Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

Компоненты группы IGBT-транзисторы
 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
VCES (В)
Рабочий ток: IC (А)
Рабочий ток: При TC (°C)
VCE(sat) (В)
td(on) (тип.) (нс)
tr (тип.) (нс)
td(off) (тип.) (нс)
tf (тип.) (нс)
EON (тип.) (мДж)
EOFF (тип.) (мДж)
PD (Вт)
FWD
TA (°C) От до
Корпус
Страницы: предыдущая 1 ... 5 6 7 8 9 10 11 12 13 ... 50 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент VCES
В		 Рабочий ток VCE(sat)
В		 td(on) (тип.)
нс		 tr (тип.)
нс		 td(off) (тип.)
нс		 tf (тип.)
нс		 EON (тип.)
мДж		 EOFF (тип.)
мДж		 PD
Вт		 FWD TA
°C		 Корпус
IC
А		 При TC
°C
                                     
IXGA16N60C2 Высокоскоростной IGBT-транзистор, 600 В, 16А IXYS IGBT
 600 16 110 3 16 18 115 100 0.27 0.27 150 Нет -55 ... 150 TO-263
IXGA16N60C2D1 Высокоскоростной IGBT-транзистор, 600 В, 16А IXYS IGBT
 600 16 110 3 16 18 115 100 0.27 0.27 150 Да -55 ... 150 TO-263
IXGA20N100 IGBT-транзистор, 1000 В, 40А IXYS IGBT
 1000 20 90 2.2 30 30 700 520 0.65 6.5 150 Нет -55 ... 150 TO-263
IXGA20N100A3 IGBT-транзистор, 1000 В, 20А IXYS IGBT
 1000 20 90 2.1 37 125 80 1550 - - 150 Нет -55 ... 150 TO-263
IXGA20N120 IGBT-транзистор, 1200 В, 40А IXYS IGBT
 1200 20 90 2 30 27 700 550 0.9 9.5 150 Нет -55 ... 150 TO-263
IXGA20N120A3 IGBT-транзистор, 1200 В, 20А IXYS IGBT
 1200 20 110 2.3 16 50 310 1220 5.53 10.1 180 Нет -55 ... 150 TO-263
IXGA20N120B3 IGBT-транзистор, 1200 В, 20А, частота коммутации 3...20 кГц IXYS IGBT
 1200 20 90 2.7 16 45 180 540 1.6 1.63 180 Нет -55 ... 150 TO-263
IXGA20N60B IGBT-транзистор, 600 В, 40 А IXYS IGBT
 600 20 90 1.7 15 35 220 140 0.15 1.2 150 Нет -55 ... 150 TO-263
IXGA24N120C3 IGBT-транзистор, 1200 В, 48А, частота коммутации 10...50 кГц IXYS IGBT
 1200 24 100 3.6 16 35 125 305 2.18 1.18 250 Нет -55 ... 150 TO-263
IXGA24N60C IGBT-транзистор, 600 В, 48А IXYS IGBT
 600 24 110 2.1 15 25 130 110 0.15 0.6 150 Нет -55 ... 150 TO-263
IXGA30N120B3 IGBT-транзистор, 1200 В, 30А, частота коммутации 3...20 кГц IXYS IGBT
 1200 30 110 2.96 18 38 216 255 6.7 5.1 300 Нет -55 ... 150 TO-263
IXGA30N60C3 Высокоскоростной IGBT-транзистор, 600 В, 30А, частота коммутации 40...100 кГц IXYS IGBT
 600 30 110 2.6 17 28 70 90 0.44 0.33 220 Нет -55 ... 150 TO-263
IXGA30N60C3C1 IGBT-транзистор, 600 В, 30А , частота коммутации 40...100 кГц IXYS IGBT
 600 30 110 2.6 16 21 70 90 0.16 0.33 220 Да -55 ... 150 TO-263
IXGA30N60C3D4 IGBT-транзистор, 600 В, 30А IXYS IGBT
 600 30 110 2.6 17 28 70 90 0.44 0.33 220 Да -55 ... 150 TO-263
IXGA36N60A3 IGBT-транзистор, 600 В, 36А IXYS IGBT
 600 36 110 1.4 18 25 500 500 1.5 5.3 220 Нет -55 ... 150 TO-263
IXGA42N30C3 IGBT-транзистор, 300 В, 42 А, частота коммутации 10...150 кГц IXYS IGBT
 300 42 110 1.54 21 22 127 102 0.21 0.2 223 Нет -55 ... 150 TO-263
IXGA48N60A3 IGBT-транзистор, 600 В, 48А IXYS IGBT
 600 48 110 1.18 24 30 545 380 1.97 5.6 300 Нет -55 ... 150 TO-263
IXGA48N60B3 IGBT-транзистор, 600 В, 48А, частота коммутации 5...40 кГц IXYS IGBT
 600 48 110 1.8 19 25 190 157 1.71 1.3 300 Нет -55 ... 150 TO-263
IXGA48N60C3 IGBT-транзистор, 600 В, 48А, частота коммутации 40...100 кГц IXYS IGBT
 600 48 110 2.3 19 26 92 95 0.65 0.57 300 Нет -55 ... 150 TO-263
IXGA4N100 IGBT-транзистор, 1000 В, 8А IXYS IGBT
 1000 4 90 2.2 20 25 700 520 0.16 2 40 Нет -55 ... 150 TO-263
Страницы: предыдущая 1 ... 5 6 7 8 9 10 11 12 13 ... 50 следующая



подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники