Компоненты группы High Speed SRAM

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Организация: Слов (K)
Организация: Разрядов (бит)
Время
выборки (нс)
Ток потребления: ICC (мА)
Ток потребления: ICC Shutdown (мкА)
VCC (В) От до
TA (°C) От до
Корпус
Страницы: 1 2 3 4 5 ... 16 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Организация Время
выборки
нс
Ток потребления VCC
В
TA
°C
Корпус
Слов
K
Разрядов
бит
ICC
мА
ICC Shutdown
мкА
                         
IDT71V424S Асинхронная статическая память объемом 4Мб (512Кх8) и напряжением 3.3В IDT High Speed SRAM
512 8 10 180 5 -40 ... 85 3 ... 3.6 SOJ-36 (400mil)
SOJ-44
TSOPII-44
IDT71V416L Асинхронная статическая память объемом 4Мб (256Кх16) и напряжением 3.3В IDT High Speed SRAM
256 16 10 180 5 -40 ... 85 3 ... 3.6 BGA-48
SOJ-44
TSOPII-44
IDT71V416S Асинхронная статическая память объемом 4Мб (256Кх16) и напряжением 3.3В IDT High Speed SRAM
256 16 10 200 5 -40 ... 85 3 ... 3.6 BGA-48
SOJ-44
TSOPII-44
IDT71V124SA Асинхронная статическая память объемом 1Мб (128Кх8) и напряжением 3.3В IDT High Speed SRAM
128 8 10 145 5 -40 ... 85 3 ... 3.6 SOJ-32
TSOPII-32
IDT71V016SA Асинхронная статическая память объемом 1Мб (64Кх16) и напряжением 3.3В IDT High Speed SRAM
64 16 10 160 5 -40 ... 85 3 ... 3.6 FBGA-48
SOJ-44
TSOP-44
IDT71T016SA Асинхронная статическая память объемом 1Мб (64Кх16) и напряжением 2.5В IDT High Speed SRAM
64 16 10 160 5 -40 ... 85 2.375 ... 2.625 FBGA-48
SOJ-44
TSOP-44
IDT71128 Асинхронная статическая память объемом 1Мб (256Кх4) IDT High Speed SRAM
256 4 12 155 5 -40 ... 85 4.5 ... 5.5 SOJ-32
IDT71124 Асинхронная статическая память объемом 1Мб (128Кх8) IDT High Speed SRAM
128 8 12 160 5 -40 ... 85 4.5 ... 5.5 SOJ-32
IDT71028 Асинхронная статическая память объемом 1Мб (256Кх4) IDT High Speed SRAM
256 4 12 155 5 -40 ... 85 4.5 ... 5.5 SOJ-28 (300mil)
IDT71024S Асинхронная статическая память объемом 1Мб (128Кх8) IDT High Speed SRAM
128 8 12 160 5 -40 ... 85 4.5 ... 5.5 SOJ-32
IDT71V424L Асинхронная статическая память объемом 4Мб (512Кх8) и напряжением 3.3В IDT High Speed SRAM
512 8 10 165 5 -40 ... 85 3 ... 3.6 SOJ-36 (400mil)
SOJ-44
TSOPII-44
IS61C25616AS Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 256х16 ISSI High Speed SRAM
256 16 25 20 200 4.5 ... 5.5 -40 ... 125 SOJ-44
TSOPII-44
AS7C1028 Асинхронная статическая память 256Кх4 и напряжением питания 5В Alliance Memory High Speed SRAM
256 4 12 50 5 4.5 ... 5.5 -40 ... 85 SOJ-28 (300mil)
IS61C25616AL Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 256х16 ISSI High Speed SRAM
256 16 12 50 300 4.5 ... 5.5 -40 ... 125 SOJ-44
TSOPII-44
AS7C1026C Асинхронная статическая память 64Кх16 и напряжением питания 5В Alliance Memory High Speed SRAM
64 16 12 50 5 4.5 ... 5.5 -40 ... 85 SOJ-44
TSOPII-44
IS61C25616AL Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 256х16 ISSI High Speed SRAM
256 16 10 50 200 4.5 ... 5.5 -40 ... 85 SOJ-44
TSOPII-44
AS7C1026B Асинхронная статическая память 64Кх16 и напряжением питания 5В Alliance Memory High Speed SRAM
64 16 10 20 1 4.5 ... 5.5 -40 ... 85 SOJ-44
TSOPII-44
AS7C1025C Асинхронная статическая память 128Кх8 и напряжением питания 5В Alliance Memory High Speed SRAM
128 8 12 50 5 4.5 ... 5.5 -40 ... 85 SOJ-32
IS61C5128AL Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 512х8 ISSI High Speed SRAM
512 8 10 50 200 4.5 ... 5.5 -40 ... 85 SOJ-36 (400mil)
SOP-32
TSOPI-32
TSOPII-32
TSOPII-44
AS7C1025B Асинхронная статическая память 128Кх8 и напряжением питания 5В Alliance Memory High Speed SRAM
128 8 10 20 1 4.5 ... 5.5 -40 ... 85 SOJ-32
Страницы: 1 2 3 4 5 ... 16 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019