IDT71V424L Асинхронная статическая память объемом 4Мб (512Кх8) и напряжением 3.3В
Блок-схема Увеличить Группа компонентов High Speed SRAMОсновные параметры
|
|
Datasheet
IDT71V424S, IDT71V424L Асинхронная статическая память объемом 4Мб (512Кх8) и напряжением 3.3В (479.7 Кб), 23.04.2008
Автор документа: Жанна Свирина,
|
Дата публикации: 23.04.2008 13:54 Дата редактирования: 14.01.2009 15:31 |