Компоненты группы NVSRAM

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Организация: Слов (K)
Организация: Разрядов (бит)
ICC(STB) (мкА)
ICC (мА)
Время
выборки (нс)
VCC (В) От до
TA (°C) От до
Корпус

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Организация ICC(STB)
мкА
ICC
мА
Время
выборки
нс
VCC
В
TA
°C
Корпус
Слов
K
Разрядов
бит
                         
M48Z129Y Энергонезависимая SRAM объемом 1Мб с функцией долговременного хранения данных STMicroelectronics NVSRAM
128 8 4000 95 70 4.5 ... 5.5 0 ... 70 PMDIP-32
DS1225AB Энергонезависимая SRAM емкостью 64Кб Maxim Integrated NVSRAM
8 8 5000 85 70 4.75 ... 5.25 -40 ... 85 MOD-28
DS1244Y Энергонезависимая SRAM емкостью 256 кбит со скрытыми часами реального времени Maxim Integrated NVSRAM
32 8 5000 85 70 4.5 ... 5.5 0 ... 70 MOD-28
PCM-34
M48Z129V Энергонезависимая SRAM объемом 1Мб с функцией долговременного хранения данных STMicroelectronics NVSRAM
128 8 3000 50 85 3 ... 3.6 0 ... 70 PMDIP-32
DS1220AD Энергонезависимая SRAM емкостью 16Кб Maxim Integrated NVSRAM
2 8 5000 85 100 4.5 ... 5.5 -40 ... 85 MOD-24
DS1747 Энергонезависимая SRAM с Y2K-совместимыми часами реального времени Maxim Integrated NVSRAM
512 8 4000 85 70 4.5 ... 5.5 -40 ... 85 MOD-32
PCM-34
DS1243Y Энергонезависимая SRAM емкостью 64 кбит со скрытыми часами реального времени Maxim Integrated NVSRAM
8 8 5000 85 120 4.5 ... 5.5 0 ... 70 MOD-28
M48Z128V Энергонезависимая SRAM объемом 1Мб с функцией долговременного хранения данных STMicroelectronics NVSRAM
128 8 3000 50 85 3 ... 3.6 0 ... 70 PMDIP-32
DS1220AB Энергонезависимая SRAM емкостью 16Кб Maxim Integrated NVSRAM
2 8 5000 85 100 4.75 ... 5.25 -40 ... 85 MOD-24
DS1746W Энергонезависимая SRAM с Y2K-совместимыми часами реального времени Maxim Integrated NVSRAM
128 8 2000 30 120 3 ... 3.6 -40 ... 85 MOD-32
PCM-34
DS2227 Энергонезависимая SRAM с гибкой архитектурой: 128k x 32; 256k x 16; 512k x 8 Maxim Integrated NVSRAM
512 8 - 280 70 4.5 ... 5.5 0 ... 70 SIMM-72
M48Z128Y Энергонезависимая SRAM объемом 1Мб с функцией долговременного хранения данных STMicroelectronics NVSRAM
128 8 4000 105 70 4.5 ... 5.5 0 ... 70 PMDIP-32
DS1270W Энергонезависимая SRAM емкостью 16 Мбит с напряжением питания 3,3В Maxim Integrated NVSRAM
2048 8 200 50 100 3 ... 3.6 -40 ... 85 MOD-36
DS1746 Энергонезависимая SRAM с Y2K-совместимыми часами реального времени Maxim Integrated NVSRAM
128 8 4000 85 70 4.5 ... 5.5 -40 ... 85 MOD-32
PCM-34
DS1350W Энергонезависимая SRAM емкостью 4096К со встроенной литиевой батареей и напряжением питания 3.3В Maxim Integrated NVSRAM
512 8 150 50 100 3 ... 3.6 -40 ... 85 PCM-34
M48Z128 Энергонезависимая SRAM объемом 1Мб с функцией долговременного хранения данных STMicroelectronics NVSRAM
128 8 4000 105 70 4.75 ... 5.5 0 ... 70 PMDIP-32
DS1265W Энергонезависимая SRAM емкостью 8 Мб с напряжением питания 3,3 В Maxim Integrated NVSRAM
1024 8 150 50 100 3 ... 3.6 -40 ... 85 MOD-36
DS1744W Энергонезависимая SRAM с Y2K-совместимыми часами реального времени Maxim Integrated NVSRAM
32 8 2000 30 120 3 ... 3.6 -40 ... 85 MOD-28
PCM-34
DS1345W Энергонезависимая SRAM емкостью 1024К со встроенной литиевой батареей и напряжением питания 3.3В Maxim Integrated NVSRAM
128 8 150 50 100 3 ... 3.6 -40 ... 85 PCM-34
M48Z18 Энергонезависимая SRAM объемом 64Кб с функцией долговременного хранения данных STMicroelectronics NVSRAM
8 8 3000 80 100 4.5 ... 5.5 0 ... 70 PCDIP-28




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019