Компоненты группы High Speed SRAM
Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Организация | Время выборки нс |
Ток потребления | VCC В |
TA °C |
Корпус | |||
Слов K |
Разрядов бит |
ICC мА |
ICC Shutdown мкА |
|||||||||
AS7C1028 | Асинхронная статическая память 256Кх4 и напряжением питания 5В | Alliance Memory |
High Speed SRAM |
256 | 4 | 12 | 50 | 5 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
|
IDT71128 | Асинхронная статическая память объемом 1Мб (256Кх4) | IDT |
High Speed SRAM |
256 | 4 | 12 | 155 | 5 | -40 ... 85 | 4.5 ... 5.5 |
|
|
IDT71028 | Асинхронная статическая память объемом 1Мб (256Кх4) | IDT |
High Speed SRAM |
256 | 4 | 12 | 155 | 5 | -40 ... 85 | 4.5 ... 5.5 |
|
|
GS74104A | Асинхронная статическая память объемом 4Мб (1M x 4) | GSI Technology |
High Speed SRAM |
1024 | 4 | 8 | 120 | 2 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
|
CY7C1006BN | Статическая память 256K x 4 | Cypress |
High Speed SRAM |
256 | 4 | 15 | 80 | 5 | 4.5 ... 5.5 | -45 ... 85 |
|
|
K6R4004C1D | Быстродействующая асинхронная SRAM 1Мх4 с напряжением питания 5.0В | Samsung Electronics |
High Speed SRAM |
1024 | 4 | 10 | 75 | 5 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
|
AS7C1029 | Асинхронная статическая память 256Кх4 и напряжением питания 5В | Alliance Memory |
High Speed SRAM |
256 | 4 | 12 | 50 | 5 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
|
W24257AS | Высокоскоростная статическая память 32К х 8 | Winbond |
High Speed SRAM |
32 | 8 | 35 | 100 | 15 | 4.75 ... 5.25 | 0 ... 70 |
|
|
IS65LV256AL | Малопотребляющее статическое ОЗУ 32Кх8 | ISSI |
High Speed SRAM |
32 | 8 | 45 | 8 | 50 | 2.7 ... 3.3 | -40 ... 125 |
|
|
IDT71V424S | Асинхронная статическая память объемом 4Мб (512Кх8) и напряжением 3.3В | IDT |
High Speed SRAM |
512 | 8 | 10 | 180 | 5 | -40 ... 85 | 3 ... 3.6 |
|
|
IS62LV256AL | Малопотребляющее статическое ОЗУ 32Кх8 | ISSI |
High Speed SRAM |
32 | 8 | 20 | 5 | 20 | 2.7 ... 3.3 | -40 ... 85 |
|
|
AS7C1025C | Асинхронная статическая память 128Кх8 и напряжением питания 5В | Alliance Memory |
High Speed SRAM |
128 | 8 | 12 | 50 | 5 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
|
IS62WV20488BLL | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 2Мх8 | ISSI |
High Speed SRAM |
2048 | 8 | 25 | 30 | 150 | 2.4 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
|
IDT71V124SA | Асинхронная статическая память объемом 1Мб (128Кх8) и напряжением 3.3В | IDT |
High Speed SRAM |
128 | 8 | 10 | 145 | 5 | -40 ... 85 | 3 ... 3.6 |
|
|
IS61C5128AL | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 512х8 | ISSI |
High Speed SRAM |
512 | 8 | 10 | 50 | 200 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
|
AS7C1025B | Асинхронная статическая память 128Кх8 и напряжением питания 5В | Alliance Memory |
High Speed SRAM |
128 | 8 | 10 | 20 | 1 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
|
IS62WV20488ALL | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 2Мх8 | ISSI |
High Speed SRAM |
2048 | 8 | 35 | 25 | 150 | 1.65 ... 2.2 | -40 ... 85 |
|
|
IS61C5128AS | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 512х8 | ISSI |
High Speed SRAM |
512 | 8 | 25 | 20 | 200 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 125 |
|
|
AS7C1024C | Асинхронная статическая память 128Кх8 и напряжением питания 5В | Alliance Memory |
High Speed SRAM |
128 | 8 | 12 | 50 | 5 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
|
IS64WV20488ALL | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 2Мх8 | ISSI |
High Speed SRAM |
2048 | 8 | 8 | 140 | 700 | 2.4 ... 3.6 | -40 ... 125 |
|