Компоненты группы Память

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Организация: Слов (K)
Организация: Разрядов (бит)
VCC (В) От до
TA (°C) От до
Корпус

    Важно!

Имейте в виду, что при выборе Группы компонентов вам будет доступно больше параметров для поиска


Название Описание PDF Производитель Группа компонент Организация VCC
В
TA
°C
Корпус
Слов
K
Разрядов
бит
                   
HY27SS08561A 256 Мбит (32М х 8 бит) NAND Flash Hynix NAND Flash
- - 1.7 ... 1.95 0 ... 70 FBGA-63
TSOPI-48
USOPI-48
S30MS512R 512Мбит (64М х 8 бит) ORNAND™ Flash серии S30MS-R Spansion NAND Flash
- - 1.7 ... 1.95 -25 ... 85 TSOPI-48
KFG1216Q2B 512Мб (32М х 16 бит) OneNAND Flash память Samsung Electronics NAND Flash
- - 1.7 ... 1.95 -30 ... 85 FBGA-63
FBGA-67
MB85RDP16LX Ферроэлектрическая память с произвольным доступом (FRAM) объемом 16 Кбит со сверхнизким энергопотреблением и интегрированной функцией счётчика Fujitsu Microelectronics FRAM
2048 8 1.65 ... 1.95 -40 ... 105 SON-8
S30MS01GP 1Гбит (64М х 16 бит) ORNAND™ Flash серии S30MS-P Spansion NAND Flash
- - 1.7 ... 1.95 -25 ... 85 FBGA-137
TSOPI-48
KFM1216Q2B 512Мб (32М х 16 бит) OneNAND Flash память Samsung Electronics NAND Flash
- - 1.7 ... 1.95 -30 ... 85 FBGA-63
MT29F1G16ABB 1 Гбит (64М х 16 бит) NAND Flash Micron NAND Flash
- - 1.65 ... 1.95 -40 ... 85 FBGA-63
S30MS01GP 1Гбит (128М х 8 бит) ORNAND™ Flash серии S30MS-P Spansion NAND Flash
- - 1.7 ... 1.95 -25 ... 85 FBGA-137
TSOPI-48
KFW4G16Q2A 4Гб (256М х 16 бит) OneNAND Flash память Samsung Electronics NAND Flash
- - 1.7 ... 1.95 -30 ... 85 FBGA-63
MT29F1G08ABB 1 Гбит (128М х 8 бит) NAND Flash Micron NAND Flash
- - 1.65 ... 1.95 -40 ... 85 FBGA-63
S30MS512P 512Мбит (32М х 16 бит) ORNAND™ Flash серии S30MS-P Spansion NAND Flash
- - 1.7 ... 1.95 -25 ... 85 FBGA-137
TSOPI-48
S26KS128S Микросхема NOR-Flash памяти HyperFlash™ объёмом 128 Мбит, выполненная по 65-нм техпроцессу, с технологией MirrorBit® Cypress NOR Flash
16 8 1.7 ... 1.95 -40 ... 125 FBGA-24
KFH2G16Q2A 2Гб (128М х 16 бит) OneNAND Flash память Samsung Electronics NAND Flash
- - 1.7 ... 1.95 -30 ... 85 FBGA-63
S30MS512P 512Мбит (64М х 8 бит) ORNAND™ Flash серии S30MS-P Spansion NAND Flash
- - 1.7 ... 1.95 -25 ... 85 FBGA-137
TSOPI-48
S26KS256S Микросхема NOR-Flash памяти HyperFlash™ объёмом 256 Мбит, выполненная по 65-нм техпроцессу, с технологией MirrorBit® Cypress NOR Flash
32 16 1.7 ... 1.95 -40 ... 125 FBGA-24
KFG1G16Q2A 1Гб (64М х 16 бит) OneNAND Flash память Samsung Electronics NAND Flash
- - 1.7 ... 1.95 -30 ... 85 FBGA-63
S26KS512S Микросхема NOR-Flash памяти HyperFlash™ объёмом 512 Мбит, выполненная по 65-нм техпроцессу, с технологией MirrorBit® Cypress NOR Flash
64 32 1.7 ... 1.95 -40 ... 125 FBGA-24
KFG1G16Q2B 1Гб (64М х 16 бит) OneNAND Flash память Samsung Electronics NAND Flash
- - 1.7 ... 1.95 -30 ... 85 FBGA-63
A64E06161 Малопотребляющее статическое псевдо-ОЗУ 1Мх16 AMIC Technology Low Power SRAM
1024 16 1.7 ... 1.95 -25 ... 85 BGA-48
KFM1G16Q2B 1Гб (64М х 16 бит) OneNAND Flash память Samsung Electronics NAND Flash
- - 1.7 ... 1.95 -30 ... 85 FBGA-63




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019