Компоненты группы High Speed SRAM

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Организация: Слов (K)
Организация: Разрядов (бит)
Время
выборки (нс)
Ток потребления: ICC (мА)
Ток потребления: ICC Shutdown (мкА)
VCC (В) От до
TA (°C) От до
Корпус
Страницы: 1 2 3 4 5 ... 16 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Организация Время
выборки
нс
Ток потребления VCC
В
TA
°C
Корпус
Слов
K
Разрядов
бит
ICC
мА
ICC Shutdown
мкА
                         
IS61QDB24M18 Счетверенное синхронное ОЗУ объемом 72Мб (4Mx18) ISSI SRAM
High Speed SRAM
4096 18 3.3 800 200 1.71 ... 1.89 0 ... 70 FBGA-165
IS61QDB44M18 Счетверенное синхронное ОЗУ объемом 72Мб (4Mx18) ISSI High Speed SRAM
4096 18 3.3 850 400 1.71 ... 1.89 0 ... 70 FBGA-165
IS61QDB22M36 Счетверенное синхронное ОЗУ объемом 72Мб (2Mx36) ISSI High Speed SRAM
2048 36 3.3 800 200 1.71 ... 1.89 0 ... 70 FBGA-165
IS61QDB42M36 Счетверенное синхронное ОЗУ объемом 72Мб (2Mx36) ISSI High Speed SRAM
2048 36 3.3 850 400 1.71 ... 1.89 0 ... 70 FBGA-165
IS61QDB42M18 Счетверенное синхронное ОЗУ объемом 36Мб (2Mx18) ISSI High Speed SRAM
2048 18 5 500 200 1.71 ... 1.89 0 ... 70 FBGA-165
IS61QDB22M18 Счетверенное синхронное ОЗУ объемом 36Мб (2Mx18) ISSI High Speed SRAM
2048 18 3 700 200 1.71 ... 1.89 0 ... 70 FBGA-165
IS61QDB41M36 Счетверенное синхронное ОЗУ объемом 36Мб (1Mx36) ISSI High Speed SRAM
1024 36 5 500 200 1.71 ... 1.89 0 ... 70 FBGA-165
IS61QDB21M36 Счетверенное синхронное ОЗУ объемом 36Мб (1Mx36) ISSI High Speed SRAM
1024 36 3 700 200 1.71 ... 1.89 0 ... 70 FBGA-165
CY7C1006BN Статическая память 256K x 4 Cypress High Speed SRAM
256 4 15 80 5 4.5 ... 5.5 -45 ... 85 SOJ-28 (300mil)
IDT71V256SA Низкопотребляющая асинхронная статическая память объемом 256К (32Кх8) IDT High Speed SRAM
32 8 10 100 200 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 SOJ-28 (300mil)
TSOP-28
1645РУ2 Микросхема оперативно запоминающего устройства статического типа емкостью 64 Кбит (8К x 8 бит) с повышенной стойкостью к воздействию специальных факторов Миландр High Speed SRAM
8 8 55 160 3000 4.5 ... 5.5 -60 ... 125 4119.28-6
1645РУ3 Микросхема оперативно запоминающего устройства статического типа емкостью 4 Мбит (256К x 16 бит) Миландр High Speed SRAM
256 16 20 120 1000 3 ... 3.6 -60 ... 125 Н18.64-3B
1645РУ4 Микросхема оперативно запоминающего устройства статического типа емкостью 16 Мбит (1М x 16 бит) Миландр High Speed SRAM
1024 16 30 150 5000 3 ... 3.6 -60 ... 125 5134.64-6
1645РУ1 Микросхема оперативно запоминающего устройства статического типа емкостью 1 Мбит (128К x 8) бит Миландр High Speed SRAM
128 8 25 120 1000 3 ... 5.5 -60 ... 125 Н18.64-3B
IS66WVE4M16BLL Малопотребляющее статическое псевдо-ОЗУ 64Mb ISSI High Speed SRAM
4096 16 70 30 - 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 TSOPI-48
TFBGA-48
IS66WV51216ALL Малопотребляющее статическое псевдо-ОЗУ 512Кх16 ISSI High Speed SRAM
512 16 70 25 120 1.7 ... 1.95 -40 ... 85 BGA-48
TSOPII-44
IS66WV51216BLL Малопотребляющее статическое псевдо-ОЗУ 512Кх16 ISSI High Speed SRAM
512 16 55 35 150 2.5 ... 3.6 -40 ... 105 BGA-48
TSOPII-44
IS66WV25632ALL Малопотребляющее статическое псевдо-ОЗУ 256Кх32 ISSI High Speed SRAM
256 32 70 25 180 1.7 ... 1.95 -40 ... 85 BGA-90
IS66WV25632BLL Малопотребляющее статическое псевдо-ОЗУ 256Кх32 ISSI High Speed SRAM
256 32 55 35 200 2.5 ... 3.6 -40 ... 105 BGA-90
IS66WV25616ALL Малопотребляющее статическое псевдо-ОЗУ 256Кх16 ISSI High Speed SRAM
256 16 70 25 120 1.7 ... 1.95 -40 ... 85 BGA-48
TSOPII-44
Страницы: 1 2 3 4 5 ... 16 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019