Компоненты группы High Speed SRAM

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Организация: Слов (K)
Организация: Разрядов (бит)
Время
выборки (нс)
Ток потребления: ICC (мА)
Ток потребления: ICC Shutdown (мкА)
VCC (В) От до
TA (°C) От до
Корпус
Страницы: 1 2 3 4 5 ... 16 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Организация Время
выборки
нс
Ток потребления VCC
В
TA
°C
Корпус
Слов
K
Разрядов
бит
ICC
мА
ICC Shutdown
мкА
                         
AS7C1028 Асинхронная статическая память 256Кх4 и напряжением питания 5В Alliance Memory High Speed SRAM
256 4 12 50 5 4.5 ... 5.5 -40 ... 85 SOJ-28 (300mil)
IDT71128 Асинхронная статическая память объемом 1Мб (256Кх4) IDT High Speed SRAM
256 4 12 155 5 -40 ... 85 4.5 ... 5.5 SOJ-32
IDT71028 Асинхронная статическая память объемом 1Мб (256Кх4) IDT High Speed SRAM
256 4 12 155 5 -40 ... 85 4.5 ... 5.5 SOJ-28 (300mil)
GS74104A Асинхронная статическая память объемом 4Мб (1M x 4) GSI Technology High Speed SRAM
1024 4 8 120 2 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 TSOPII-44
CY7C1006BN Статическая память 256K x 4 Cypress High Speed SRAM
256 4 15 80 5 4.5 ... 5.5 -45 ... 85 SOJ-28 (300mil)
K6R4004C1D Быстродействующая асинхронная SRAM 1Мх4 с напряжением питания 5.0В Samsung Electronics High Speed SRAM
1024 4 10 75 5 4.5 ... 5.5 -40 ... 85 SOJ-32
AS7C1029 Асинхронная статическая память 256Кх4 и напряжением питания 5В Alliance Memory High Speed SRAM
256 4 12 50 5 4.5 ... 5.5 -40 ... 85 SOJ-32
W24257AS Высокоскоростная статическая память 32К х 8 Winbond High Speed SRAM
32 8 35 100 15 4.75 ... 5.25 0 ... 70 SOP-28
IS65LV256AL Малопотребляющее статическое ОЗУ 32Кх8 ISSI High Speed SRAM
32 8 45 8 50 2.7 ... 3.3 -40 ... 125 TSOP-28
IDT71V424S Асинхронная статическая память объемом 4Мб (512Кх8) и напряжением 3.3В IDT High Speed SRAM
512 8 10 180 5 -40 ... 85 3 ... 3.6 SOJ-36 (400mil)
SOJ-44
TSOPII-44
IS62LV256AL Малопотребляющее статическое ОЗУ 32Кх8 ISSI High Speed SRAM
32 8 20 5 20 2.7 ... 3.3 -40 ... 85 TSOP-28
AS7C1025C Асинхронная статическая память 128Кх8 и напряжением питания 5В Alliance Memory High Speed SRAM
128 8 12 50 5 4.5 ... 5.5 -40 ... 85 SOJ-32
IS62WV20488BLL Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 2Мх8 ISSI High Speed SRAM
2048 8 25 30 150 2.4 ... 3.6 -40 ... 85 BGA-48
TSOPII-44
IDT71V124SA Асинхронная статическая память объемом 1Мб (128Кх8) и напряжением 3.3В IDT High Speed SRAM
128 8 10 145 5 -40 ... 85 3 ... 3.6 SOJ-32
TSOPII-32
IS61C5128AL Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 512х8 ISSI High Speed SRAM
512 8 10 50 200 4.5 ... 5.5 -40 ... 85 SOJ-36 (400mil)
SOP-32
TSOPI-32
TSOPII-32
TSOPII-44
AS7C1025B Асинхронная статическая память 128Кх8 и напряжением питания 5В Alliance Memory High Speed SRAM
128 8 10 20 1 4.5 ... 5.5 -40 ... 85 SOJ-32
IS62WV20488ALL Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 2Мх8 ISSI High Speed SRAM
2048 8 35 25 150 1.65 ... 2.2 -40 ... 85 BGA-48
TSOPII-44
IS61C5128AS Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 512х8 ISSI High Speed SRAM
512 8 25 20 200 4.5 ... 5.5 -40 ... 125 SOJ-36 (400mil)
SOP-32
TSOPI-32
TSOPII-32
TSOPII-44
AS7C1024C Асинхронная статическая память 128Кх8 и напряжением питания 5В Alliance Memory High Speed SRAM
128 8 12 50 5 4.5 ... 5.5 -40 ... 85 SOJ-32
IS64WV20488ALL Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 2Мх8 ISSI High Speed SRAM
2048 8 8 140 700 2.4 ... 3.6 -40 ... 125 BGA-48
TSOPII-44
Страницы: 1 2 3 4 5 ... 16 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019