Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

Компоненты группы IGBT-транзисторы
 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
VCES (В)
Рабочий ток: IC (А)
Рабочий ток: При TC (°C)
VCE(sat) (В)
td(on) (тип.) (нс)
tr (тип.) (нс)
td(off) (тип.) (нс)
tf (тип.) (нс)
EON (тип.) (мДж)
EOFF (тип.) (мДж)
PD (Вт)
FWD
TA (°C) От до
Корпус
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 ... 50 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент VCES
В		 Рабочий ток VCE(sat)
В		 td(on) (тип.)
нс		 tr (тип.)
нс		 td(off) (тип.)
нс		 tf (тип.)
нс		 EON (тип.)
мДж		 EOFF (тип.)
мДж		 PD
Вт		 FWD TA
°C		 Корпус
IC
А		 При TC
°C
                                     
IXGH100N30B3 IGBT-транзистор, 300 В, 100 А, частота коммутации 10...50 кГц IXYS IGBT
 300 100 110 1.35 24 61 124 148 - - 460 Нет -55 ... 150 TO-247
IXGR48N60B3 IGBT-транзистор, 600 В, 60А, частота коммутации 5...40 Кгц IXYS IGBT
 600 27 110 1.77 19 25 190 157 1.71 1.3 150 Нет -55 ... 150 ISOPLUS247
STGP10NC60K 600 В, 10 А, IGBT-транзистор семейтсва PowerMESH™ с защитой от короткого замыкания STMicroelectronics IGBT
 600 10 100 1.8 17 6 72 82 55 85 60 Нет -55 ... 150 TO-220
IXXX160N65B4 IGBT-транзистор семейства GenX4™, 650 В, 160 А, технология XPT™ (Extreme Light Punch Through) IXYS IGBT
 650 160 110 1.8 52 64 220 90 3.3 1.88 940 Нет -55 ... 175 PLUS247
IXGA30N120B3 IGBT-транзистор, 1200 В, 30А, частота коммутации 3...20 кГц IXYS IGBT
 1200 30 110 2.96 18 38 216 255 6.7 5.1 300 Нет -55 ... 150 TO-263
IXGT50N60B2 IGBT-транзистор, 600 В, 75А IXYS IGBT
 600 50 110 1.6 18 25 290 140 0.45 1.55 400 Нет -55 ... 150 TO-268
STGP30NC60K IGBT-транзистор на 600 В, 30 А с усиленной защитой от короткого замыкания STMicroelectronics IGBT
 600 26 100 2.7 29 12 120 85 350 435 185 Нет -55 ... -150 TO-220
IXGH16N170 IGBT-транзистор, 1700 В, 24А, технология NPT IXYS IGBT
 1700 16 90 2.7 48 42 430 1170 1.5 11.2 190 Нет -55 ... 150 TO-247
IXGH36N60B3 IGBT-транзистор, 600 В, 36А, частота коммутации 5...40 кГц IXYS IGBT
 600 36 110 1.5 19 26 180 170 0.9 1.5 250 Нет -55 ... 150 TO-247
IXXK200N60B3 IGBT-транзистор, 600 В, 200 А, технология XPT (Extreme Light Punch Through), частота коммутации 10...30 кГц IXYS IGBT
 600 200 110 1.4 46 94 180 215 4.4 3.45 1630 Нет -55 ... 175 TO-264
IXEL40N400 IGBT-транзистор высокого напряжения, 4000 В, 40А IXYS IGBT
 4000 40 90 2.5 155 105 715 455 85 205 380 Нет -40 ... 125 ISOPLUS_i5
IXGP20N100A3 IGBT-транзистор, 1000 В, 20А IXYS IGBT
 1000 20 90 2.1 37 125 80 1550 - - 150 Нет -55 ... 150 TO-220
IXSH24N60B Высокоскоростной IGBT-транзистор, 600 В, 48А, работа в режиме короткого замыкания IXYS IGBT
 600 24 90 2.5 55 75 190 280 1.2 2.4 150 Нет -55 ... 150 TO-247AD
IXGX320N60A3 IGBT-транзистор, 600 В, 320А IXYS IGBT
 600 210 110 1.05 62 67 330 1540 - - 1000 Нет -55 ... 150 PLUS247
IXYH82N120C3 IGBT-транзистор, 1200 В, 82 А, технология XPT (Extreme Light Punch Through), частота коммутации 20...50 Г IXYS IGBT
 1200 82 110 2.75 29 90 200 95 7.45 3.7 1040 Нет -55 ... 150 TO-247AD
IXGT15N120C IGBT-транзистор, 1200 В, 30А IXYS IGBT
 1200 15 90 3.8 25 18 220 250 0.6 2.1 150 Нет -55 ... 150 TO-268
STGB10NC60K 600 В, 10 А, IGBT-транзистор семейтсва PowerMESH™ с защитой от короткого замыкания STMicroelectronics IGBT
 600 10 100 1.8 17 6 72 82 55 85 60 Нет -55 ... 150 D2-PAK
IXXK160N65C4 IGBT-транзистор семейства GenX4™, 650 В, 160 А, технология XPT™ (Extreme Light Punch Through) IXYS IGBT
 650 160 110 2.1 52 67 197 30 3.5 1.3 940 Нет -55 ... 175 TO-264
IXSH50N60B Высокоскоростной IGBT-транзистор, 600 В, 75А, работа в режиме короткого замыкания IXYS IGBT
 600 50 90 2.2 70 70 230 230 0.6 4.8 250 Нет -55 ... 150 TO-247AD
IXGH50N60B2 IGBT-транзистор, 600 В, 75А IXYS IGBT
 600 50 110 1.6 18 25 290 140 0.45 1.55 400 Нет -55 ... 150 TO-247
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 ... 50 следующая



подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники