+ IDT71V416S, Асинхронная статическая память объемом 4Мб (256Кх16) и напряжением 3.3В
 

Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

IDT71V416S Асинхронная статическая память объемом 4Мб (256Кх16) и напряжением 3.3В

 

Блок-схема

IDT71V416S, Асинхронная статическая память объемом 4Мб (256Кх16) и напряжением 3.3В
Увеличить

Группа компонентов

High Speed SRAM

Основные параметры

Организация: Слов,K 256
Организация: Разрядов,бит 16
Время
выборки,нс		 10
Ток потребления: ICC,мА 200
Ток потребления: ICC Shutdown,мкА 5
VCC,В от -40 до 85
TA,°C от 3 до 3.6
Корпус BGA-48 SOJ-44 TSOPII-44
Datasheet
 
IDT71V416S, IDT71V416L (482.8 Кб), 23.04.2008

Производитель
 

Где купить
 


Дистрибуторы

Дилеры

Где купить ещё

Datasheet

IDT71V416S, IDT71V416L Асинхронная статическая память объемом 4Мб (256Кх16) и напряжением 3.3В (482.8 Кб), 23.04.2008



Автор документа: Жанна Свирина, http://www.gaw.ru
 Кол-во просмотров: 1709 		Дата публикации: 23.04.2008 13:39
Дата редактирования: 14.01.2009 15:31

подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники