Микросхема оперативно запоминающего устройства статического типа емкостью 16 Мбит (1М x 16 бит) |
|
Миландр |
High Speed SRAM |
1024 | 16 | 3 ... 3.6 | -60 ... 125 |
5134.64-6 |
| 1645РУ3 | Микросхема оперативно запоминающего устройства статического типа емкостью 4 Мбит (256К x 16 бит) |
|
Миландр |
High Speed SRAM |
256 | 16 | 3 ... 3.6 | -60 ... 125 |
Н18.64-3B |
| DS3644 | Память объемом 1КБ с программированием обработки попыток несанкционированного вмешательства | - | Maxim Integrated |
RAM |
1024 | 8 | - | -55 ... 95 |
|
| IDT7201LA20TDB | Асинхронная FIFO организацией 512 x 9, 20 нс, -55°C...+125°C, MIL-STD-883, Class B |
|
IDT |
Асинхронная FIFO |
- | 9 | 4.5 ... 5.5 | -55 ... 125 |
CDIP-28 |
| IDT7201LA20LB | Асинхронная FIFO организацией 512 x 9, 20 нс, -55°C...+125°C, MIL-STD-883, Class B |
|
IDT |
Асинхронная FIFO |
- | 9 | 4.5 ... 5.5 | -55 ... 125 |
|
| EV2A16AM | 256K x 16 бит, 3.3 Вольт, асинхронная магниторезистивная RAM (MRAM) память |
|
e2v |
MRAM |
256 | 16 | 3 ... 3.6 | -55 ... 125 |
|
| IDT71256S | Асинхронная статическая память объемом 256К (32Кх8) |
|
IDT |
High Speed SRAM |
32 | 8 | 4.5 ... 5.5 | -55 ... 125 |
PDIP-28 |
| IDT7200L30TDB | Асинхронная FIFO организацией 256 x 9, 30 нс, -55°C...+125°C MIL-STD-883, Class B |
|
IDT |
Асинхронная FIFO |
- | 9 | 4.5 ... 5.5 | -55 ... 125 |
CDIP-28 |
| IDT7200L20TDB | Асинхронная FIFO организацией 256 x 9, 20 нс, -55°C...+125°C MIL-STD-883, Class B |
|
IDT |
Асинхронная FIFO |
- | 9 | 4.5 ... 5.5 | -55 ... 125 |
CDIP-28 |
| A63P06361 | Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ 1Мх36 |
|
AMIC Technology |
High Speed SRAM |
1024 | 36 | 2.375 ... 2.625 | -45 ... 125 |
LQFP-100 |
| CY7C1006BN | Статическая память 256K x 4 |
|
Cypress |
High Speed SRAM |
256 | 4 | 4.5 ... 5.5 | -45 ... 85 |
|
| A63L06361 | Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ 1Мх36 |
|
AMIC Technology |
High Speed SRAM |
1024 | 36 | 3.135 ... 3.465 | -45 ... 125 |
LQFP-100 |
