Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

Компоненты группы MOSFET транзисторы
 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: предыдущая 1 ... 20 21 22 23 24 25 26 27 28 ... 431 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт		 VDS
В		 RDS(ON) 1.8 В
мОм		 RDS(ON) 2,5 В
мОм		 RDS(ON) 2,7 В
мОм		 RDS(ON) 4.5 В
мОм		 RDS(ON) 10 В
мОм		 ID
А		 PD
Вт		 Корпус
                               
FDMS7660 N-канальный MOSFET-транзистор PowerTrench® 30 В, 42 А, 2.8 мОм Fairchild Semiconductor MOSFET
 N 1 30 - - - 2.7 1.9 144 78 Power 56
IRF1607 HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
 N 1 75 - - - - 7.5 142 380 TO-220AB
IXTK140N20P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 200 18 18 18 18 18 140 800 TO-264
IXFT140N10P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 100 11 11 11 11 11 140 600 TO-268
IXFK140N30P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 300 24 24 24 24 24 140 1040 TO-264
IRLR7833 HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
 N 1 30 - - - 5.5 4.5 140 140 D-PAK
IXFH140N10P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 100 11 11 11 11 11 140 600 TO-247
IRF3305 HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
 N 1 55 - - - - 8 140 330 TO-220AB
IXTK140N30P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 300 24 24 24 24 24 140 1040 TO-264
IXFK140N25T N-канальный силовой GigaMOS MOSFET транзистор IXYS MOSFET
 N 1 250 17 17 17 17 17 140 960 TO-264
IXTP140N055T2 N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор IXYS MOSFET
 N 1 55 5.4 5.4 5.4 5.4 5.4 140 250 TO-220
IXFX140N25T N-канальный силовой GigaMOS MOSFET транзистор IXYS MOSFET
 N 1 250 17 17 17 17 17 140 960 PLUS247
IXTA140N055T2 N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор IXYS MOSFET
 N 1 55 5.4 5.4 5.4 5.4 5.4 140 250 TO-263
IRL3803VS HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
 N 1 30 - - - 7.5 5.5 140 200 D2-PAK
IXTL2x240N055T N-канальный силовой TrenchMV MOSFET транзистор IXYS MOSFET
 N 2 55 4.4 4.4 4.4 4.4 4.4 140 150 ISOPLUS_i5
IRF3808 HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
 N 1 75 - - - - 7 140 330 TO-220AB
IRL3803VL HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
 N 1 30 - - - 7.5 5.5 140 200 TO-262
FQA140N10 100V N-Channel MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
 N 1 100 - - - - 8 140 375 TO-3PN
IRL3803V HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
 N 1 30 - - - 7.5 5.5 140 200 TO-220AB
IRL3803S HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
 N 1 30 - - - 9 6 140 200 D2-PAK
Страницы: предыдущая 1 ... 20 21 22 23 24 25 26 27 28 ... 431 следующая



подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники