Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

Компоненты группы IGBT-транзисторы
 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
VCES (В)
Рабочий ток: IC (А)
Рабочий ток: При TC (°C)
VCE(sat) (В)
td(on) (тип.) (нс)
tr (тип.) (нс)
td(off) (тип.) (нс)
tf (тип.) (нс)
EON (тип.) (мДж)
EOFF (тип.) (мДж)
PD (Вт)
FWD
TA (°C) От до
Корпус
Страницы: предыдущая 1 ... 7 8 9 10 11 12 13 14 15 ... 50 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент VCES
В		 Рабочий ток VCE(sat)
В		 td(on) (тип.)
нс		 tr (тип.)
нс		 td(off) (тип.)
нс		 tf (тип.)
нс		 EON (тип.)
мДж		 EOFF (тип.)
мДж		 PD
Вт		 FWD TA
°C		 Корпус
IC
А		 При TC
°C
                                     
IXGH10N170A IGBT-транзистор, 1700 В, 10А, технология NPT IXYS IGBT
 1700 5 90 4.5 48 59 200 40 1.2 0.6 140 Нет -55 ... 150 TO-247AD
IXGH10N300 IGBT-транзистор высокого напряжения, 3000 В, 10А IXYS IGBT
 3000 10 90 3.5 72 227 154 530 - - 100 Нет -55 ... 150 TO-247
IXGH120N30B3 IGBT-транзистор, 300 В, 120 А, частота коммутации 10...50 кГц IXYS IGBT
 300 120 110 1.42 21 30 106 250 - - 540 Нет -55 ... 150 TO-247
IXGH120N30C3 IGBT-транзистор, 300 В, 120 А, частота коммутации 50...150 кГц IXYS IGBT
 300 120 110 1.75 28 38 120 113 0.37 0.88 540 Нет -55 ... 150 TO-247AD
IXGH12N100 Высокоскоростной IGBT-транзистор, 1000 В, 24А IXYS IGBT
 1000 12 90 3.5 100 200 900 1250 1.1 3.5 100 Нет -55 ... 150 TO-247AD
IXGH12N100A Высокоскоростной IGBT-транзистор, 1000 В, 24А IXYS IGBT
 1000 12 90 4 100 200 950 1250 1.1 2.2 100 Нет -55 ... 150 TO-247AD
IXGH12N100AU1 Высокоскоростной IGBT-транзистор, 1000 В, 24А IXYS IGBT
 1000 12 90 4 100 200 900 950 1.1 2.2 100 Да -55 ... 150 TO-247AD
IXGH12N100U1 Высокоскоростной IGBT-транзистор, 1000 В, 24А IXYS IGBT
 1000 12 90 3.5 100 200 900 1250 1.1 3.5 100 Да -55 ... 150 TO-247AD
IXGH12N120A3 IGBT-транзистор, 1200 В, 12А IXYS IGBT
 1200 12 90 2.4 35 167 70 1475 - - 100 Нет -55 ... 150 TO-247
IXGH12N60B IGBT-транзистор, 600 В, 24 А IXYS IGBT
 600 12 90 2.1 20 20 200 200 0.15 0.8 100 Нет -55 ... 150 TO-247
IXGH12N60BD1 IGBT-транзистор, 600 В, 24 А IXYS IGBT
 600 12 90 2.1 20 20 200 200 0.5 0.8 100 Да -55 ... 150 TO-247AD
IXGH12N60C IGBT-транзистор, 600 В, 24 А IXYS IGBT
 600 12 90 2.1 20 20 85 85 0.15 0.27 100 Нет -55 ... 150 TO-247
IXGH12N60CD1 IGBT-транзистор, 600 В, 24 А IXYS IGBT
 600 12 90 2.1 20 20 85 85 0.5 0.27 100 Да -55 ... 150 TO-247AD
IXGH12N90C IGBT-транзистор, 900 В, 24А IXYS IGBT
 900 12 90 3 20 20 200 150 0.15 0.7 100 Нет -55 ... 150 TO-247
IXGH15N120B IGBT-транзистор, 1200 В, 30А IXYS IGBT
 1200 15 110 3.2 25 18 300 360 0.6 3.5 180 Нет -55 ... 150 TO-247AD
IXGH15N120B2D1 IGBT-транзистор, 1200 В, 30А, частота коммутации 10...20 кГц IXYS IGBT
 1200 15 90 3.3 25 18 260 305 0.6 2.8 190 Да -55 ... 150 TO-247
IXGH15N120BD1 IGBT-транзистор, 1200 В, 30А IXYS IGBT
 1200 15 90 3.2 25 18 270 360 1.5 3.5 150 Да -55 ... 150 TO-247
IXGH15N120C IGBT-транзистор, 1200 В, 30А IXYS IGBT
 1200 15 90 3.8 25 18 220 250 0.6 2.1 150 Нет -55 ... 150 TO-247AD
IXGH15N120CD1 IGBT-транзистор, 1200 В, 30А IXYS IGBT
 1200 15 90 3.8 25 18 270 250 1.5 2.1 150 Да -55 ... 150 TO-247
IXGH16N170 IGBT-транзистор, 1700 В, 24А, технология NPT IXYS IGBT
 1700 16 90 2.7 48 42 430 1170 1.5 11.2 190 Нет -55 ... 150 TO-247
Страницы: предыдущая 1 ... 7 8 9 10 11 12 13 14 15 ... 50 следующая



подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники