Компоненты группы MOSFET транзисторы
| Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Полярность | Каналов шт |
VDS В |
RDS(ON) 1.8 В мОм |
RDS(ON) 2,5 В мОм |
RDS(ON) 2,7 В мОм |
RDS(ON) 4.5 В мОм |
RDS(ON) 10 В мОм |
ID А |
PD Вт |
Корпус | |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
| FDB8870 | N-Channel PowerTrench MOSFET |
|
Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 30 | - | - | - | 3.8 | 3.2 | 160 | 160 |
|
| TSM160N10CZ | Силовой N-канальный MOSFET транзистор, 100 В, 160 А |
|
Taiwan Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 100 | - | - | - | - | 5.5 | 160 | 300 |
TO-220 |
| IXTF280N055T | N-канальный силовой TrenchMV MOSFET транзистор |
|
IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 55 | 4 | 4 | 4 | 4 | 4 | 160 | 200 |
|
| IRL1404S | HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel |
|
International Rectifier (IRF) |
MOSFET |
N | 1 | 40 | - | - | - | - | 4 | 160 | 3.8 |
D2-PAK |
| STV160NF03L | N-CHANNEL 30V - 0.0019W - 160A PowerSO-10 STripFET™ POWER MOSFET |
|
STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 30 | - | - | - | - | 1.9 | 160 | 240 |
|
| IRL1404L | HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel |
|
International Rectifier (IRF) |
MOSFET |
N | 1 | 40 | - | - | - | - | 4 | 160 | 3.8 |
TO-262 |
| IRL1404 | HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel |
|
International Rectifier (IRF) |
MOSFET |
N | 1 | 40 | - | - | - | - | 4 | 160 | 200 |
TO-220AB |
| STV160NF02LA | N-CHANNEL 20V - 0.0018W - 160A PowerSO-10 STripFET™ POWER MOSFET |
|
STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 20 | - | - | - | - | 1.8 | 160 | 240 |
|
| IXTQ160N10T | N-канальный силовой TrenchMV MOSFET транзистор |
|
IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 100 | 7 | 7 | 7 | 7 | 7 | 160 | 430 |
|
| STV160NF02L | N-CHANNEL 20V - 0.0016? - 160A PowerSO-10 STripFET™ II POWER MOSFET |
|
STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 20 | - | - | - | - | 1.6 | 160 | 240 |
|
| IXTH160N10T | N-канальный силовой TrenchMV MOSFET транзистор |
|
IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 100 | 7 | 7 | 7 | 7 | 7 | 160 | 430 |
|
| IXTK160N20 | Стандартный N-канальный силовой MOSFET |
|
IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 200 | 13 | 13 | 13 | 13 | 13 | 160 | 730 |
|
| FQA160N08 | 80V N-Channel MOSFET |
|
Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 80 | - | - | - | - | 5.6 | 160 | 375 |
TO-3PN |
| IXTA160N10T7 | N-канальный силовой TrenchMV MOSFET транзистор |
|
IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 100 | 7 | 7 | 7 | 7 | 7 | 160 | 430 |
TO-263-7 |
| IRF2907ZS-7PPBF | HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel |
|
International Rectifier (IRF) |
MOSFET |
N | 1 | 75 | - | - | - | - | 3.8 | 160 | 300 |
D2-PAK |
| IXTP160N10T | N-канальный силовой TrenchMV MOSFET транзистор |
|
IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 100 | 7 | 7 | 7 | 7 | 7 | 160 | 430 |
TO-220 |
| IXTA160N10T | N-канальный силовой TrenchMV MOSFET транзистор |
|
IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 100 | 7 | 7 | 7 | 7 | 7 | 160 | 430 |
|
| IXTP160N085T | Trench Gate Power MOSFET |
|
IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 85 | - | - | - | - | 5 | 160 | 360 |
TO-220 |
| IRFB3306PBF | HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel |
|
International Rectifier (IRF) |
MOSFET |
N | 1 | 60 | - | - | - | - | 4.2 | 160 | 230 |
TO-220AB |
| IXTA160N085T | N-канальный силовой Trench MOSFET транзистор |
|
IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 85 | 6 | 6 | 6 | 6 | 6 | 160 | 360 |
|
