Компоненты группы Память
Важно!Имейте в виду, что при выборе Группы компонентов вам будет доступно больше параметров для поиска |
| Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Организация | VCC В |
TA °C |
Корпус | ||
| Слов K |
Разрядов бит |
||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
||
| IS61WV51232ALL | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 512Кx32 с напряжением питания 3.3В |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
512 | 32 | 1.65 ... 2.2 | -40 ... 85 |
|
| IS61LF6432A | Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ 64Кх32 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
64 | 32 | 1.65 ... 2.2 | -40 ... 85 |
TQFP-100 |
| IS62WV20488ALL | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 2Мх8 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
2048 | 8 | 1.65 ... 2.2 | -40 ... 85 |
|
| IS61LF6436A | Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ 64Кх36 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
64 | 36 | 1.65 ... 2.2 | -40 ... 85 |
TQFP-100 |
| IS61WV20488ALL | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 2Мх8 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
2048 | 8 | 1.65 ... 2.2 | -40 ... 85 |
TSOPI-48 |
| IS65WV102416ALL | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 1Мх16 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
1024 | 16 | 1.65 ... 2.2 | -40 ... 125 |
TSOPI-48 |
| IS65WV12816ALL | Малопотребляющее статическое ОЗУ 128Кх16 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
128 | 16 | 1.65 ... 2.2 | -40 ... 125 |
|
| IS62WV102416ALL | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 1Мх16 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
1024 | 16 | 1.65 ... 2.2 | -40 ... 85 |
TSOPI-48 |
| IS61WV102416ALL | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 1Мх16 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
1024 | 16 | 1.65 ... 2.2 | -40 ... 85 |
TSOPI-48 |
| IS61WV25632ALL | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 256Кх32 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
256 | 32 | 1.65 ... 2.2 | -40 ... 85 |
|
| N25Q128A11 | 1.8В, 128 Мб SPI-Flash память |
|
Numonyx |
Serial Flash |
- | 8 | 1.7 ... 2 | -40 ... 85 |
SOIC-16 |
| IS66WV51216ALL | Малопотребляющее статическое псевдо-ОЗУ 512Кх16 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
512 | 16 | 1.7 ... 1.95 | -40 ... 85 |
|
| K9F2G08R0A | 2 Гбит (256М х 8 бит) NAND Flash |
|
Samsung Electronics |
NAND Flash |
- | - | 1.65 ... 1.95 | -40 ... 85 |
FBGA-63 |
| KFH1G16Q2M | 1Гб (64М х 16 бит) OneNAND Flash память |
|
Samsung Electronics |
NAND Flash |
- | - | 1.7 ... 1.95 | -30 ... 85 |
FBGA-63 |
| NAND02GR3B2C | 2Гбит 1.8-вольтовая 8-битная NAND Flash |
|
Numonyx |
NAND Flash |
- | - | 1.7 ... 1.95 | -40 ... 85 |
FBGA-63 |
| KFH4G16Q2M | 4Гб (256М х 16 бит) OneNAND Flash память |
|
Samsung Electronics |
NAND Flash |
- | - | 1.7 ... 1.95 | -30 ... 85 |
FBGA-63 |
| AT25DL161 | 16 Мбит последовательная Flash-память с интерфейсом SPI, минимальное напряжение питания 1.65 В, поблочное стирание (4 Кбайт, 32 Кбайт или 64 Кбайт), побайтовая или постраничная (256 байт) запись, функция записи/считывания двух бит за один такт |
|
Adesto Technologies |
Serial Flash |
- | 8 | 1.65 ... 1.95 | -40 ... 85 |
SOIC-8 |
| KFG2G16Q2M | 2Гб (128М х 16 бит) OneNAND Flash память |
|
Samsung Electronics |
NAND Flash |
- | - | 1.7 ... 1.95 | -30 ... 85 |
FBGA-63 |
| AT25DL081 | 8 Мбит последовательная Flash-память с интерфейсом SPI, минимальное напряжение питания 1.65 В, поблочное стирание (4 Кбайт, 32 Кбайт или 64 Кбайт), побайтовая или постраничная (256 байт) запись, функция записи/считывания двух бит за один такт |
|
Adesto Technologies |
Serial Flash |
- | 8 | 1.65 ... 1.95 | -40 ... 85 |
SOIC-8 |
| NAND01GR3B2B | 1Гбит 1.8-вольтовая 8-битная NAND Flash |
|
Numonyx |
NAND Flash |
- | - | 1.7 ... 1.95 | -40 ... 85 |
FBGA-63 |
