|
Группа компонентов
NVSRAM
Основные параметры
| Организация: Слов,K |
128
|
| Организация: Разрядов,бит |
8
|
| ICC,мА |
1
|
| ICC(STB),мкА |
150
|
Время
выборки,нс |
5
|
| VCC,В |
от 2.7 до 3.6
|
| TA,°C |
от -40 до 85
|
| Корпус |
SOIC-16
|
Общее описание
Отличительные особенности:
- Организация памяти: 1 Мбит (128К х 8)
- Пропускная способность
- Высокоскоростной интерфейс с рабочей частотой 108 МГц
- Запись/чтение со скоростью до 54 Мбит/с
- Последовательный периферийный интерфейс
- Ведомое устройство в режимах SPI mode 0 и 3
- Несколько режимов ввода/вывода — 1-проводной SPI, 2-проводной SPI (DPI) и 4-проводной SPI (QPI)
- Высокая надежность
- Неограниченное число циклов чтения/записи области SRAM-памяти
- 1 млн. циклов записи в энергонезависимую область памяти (SONOS FLASH)
- Сохранность данных: 20 лет при макс. температуре +85°C
- Защита данных
- Аппаратная: защита от записи посредством вывода WP
- Программная: посредством команды запрета записи
- Защита блоков памяти: посредством регистра статуса
- Встроенные часы реального времени (RTC): только в CY14V101PS
- Режимы пониженного энергопотребления
- Режим сна: средний ток потребления 280 мкА при при температуре +85°C
- Режим глубокого сна: средний ток потребления 8 мкА при при температуре +85°C
- Напряжение питания
- Ядра: от 2.7 В до 3.6 В
- Портов ввода/вывода: от 1.71 В до 2.0 В
- Диапазон рабочих температур: от -40°C до +85°C
- Корпус: 16-выводной SOIC
Область применения:
- Вычислительная техника и сетевые устройства
- Промышленная автоматика
- Системы хранения на основе RAID-массивов
- Приборы учета
|
Datasheet
 CY14V101QS (1.3 Мб), 20.11.2015
Производитель
Где купить
Дилеры
Где купить ещё
|
