Компоненты группы High Speed SRAM

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Организация: Слов (K)
Организация: Разрядов (бит)
Время
выборки (нс)
Ток потребления: ICC (мА)
Ток потребления: ICC Shutdown (мкА)
VCC (В) От до
TA (°C) От до
Корпус
Страницы: 1 2 3 4 5 ... 16 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Организация Время
выборки
нс
Ток потребления VCC
В
TA
°C
Корпус
Слов
K
Разрядов
бит
ICC
мА
ICC Shutdown
мкА
                         
1645РУ1 Микросхема оперативно запоминающего устройства статического типа емкостью 1 Мбит (128К x 8) бит Миландр High Speed SRAM
128 8 25 120 1000 3 ... 5.5 -60 ... 125 Н18.64-3B
1645РУ3 Микросхема оперативно запоминающего устройства статического типа емкостью 4 Мбит (256К x 16 бит) Миландр High Speed SRAM
256 16 20 120 1000 3 ... 3.6 -60 ... 125 Н18.64-3B
CY7S1061G30 Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ емкостью 16 Мбит с малой потребляемой мощностью и встроенной схемой коррекции ошибок ECC Cypress High Speed SRAM
1024 16 10 110 30000 2.2 ... 3.6 -40 ... 85 TSOPI-48
TSOPII-54
VFBGA-48
CY7S1061G Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ емкостью 16 Мбит с малой потребляемой мощностью и встроенной схемой коррекции ошибок ECC Cypress High Speed SRAM
1024 16 10 110 30000 4.5 ... 5.5 -40 ... 85 TSOPI-48
TSOPII-54
VFBGA-48
CY7S1061G18 Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ емкостью 16 Мбит с малой потребляемой мощностью и встроенной схемой коррекции ошибок ECC Cypress High Speed SRAM
1024 16 15 80 30000 1.65 ... 2.2 -40 ... 85 TSOPI-48
TSOPII-54
VFBGA-48
LP61L1024 Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 128Кх8 AMIC Technology High Speed SRAM
256 36 12 130 500 3 ... 3.6 0 ... 70 CSP-36
SOJ-32
TSOPII-32
TSSOP-32
W24257AQ Высокоскоростная статическая память 32К х 8 Winbond High Speed SRAM
32 8 35 100 15 4.75 ... 5.25 0 ... 70 TSSOP-28
IS62WV20488BLL Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 2Мх8 ISSI High Speed SRAM
2048 8 25 30 150 2.4 ... 3.6 -40 ... 85 BGA-48
TSOPII-44
IS64WV12816BLL Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 128Кx16 ISSI High Speed SRAM
128 16 15 25 400 2.5 ... 3.6 -40 ... 125 BGA-48
TSOPII-44
IS61C3216AL Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 32х16 ISSI High Speed SRAM
32 16 12 45 350 4.5 ... 5.5 -40 ... 85 SOJ-44
TSOPII-44
IS66WV25616ALL Малопотребляющее статическое псевдо-ОЗУ 256Кх16 ISSI High Speed SRAM
256 16 70 25 120 1.7 ... 1.95 -40 ... 85 BGA-48
TSOPII-44
K6R4016V1D Быстродействующая асинхронная SRAM 256Кх16 Samsung Electronics High Speed SRAM
256 16 8 80 5 3 ... 3.6 -40 ... 85 SOJ-44
TFBGA-48
TSOPII-44
AS7C34096A Асинхронная статическая память 512Кх8 и напряжением питания 3.3В Alliance Memory High Speed SRAM
512 8 10 20 1 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 SOJ-36 (400mil)
TSOPII-44
IS65C6416AL Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 64х16 ISSI High Speed SRAM
64 16 35 15 10 4.5 ... 5.5 -40 ... 125 SOJ-44
TSOPII-44
IS61C5128AL Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 512х8 ISSI High Speed SRAM
512 8 10 50 200 4.5 ... 5.5 -40 ... 85 SOJ-36 (400mil)
SOP-32
TSOPI-32
TSOPII-32
TSOPII-44
IS61C5128AL Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 512х8 ISSI High Speed SRAM
512 8 10 50 120 4.5 ... 5.5 -40 ... 85 SOJ-36 (400mil)
SOP-32
TSOPI-32
TSOPII-32
TSOPII-44
IS64WV51216BLL Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 512Кх16 ISSI High Speed SRAM
512 16 10 140 600 2.4 ... 3.6 -40 ... 125 BGA-48
TSOPII-44
Страницы: 1 2 3 4 5 ... 16 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019