Компоненты группы NVSRAM

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Организация: Слов (K)
Организация: Разрядов (бит)
ICC(STB) (мкА)
ICC (мА)
Время
выборки (нс)
VCC (В) От до
TA (°C) От до
Корпус

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Организация ICC(STB)
мкА
ICC
мА
Время
выборки
нс
VCC
В
TA
°C
Корпус
Слов
K
Разрядов
бит
                         
DS1557 Энергонезависимая SRAM объемом 4Мб с Y2K-совместимыми часами реального времени Maxim Integrated NVSRAM
512 8 6000 90 70 4.5 ... 5.5 -40 ... 85 PCM-34
DS1345AB Энергонезависимая SRAM емкостью 1024К со встроенной литиевой батареей Maxim Integrated NVSRAM
128 8 150 85 70 4.75 ... 5.25 -40 ... 85 PCM-34
DS3050W Энергонезависимая SRAM объемом 4Мб, напряжением 3.3В и встроенным RTC Maxim Integrated NVSRAM
512 8 5000 50 100 3 ... 3.6 -40 ... 85 PBGA-256
DS1556W Энергонезависимая SRAM объемом 1Мб с Y2K-совместимыми часами реального времени Maxim Integrated NVSRAM
128 8 4000 30 120 3 ... 3.6 -40 ... 85 MOD-32
PCM-34
DS1330Y Энергонезависимая SRAM емкостью 256К со встроенной литиевой батареей Maxim Integrated NVSRAM
32 8 150 85 70 4.5 ... 5.5 -40 ... 85 PCM-34
DS2045L Однокристальная энергонезависимая SRAM объемом 1Мб и напряжением 3.3В Maxim Integrated NVSRAM
128 8 1000 50 100 3 ... 3.6 -40 ... 85 PBGA-256
DS1556 Энергонезависимая SRAM объемом 1Мб с Y2K-совместимыми часами реального времени Maxim Integrated NVSRAM
128 8 6000 85 70 4.5 ... 5.5 -40 ... 85 MOD-32
PCM-34
DS1330AB Энергонезависимая SRAM емкостью 256К со встроенной литиевой батареей Maxim Integrated NVSRAM
32 8 150 85 70 4.75 ... 5.25 -40 ... 85 PCM-34
DS2030L Энергонезависимая SRAM объемом 256Кб и напряжением 3.3В Maxim Integrated NVSRAM
32 8 1000 50 100 3 ... 3.6 -40 ... 85 PBGA-256
DS1270Y Энергонезависимая SRAM емкостью 16Мб Maxim Integrated NVSRAM
2048 8 250 85 70 4.5 ... 5.5 -40 ... 85 MOD-36
M48T35Y Энергонезависимая SRAM объемом 256Кб с функцией хранения реального времени STMicroelectronics NVSRAM
32 8 2000 30 70 4.5 ... 5.5 -40 ... 85 PCDIP-28
SOH-28
DS3045W Энергонезависимая SRAM объемом 1Мб, напряжением 3.3В и встроенным RTC Maxim Integrated NVSRAM
128 8 5000 50 100 3 ... 3.6 -40 ... 85 PBGA-256
DS1554 Энергонезависимая SRAM объемом 256Кб с Y2K-совместимыми часами реального времени Maxim Integrated NVSRAM
32 8 6000 75 70 4.5 ... 5.5 -40 ... 85 MOD-32
PCM-34
DS1270AB Энергонезависимая SRAM емкостью 16Мб Maxim Integrated NVSRAM
2048 8 250 85 70 4.75 ... 5.25 -40 ... 85 MOD-36
DS3030W Энергонезависимая SRAM объемом 256Кб, напряжением 3.3В и встроенным RTC Maxim Integrated NVSRAM
32 8 5000 50 100 3 ... 3.6 -40 ... 85 PBGA-256
DS1265Y Энергонезависимая SRAM емкостью 8Мб Maxim Integrated NVSRAM
1024 8 200 85 70 4.5 ... 5.5 -40 ... 85 MOD-36
DS3070W Энергонезависимая SRAM объемом 16Мб и напряжением 3.3В и встроенным RTC Maxim Integrated NVSRAM
2048 8 5000 50 100 3 ... 3.6 -40 ... 85 PBGA-256
DS1265AB Энергонезависимая SRAM емкостью 8Мб Maxim Integrated NVSRAM
1024 8 200 85 70 4.75 ... 5.25 -40 ... 85 MOD-36
M440T1MV Энергонезависимая SRAM объемом 32Мб с функцией хранения реального времени STMicroelectronics NVSRAM
1024 32 3000 210 85 3 ... 3.6 -15 ... 75 PBGA-168
M48Z58Y Энергонезависимая SRAM объемом 64Кб с функцией долговременного хранения данных STMicroelectronics NVSRAM
8 8 3000 50 70 4.5 ... 5.5 0 ... 70 PCDIP-28
SOH-28




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019