Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

IXTQ160N10T N-канальный силовой TrenchMV MOSFET транзистор

 

Блок-схема

IXTQ160N10T, N-канальный силовой TrenchMV MOSFET транзистор

Группа компонентов

MOSFET

Основные параметры

Полярность N
Каналов,шт 1
VDS,В 100
RDS(ON) 1.8 В,мОм 7
RDS(ON) 2,7 В,мОм 7
RDS(ON) 2,5 В,мОм 7
RDS(ON) 4.5 В,мОм 7
RDS(ON) 10 В,мОм 7
ID,А 160
PD,Вт 430
Корпус TO-3P

Общее описание
Datasheet
 
IXTH160N10T, IXTQ160N10T (186.9 Кб), 18.02.2009

Производитель
 

Где купить
 

Поставки и консультации:

    Тел: (812) 325 3685
    Тел: (812) 786 8579 (факс)


Дистрибуторы

Дилеры

Где купить ещё

Datasheet

IXTH160N10T, IXTQ160N10T TrenchMV Power MOSFET (186.9 Кб), 18.02.2009



Автор документа: Serega , Кол-во просмотров: 555 Дата публикации: 18.02.2009 19:59
Дата редактирования: 19.01.2012 11:21

подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники