Главная » Документация » Микросхемы » Память » RAM » SRAM » High Speed SRAM

IS61WV51232ALL Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 512Кx32 с напряжением питания 3.3В

Блок-схема

Группа компонентов

High Speed SRAM

Основные параметры

Организация: Слов,K	512
Организация: Разрядов,бит	32
Время выборки,нс	20
Ток потребления: I_CC,мА	60
Ток потребления: I_CC Shutdown,мкА	250
V_CC,В	от 1.65 до 2.2
T_A,°C	от -40 до 85
Корпус	BGA-90

Datasheet

IS61WV51232ALL (333.1 Кб), 28.04.2008

Производитель

Где купить

Datasheet

Автор документа: Жанна Свирина, http://www.gaw.ru
Кол-во просмотров: 1118

Дата публикации: 28.04.2008 09:12
Дата редактирования: 19.01.2009 11:42

Мероприятия:

Поиск				В компонентах В документах По PDF базе По фирмам
		по всем полям Расширенный поиск