IDT71V416S Асинхронная статическая память объемом 4Мб (256Кх16) и напряжением 3.3В
Блок-схема Увеличить Группа компонентов High Speed SRAMОсновные параметры
|
|
Datasheet
IDT71V416S, IDT71V416L Асинхронная статическая память объемом 4Мб (256Кх16) и напряжением 3.3В (482.8 Кб), 23.04.2008
Автор документа: Жанна Свирина,
|
Дата публикации: 23.04.2008 13:39 Дата редактирования: 14.01.2009 15:31 |