+ M48Z512AY, Энергонезависимая SRAM объемом 4Мб с функцией долговременного хранения данных
 

M48Z512AY Энергонезависимая SRAM объемом 4Мб с функцией долговременного хранения данных

 

Блок-схема

M48Z512AY, Энергонезависимая SRAM объемом 4Мб с функцией долговременного хранения данных
Увеличить

Группа компонентов

NVSRAM

Основные параметры

Организация: Слов,K 512
Организация: Разрядов,бит 8
ICC,мА 115
ICC(STB),мкА 5000
Время
выборки
,нс
70
VCC от 4.5 до 5.5
TA,°C от -40 до 85
Корпус PMDIP-32

Общее описание

Эти микросхемы сочетают в себе основные преимущества статических ОЗУ (малое время доступа) и долговременной памяти EEPROM и FLASH (сохранение данных при отключенном питании). Такие функции позволило реализовать, введение дополнительного источника питания (литиевая батарея) непосредственно в корпус микросхемы (корпус типа "Caphat") и использование в качестве базового кристалла КМОП-структур типа LowPowerSram, описанных выше. Применяются эти микросхемы в устройствах, где необходимо частое изменение данных и недопустима их потеря в любой момент времени.

Datasheet
 
M48Z512A, M48Z512AY, M48Z512AV (249.4 Кб), 07.05.2008

Производитель
 

Где купить
 


Дистрибуторы

Дилеры

Где купить ещё

Datasheet

M48Z512A, M48Z512AY, M48Z512AV Энергонезависимая SRAM объемом 4Мб с функцией долговременного хранения данных (249.4 Кб), 07.05.2008




Автор документа: Жанна Свирина, http://www.gaw.ru
Кол-во просмотров: 1475
Дата публикации: 07.05.2008 09:43
Дата редактирования: 10.07.2008 10:31


подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019