Компоненты группы High Speed SRAM
| Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Организация | Время выборки нс |
Ток потребления | VCC В |
TA °C |
Корпус | |||
| Слов K |
Разрядов бит |
ICC мА |
ICC Shutdown мкА |
|||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
| 1645РУ1 | Микросхема оперативно запоминающего устройства статического типа емкостью 1 Мбит (128К x 8) бит |
|
Миландр |
High Speed SRAM |
128 | 8 | 25 | 120 | 1000 | 3 ... 5.5 | -60 ... 125 |
Н18.64-3B |
| 1645РУ3 | Микросхема оперативно запоминающего устройства статического типа емкостью 4 Мбит (256К x 16 бит) |
|
Миландр |
High Speed SRAM |
256 | 16 | 20 | 120 | 1000 | 3 ... 3.6 | -60 ... 125 |
Н18.64-3B |
| CY7S1061G30 | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ емкостью 16 Мбит с малой потребляемой мощностью и встроенной схемой коррекции ошибок ECC |
|
Cypress |
High Speed SRAM |
1024 | 16 | 10 | 110 | 30000 | 2.2 ... 3.6 | -40 ... 85 |
TSOPI-48 |
| CY7S1061G | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ емкостью 16 Мбит с малой потребляемой мощностью и встроенной схемой коррекции ошибок ECC |
|
Cypress |
High Speed SRAM |
1024 | 16 | 10 | 110 | 30000 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
TSOPI-48 |
| CY7S1061G18 | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ емкостью 16 Мбит с малой потребляемой мощностью и встроенной схемой коррекции ошибок ECC |
|
Cypress |
High Speed SRAM |
1024 | 16 | 15 | 80 | 30000 | 1.65 ... 2.2 | -40 ... 85 |
TSOPI-48 |
| LP61L1024 | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 128Кх8 |
|
AMIC Technology |
High Speed SRAM |
256 | 36 | 12 | 130 | 500 | 3 ... 3.6 | 0 ... 70 |
|
| W24257AQ | Высокоскоростная статическая память 32К х 8 |
|
Winbond |
High Speed SRAM |
32 | 8 | 35 | 100 | 15 | 4.75 ... 5.25 | 0 ... 70 |
TSSOP-28 |
| IS62WV20488BLL | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 2Мх8 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
2048 | 8 | 25 | 30 | 150 | 2.4 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| IS64WV12816BLL | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 128Кx16 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
128 | 16 | 15 | 25 | 400 | 2.5 ... 3.6 | -40 ... 125 |
|
| IS61C3216AL | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 32х16 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
32 | 16 | 12 | 45 | 350 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
| IS66WV25616ALL | Малопотребляющее статическое псевдо-ОЗУ 256Кх16 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
256 | 16 | 70 | 25 | 120 | 1.7 ... 1.95 | -40 ... 85 |
|
| K6R4016V1D | Быстродействующая асинхронная SRAM 256Кх16 |
|
Samsung Electronics |
High Speed SRAM |
256 | 16 | 8 | 80 | 5 | 3 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| AS7C34096A | Асинхронная статическая память 512Кх8 и напряжением питания 3.3В |
|
Alliance Memory |
High Speed SRAM |
512 | 8 | 10 | 20 | 1 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| IS65C6416AL | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 64х16 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
64 | 16 | 35 | 15 | 10 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 125 |
|
| IS61C5128AL | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 512х8 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
512 | 8 | 10 | 50 | 200 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
| IS61C5128AL | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 512х8 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
512 | 8 | 10 | 50 | 120 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
| IS64WV51216BLL | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 512Кх16 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
512 | 16 | 10 | 140 | 600 | 2.4 ... 3.6 | -40 ... 125 |
|
