Компоненты группы High Speed SRAM
| Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Организация | Время выборки нс |
Ток потребления | VCC В |
TA °C |
Корпус | |||
| Слов K |
Разрядов бит |
ICC мА |
ICC Shutdown мкА |
|||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
| IDT71256SA | Асинхронная статическая память объемом 256К (32Кх8) |
|
IDT |
High Speed SRAM |
32 | 8 | 12 | 160 | 5 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
| GS72116A | Асинхронная статическая память объемом 2Мб (128Kx16) |
|
GSI Technology |
High Speed SRAM |
128 | 16 | 7 | 145 | 2 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| GS72108A | Асинхронная статическая память объемом 2Мб (256Kx8) |
|
GSI Technology |
High Speed SRAM |
256 | 8 | 7 | 135 | 2 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| GS73024A | Асинхронная статическая память объемом 3Мб (128Kx24) |
|
GSI Technology |
High Speed SRAM |
128 | 24 | 8 | 250 | 2 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| GS74104A | Асинхронная статическая память объемом 4Мб (1M x 4) |
|
GSI Technology |
High Speed SRAM |
1024 | 4 | 8 | 120 | 2 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| GS74116A | Асинхронная статическая память объемом 4Мб (256Kx16) |
|
GSI Technology |
High Speed SRAM |
256 | 16 | 8 | 130 | 2 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| GS74117A | Асинхронная статическая память объемом 4Мб (256Kx16) |
|
GSI Technology |
High Speed SRAM |
256 | 16 | 8 | 130 | 2 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| IDT71V416S | Асинхронная статическая память объемом 4Мб (256Кх16) и напряжением 3.3В |
|
IDT |
High Speed SRAM |
256 | 16 | 10 | 200 | 5 | -40 ... 85 | 3 ... 3.6 |
|
| IDT71V416L | Асинхронная статическая память объемом 4Мб (256Кх16) и напряжением 3.3В |
|
IDT |
High Speed SRAM |
256 | 16 | 10 | 180 | 5 | -40 ... 85 | 3 ... 3.6 |
|
| GS74108A | Асинхронная статическая память объемом 4Мб (512K x 8) |
|
GSI Technology |
High Speed SRAM |
512 | 8 | 8 | 120 | 2 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| IDT71V424S | Асинхронная статическая память объемом 4Мб (512Кх8) и напряжением 3.3В |
|
IDT |
High Speed SRAM |
512 | 8 | 10 | 180 | 5 | -40 ... 85 | 3 ... 3.6 |
|
| IDT71V424L | Асинхронная статическая память объемом 4Мб (512Кх8) и напряжением 3.3В |
|
IDT |
High Speed SRAM |
512 | 8 | 10 | 165 | 5 | -40 ... 85 | 3 ... 3.6 |
|
| GS76024A | Асинхронная статическая память объемом 6Мб (256Kx24) |
|
GSI Technology |
High Speed SRAM |
256 | 24 | 8 | 260 | 2 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| GS78108A | Асинхронная статическая память объемом 8Мб (1M x 8) |
|
GSI Technology |
High Speed SRAM |
1024 | 8 | 8 | 240 | 2 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| GS78132A | Асинхронная статическая память объемом 8Мб (256K x 32) |
|
GSI Technology |
High Speed SRAM |
256 | 32 | 8 | 260 | 2 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| GS78116A | Асинхронная статическая память объемом 8Мб (512K x 16) |
|
GSI Technology |
High Speed SRAM |
512 | 16 | 8 | 240 | 2 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| K6R4004C1D | Быстродействующая асинхронная SRAM 1Мх4 с напряжением питания 5.0В |
|
Samsung Electronics |
High Speed SRAM |
1024 | 4 | 10 | 75 | 5 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
| K6R4016V1D | Быстродействующая асинхронная SRAM 256Кх16 |
|
Samsung Electronics |
High Speed SRAM |
256 | 16 | 8 | 80 | 5 | 3 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| K6R4016C1D | Быстродействующая асинхронная SRAM 256Кх16 с напряжением питания 5.0В |
|
Samsung Electronics |
High Speed SRAM |
256 | 16 | 10 | 65 | 5 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
| K6R4008V1D | Быстродействующая асинхронная SRAM 512Кх8 с напряжением питания 3.3В |
|
Samsung Electronics |
High Speed SRAM |
512 | 8 | 8 | 90 | 5 | 3 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
